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第28回(2010年春季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介

応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 中川 清和

応用物理学会講演奨励賞は,春季および秋季の学術講演会において,応用物理学の視点から極めて価値のある一般講演論文を発表した若手会員に授与し,これを称えることを目的としています.
この度,2010年春季応用物理学関係連合講演会(東海大学)で発表された3657件の一般講演論文のうち,予め申請のあった671件の口頭,ポスター講演の発表者の中から,慎重な審査の結果,下記の38名の方々が選出されました.誠におめでとうございます.受賞者には,2010年秋季講演会(長崎大学)において,会長から賞状と記念品が授与される予定です.

ここで,講演奨励賞受賞者の選出方法について,簡単に紹介します.第一段階は講演発表会場での審査で,原則として座長,講演奨励賞審査員,講演会プログラム編集委員の3名が評価を行います.評価の対象項目は,資格要件,発表内容の新規性と本人の寄与率,学術的インパクト又は有用性,プレゼンテーションの明快さと質疑応答の的確さ,講演予稿集の記述,などです.
これらの結果をもとに,大分類分科と合同セッション毎に,推薦候補者が選出されます.第二段階の審査は,各大分類分科と合同セッションからの推薦リストと,同時に提出頂く推薦候補者の評価結果をもとに,講演奨励賞委員会で進められます.異なる分野間の比較を伴う困難な作業ですが,真摯な議論が交わされた上での講演奨励賞委員全員の合意として,原則一般講演件数の1%程度を限度として受賞候補者が絞り込まれました.その後理事会の審議を経て,講演奨励賞受賞者が決定されます.
このようにして選出された受賞者は,非常に質の高い講演発表を行われた方々であり,その栄誉を称えて,受賞者には受賞業績に該当する大分類分科内のセッションで記念講演を行う機会も与えられます.

講演奨励賞が設置されて既に14年が経過しました.この間、講演奨励賞申請件数は第1回の434件から着実に増加し、最近では600件を越える件数となっております。本授賞制度が若手研究者に応用物理学会への参加・発表を促す原動力となってきたことを示唆しているものと考えております.
本制度が今後若手研究者を益々鼓舞するとともに、本賞受賞者が,これを踏み台としてまた一段と高い水準の研究成果を目指しご活躍されることを念願する次第です.

