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第26回(2009年春季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介

応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 鈴木 実

応用物理学会講演奨励賞は,春季および秋季の学術講演会において,応用物理学の視点から極めて価値のある一般講演論文を発表した若手会員に授与し,これを称えることを目的としています.この度,2009年春季応用物理学関係連合講演会(筑波大学)で発表された3,676件の一般講演論文のうち,予め申請のあった645件の口頭,ポスター講演の発表者の中から,慎重な審査の結果,下記の39名の方々が選出されました.誠におめでとうございます.受賞者には,2009年秋季講演会(富山大学)において,会長から賞状と記念品が授与される予定です.

ここで,講演奨励賞受賞者の選出方法について,簡単に紹介します.第一段階は講演発表会場での審査で,原則として座長,講演奨励賞審査員,講演会プログラム編集委員の3名が評価を行います.評価の対象項目は,資格要件,発表内容の新規性と本人の寄与率,学術的インパクト又は有用性,プレゼンテーションの明快さと質疑応答の的確さ,講演予稿集の記述,などです.これらの結果をもとに,大分類分科と合同セッション毎に,推薦候補者が選出されます.第二段階の審査は,各大分類分科と合同セッションからの推薦リストと,同時に提出頂く推薦候補者の評価結果をもとに,講演奨励賞委員会で進められます.異なる分野間の比較を伴う困難な作業ですが,真摯な議論が交わされた上での講演奨励賞委員全員の合意として,原則一般講演件数の1%以内を限度として受賞候補者が絞り込まれます.その後理事会の審議を経て,講演奨励賞受賞者が決定されます.このようにして選出された受賞者は,非常に質の高い講演発表を行われた方々であり,その栄誉を称えて,受賞者には受賞業績に該当する大分類分科内のセッションで記念講演を行う機会も与えられます.

講演奨励賞が設置されて既に10年以上を経過しました.この間、講演奨励賞申請者数は着実な増加傾向を示し,本授賞制度が若手研究者に応用物理学会への参加・発表を促す原動力となってきたことを示唆しています.本制度が今後若手研究者を益々鼓舞するとともに、本賞受賞者が,これを踏み台としてまた一段と高い水準の研究成果を目指しご活躍されることを念願する次第です.