講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順,敬称は略させていただきました.ご了承ください.)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
放射線
渡慶次高也
(琉球大工)
18a-G-3 CdTe結晶上へのショットキー電極形成における熱処理の効果(II)
(琉球大工1,アクロラド2 : 山内徹也1,藤本誠也1,山里将朗1,大野良一2,比嘉晃1
計測・制御
福田幸史
(関西大システム理工)
19p-P12-18 血液脈波に対するアルコール摂取の影響の分光学的評価(3)
(ORDIST1,関西大シス理工2,関西大院3 : 清水康弘1,3,大村泰久1,2,3
柚山健一
(奈良先端大物質)
17a-K-10 集光レーザービームの光圧によるグリシン高濃度液滴の形成ダイナミクス
(奈良先端大物質1,台湾国立交通大理2 : 杉山輝樹1,増原宏1,2
行武壮太郎
(東大工)
18a-P4-13 非断熱過程に基づく波長選択性を有する光電変換素子の開発
(東大工1,ナノフォトニクス研究センター2 : 川添忠1,2,八井崇1,2,大津元一1,2
量子エレクトロニクス
辻野雅之
(阪大院工,学振特別研究員)
18a-E-9 フェムト秒レーザー駆動衝撃波によって創製された非平衡シリコン高圧相の存在状態分析
(阪大院工1,学振特別研究員2,JST CREST3,SPring-84,超高圧電顕セ5,防衛大6,光科学セ7 : 佐野智一1,3,尾崎典雅1,坂田修身4,荒河一渡5,大越昌幸6,井上成美6,森博太郎5,兒玉了祐1,7,廣瀬明夫1
縄田耕二
(千葉大院融合)
18p-F-2 Te:Sn2P2S6を用いたリアルタイムピコ秒位相共役増幅システム
(千葉大学院融合1,スイス連邦工科大学2 : Bach Tobias2,Jazbinsek Moija2,尾松孝茂1,Gunter Peter2
小関泰之
(阪大院工・JSTさきがけ)
19p-F-11 2波長パルス光源の高精度な高調波同期による誘導ラマン散乱顕微鏡
(阪大院工1,JSTさきがけ2,阪大工3,近畿大4 : 北川雄真1,住村和彦1,西澤典彦1,梅村航3,石井万紀子3,梶山慎一郎4,福井希一1,伊東一良1
光エレクトロニクス
富永依里子
(京都工繊大電子システム工)
19a-E-9 GaAs1-XBiXファブリ・ペローレーザの発振波長の低温度依存性
(京都工繊大電子システム : 尾江邦重,吉本昌広 )
梅木毅伺
(NTTフォトニクス研)
19p-A-6 高品質な波長変換を実現するMMI集積QPM-LN 波長変換素子
(NTT フォトニクス研究所 : 忠永修,遊部雅生 )
薄膜・表面
中村嘉孝
(京大化研)
17p-TR-10 巨大正方歪みを有する(1-x)BiFeO3-xBiCoO3 薄膜の作製と評価
(京大化研 : 河合正徳,東正樹,島川祐一 )
阿部 諭
(青学大理工)
18a-TV-5 直流プラズマCVDを用いたリンドープn 形ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製II
(青学大理工1,トウプラスエンジニアリング2,物材機構3 : 児玉英之1,鈴木一博2,寺地徳之3,小泉聡3,澤邊厚仁1
小室雄太郎
(東工大応セラ研)
18p-P7-15 TiO2(110)-(1×2)再構成表面上のSnO2 の電子線照射還元
(東工大応セラ研 : 松本祐司 )
的場智彦
(京大院工)
20a-TJ-4 A面サファイア基板上へのFeTiO3-Fe2O3 固溶体エピタキシャル薄膜の合成
(京大院工 : 藤田晃司,村井俊介,田中勝久 )
ビーム応用
武安光太郎
(東大生研)
19p-W-11 スピン偏極原子状水素散乱装置の開発
(東大生研 : 小倉正平,福谷克之 )
小林 敬
(東北大多元研・JST-CREST)
20a-ZH-5 UV-NIL用蛍光レジストによるモールド表面への樹脂付着の検出
(東北大多元研1,JST-CREST2,東洋合成工業3,兵庫県立大高度研4 : 久保祥一1,坂井信支3,松井真二2,4,中川勝1,2
プラズマエレクトロニクス
河上貴聡
(長崎大院生産科学)
17p-ZC-8 酸素によるアモルファス炭素膜の酸化過程
(長崎大院生産科学1,長崎大工2,トーヨーエイテック3 : 川副大樹1,稲吉孝紀1,原幸二郎2,篠原正典1,松田良信2,藤山寛1,新田祐樹3,中谷達行3
原田高志
(東北大院工)
19a-R-6 プラズマ-イオン液体界面における金ナノ粒子層間挿入カーボンナノチューブの形成
(東北大院工 : 金子俊郎,畠山力三)
応用物性
北中佑樹
(東大先端研)
18p-ZC-16 高圧酸素下溶液引き上げ法によるBi系強誘電体単結晶の育成と物性評価
(東大先端研 : 小野塚博暁,森下瑛文,野口祐二,宮山勝 )
スピントロニクス・マグネティクス
松坂俊一郎
(東北大通研)
19a-ZA-12 電子濃度の異なるn型GaAsにおけるスピンホール効果の評価
(東北大通研 : 大野裕三,大野英男 )
超伝導
川口昂彦
(名大工,JST TRIP)
19a-T-4 MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価
(名大工1,名大VBL2,JST TRIP3 : 上村彦樹1,3,大野俊也1,田渕雅夫2,3,宇治原徹1,3,竹中康司1,3,竹田美和1,3,生田博志1,3
有機分子・バイオエレクトロニクス
佐伯昭紀
(JSTさきがけ,阪大産研)
17a-ZG-21 デンドロンに被覆された長寿命ホール : パルスラジオリシスによる研究
(JSTさきがけ1,阪大産研2,阪大院工3,慶大理工4 : 関修平3,1,佐藤宗英4,山元公寿4,田川精一2
町田真一
(千葉大院融合科学)
18a-ZM-5 角度分解光電子分光によるルブレン単結晶のHOMOバンド分散測定
(千葉大院融合科学1,千葉大先進科学センター2 : 中山泰生2,Steffen Duhm1,Qian Xin1,舟越亮博1,小川尚記1,解良聡1,上野信雄1,石井久夫1,2
竹原宏明
(東大院工)
19p-ZD-4 マイクロブレインインターフェイスデバイスの流体制御機能の高度化
(東大院工1,東大院医2,東大CNBI3 : 長岡陽2,野口潤2,3,赤木貴則1,3,河西春郎2,3,一木隆範1,3
山成敏広
(産総研太陽光)
19p-ZL-3 有機薄膜太陽電池の劣化解析技法の提案―EL測定による異常部検出とその部位の形態観察―
(産総研太陽光1,JST-さきがけ2,アイテス3,パナソニック電工4 : 當摩哲也1,2,豊田芳隆3,阪井淳4,吉田郵司1
半導体A(シリコン )
角村貴昭
(MIRAI-Selete)
17a-A-2 プロセス条件依存性によるしきい値ばらつき原因解析
(MIRAI-Selete1,広島市立大2,東大生研3 : 西田彰男1,矢野史子1,竹内潔1,稲葉聡1,蒲原史朗1,寺田和夫2,平本俊郎1,3,最上徹1
西義史
(東芝研究開発センター)
18p-B-7 ニッケルシリサイド電極形成後の硫黄注入技術による極低ショットキー障壁メタルソースドレイントランジスタ
(東芝研開セ : 木下敦寛 )
李 忠賢
(東大院工)
18p-P9-15 GeO2形成時の高圧酸化と1気圧酸化の本質的な違い -バルクGeO2膜とGeO2/Ge界面の独立な制御-
(東大院工1,JST-CREST2 : 西村知紀1,2,長汐晃輔1,2,喜多浩之1,2,鳥海明1,2
半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
冨岡克広
(北大院情報科学・量子集積センター,JSTさきがけ)
17a-TM-1 MOVPE選択成長法と再成長によるシリコン基板上のGaAs/InAs/GaAsナノワイヤ量子井戸の作製
(北大院情報科学・量子集積センター1,JSTさきがけ2 : 本久順一1,原真二郎1,比留間健之1,福井孝志1
齋藤尚史
(東工大院理工)
19a-TK-9 縦型InGaAsチャネルMISFETの極微細メサに向けた選択的ウェットエッチング
(東工大院理工 : 楠崎智樹,松本豊,宮本恭幸,古屋一仁)
齋藤隆允
(筑波大院 電子・物理工)
19p-TN-2 n+-BaSi2/p+-Siトンネル接合の形成とBaSi2膜の分光感度特性評価
(筑波大院電子・物理1,JST-PRESTO2 : 松本雄太1,武石充智1,佐々木亮1,藤克昭1,岡田淳史1,末益崇1,2
結晶工学
木村博充
(東北大金研)
17p-TV-4 MgO添加により化学量論組成と調和融解組成を一致させたニオブ酸リチウムのSHG特性
(東北大金研1,東北大学際センター2 : 小泉晴比古1,杉山和正1,谷内哲夫2,宇田聡1
石井良太
(京大院工)
18p-TA-10 GaNにおけるquasi-cubic近似の破綻と新たに予見される無極性面および半極性面GaN/AlGaN量子井戸構造の特異な光学異方性
(京大院工 : 金田昭男,船戸充,川上養一)
大木智之
(東北大未来セ・ソニー先端マテ研)
19p-TB-17 バイセクション型青紫色半導体レーザのモード同期動作による高ピークパワーピコ秒光パルスの発生
(東北大未来セ1,ソニー先端マテ研2 : 齋藤恭介1,渡邊秀輝2,宮嶋孝夫2,倉本大1,2,池田昌夫1,2,横山弘之1
非結晶・微結晶
正井博和
(東北大院工)
18a-TN-4 Sn含有リン酸塩低融点ガラスの発光特性と光学応用
(東北大院工1,旭硝子中研2 : 高橋儀宏1,藤原巧1,松本修治2
ナノカーボン
井瀬景太
(阪大院工)
20a-TC-9 カーボンナノチューブの延伸塑性変形時のカイラリティ変化
(阪大院工 : 出口拡利,平原佳織,山口康隆,中山喜萬)
野内 亮
(東北大WPI)
20p-TD-1 グラフェン電界効果トランジスタの伝達特性に現れる歪みの起源
(東北大WPI1,東北大理2 : 齊藤達也2,谷垣勝己1,2
応用物理一般
小野寺 拓
(東北大院工)
18a-S-9 表面化学分析および計算化学手法を用いたC60フラーレン薄膜の摩擦メカニズムの解析
(東北大院工1,Ecole Centrale de Lyon2,東北大未来セ3 : Vanessa Chauveau2,三浦隆治1,鈴木愛3,坪井秀行1,畠山望1,遠藤明1,高羽洋充1,久保百司1,Jean-Michel Martin2,宮本明1,3
合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
山本兼司
(静大創造科技院)
19p-TM-15 Zn(Mg,Cd)O混晶の励起子モデルによる光学特性解析
(静大創造科技院1,静大電研2 : 中村篤志2,天明二郎1,2
(所属の表記は予稿集掲載内容より引用)