講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順,敬称は略させていただきました.ご了承ください.)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
放射線
今 邨亮
(京大工)
1p-ZC-9 電流モード検出器を用いたエネルギー差分法によるCT測定(2)
(京大工1,原子力機構2,レイテック3 :三上研太1,神野郁夫1,大高雅彦2,橋本 周2,荒 邦章2,尾鍋秀明3
野村 航
(東大工)
31a-H-9 近接場光相互作用によるランダム分布量子ドット間のエネルギー移動の観測
(東大工:八井 崇,川添 忠,大津元一)
小迫 照和
(広島大院先端研)
1p-H-7 金ナノロッドで構成されたナノ光八木宇田アンテナの指向性
(広大院先端研:ホルガ ホフマン,角屋 豊)
量子エレクトロニクス
鈴木 左文
(東工大総理工)
31a-P6-3 GaInAs/AlAs 共鳴トンネルダイオードの831GHz 基本波発振
(東工大総理工1,NTTフォトニクス研2:寺西豊志1,日向健介1,浅田雅洋1,杉山弘樹2,横山春喜2
山口  真
(京大院工)
31p-ZN-3 ナノ共振器・量子ドット強結合系における共鳴時の3番目の発光ピーク(2)
(京大院工:浅野 卓,小島一信,野田 進)
秋山 順
(分子科学研究所)
1p-ZN-13 異方性材料による新たなレーザーセラミックスに向けた検討
(分子研:佐藤庸一,平等拓範)
光エレクトロニクス
高  磊
(物材機構・早大先進理工)
30a-B-9 接着リッジ導波路型波長変換素子による高効率チャネル変換
(物材機構1,早大先進理工2,住友大阪セメント3:栗村 直1,2,菊池清史2,寺崎章宏2,中島啓幾2,近藤勝利3,市川潤一郎3
謝  楠
(早大理工学術院)
31a-B-12 超低消費電力ポリマー光スイッチ
(早大理工:橋本隆文,宇高勝之)
薄膜・表面
上野和紀
(東北大WPI材料機構)
31a-P7-23 KTaO3をチャネルとした電気二重層トランジスタ
(東北大WPI材料機構1,東北大金研2,CREST-JST3:赤塚俊彦2,下谷秀和2,袁 洪涛2,3,岩佐義宏2,3,川崎雅司1,2,3
熊田 翔
(東工大応セラ研)
31a-X-5 Al2O3(0001) 基板上に成長させた MgO(111) 薄膜の評価
(東工大応セラ研1,JST ERATO-SORST2,東工大フロンティア3,JST さきがけ4:松崎功佑1,野村研二2,細野秀雄1,2,3,須崎友文4
納多真輝
(兵庫県立大工)
31p-ZH-16 ZnOナノロッドをチャネルに用いた強誘電体ゲートトランジスタの作製(II)
(兵庫県大工:長岡卓也,久利龍平,藤沢浩訓,清水 勝)
長澤崇裕
(岡山県大院情報工)
2a-TD-4 Si(110)表面1ML酸化膜形成過程に関する第一原理解析
(岡山県大院情報工:芝 世弐,末岡浩治)
ビーム応用
佐藤弘紹
(東大工)
1a-D-9 金属カーボンナノチューブのSTM探針による局所構造変化-HOMO-LUMOギャップの形成
(東大工:山田賢太,駒口哲也,目良 裕,前田康二)
プラズマエレクトロニクス
後藤晃弘
(阪大院工)
31a-ZT-22 大気圧プラズマ化学輸送法による金属級Si中の金属不純物の除去特性
(阪大院工:鎌田大毅,垣内弘章,安武 潔,大参宏昌)
石川裕幸
(名大院工)
31p-Q-13 斜め堆積法を用いて作製した二層構造InN薄膜のEC応答特性におけるR比の最適化
(名大院工1,名大エコトピア2:竹内宏樹1,井上泰志2,高井 治2
応用物性
白鳥悠太
(北大院情報科学及び量集センター)
1a-ZQ-4 半導体ナノワイヤネットワークを用いた再構成可能BDD論理回路の試作と評価
(北大院情報科学及び量集センター:シャハリン ファズリ アブドゥール ラーマン,中田大輔,葛西誠也)
スピントロニクス・マグネティクス
塩田陽一
(阪大院基礎工)
1a-Q-16 超薄膜Fe合金 / MgO接合における電圧誘起磁化反転
(阪大院基礎工1,JSTさきがけ2:丸山拓人1,野崎隆行1,2,新庄輝也1,白石誠司1,鈴木義茂1
国橋要司
(東北大工)
1p-TB-12 InGaAs細線構造におけるスピン緩和の結晶方位依存性
(東北大工1,JST-さきがけ2:好田 誠1,2,新田淳作1
超伝導
三木茂人
(情通機構)
30a-P19-9 NbTiN極薄膜を用いた超伝導ナノワイヤ単一光子検出素子
(情通機構:武田正典,藤原幹生,佐々木雅英,王 鎮)
角柳孝輔
(NTT 物性基礎研)
2p-ZB-4 ジョセフソン分岐増幅(JBA)回路を用いた磁束量子ビットの高可視性測定
(NTT物性研1,東京理科大2:影井誠一郎2,鯉渕良太2,仙場浩一1
有機分子・バイオエレクトロニクス
淺川 雅
(金沢大FSO)
30a-C-9 モデル生体膜上に形成された水和層のサブナノメートル3次元AFM観察
(金沢大FSO1,金沢大工2,PRESTO・JST3:植田泰仁2,福間剛士1,3
横山孝理
(東大院工マテリアル)
30a-TB-4 水素中の蒸着により形成されたペンタセン薄膜の粒径増大起源とOTS処理基板上への適応
(東大院工マテリアル:朴 昌範,長汐晃輔,喜多浩之,鳥海 明)
中野谷一
(九大未来化学創造センター)
30p-X-4 有機単結晶薄膜を用いた有機EL素子
(九大未来化学創造センター:安達千波矢)
三浦 達
(NTT MI研)
31p-ZL-14 射出成形を用いた低コスト自己送液フローチップの検討
(NTT MI研1,NTT AT2: 堀内 勉1,高橋淳一1,岩崎 弦1,瀬山倫子1,飛田達也2,宮内英夫2,芳賀恒之1
半導体A (シリコン)
丸亀孝生
(東芝 研究開発センター)
30p-V-5 第一原理計算によるNiSi/Si接合の熱安定性と低界面抵抗を実現するPt含有効果の解析
(東芝研開セ1,東芝ナノアナリシス2:山内 尚1,西 義史1,佐々木智一2,木下敦寛1,古賀淳二1,加藤弘一1
三成英樹
(阪大院工)
31a-V-4 シリコンナノワイヤにおけるフルバンド3次元NEGFシミュレーション
(阪大院工:森 伸也)
清水 健
(東大生研)
1p-V-1 Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源-極薄SOIを用いた実験的考察
(東大生研:更屋拓哉,平本俊郎)
半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
野口恒太
(阪大院工)
30a-P4-13 OMVPE法によるInGaAs/GaAs:Er,O/GaInP DQW LDのEL特性
(阪大院工:太田祐司,土田将宏,辻 尭宏,西川 敦,寺井慶和,藤原康文)
大井幸多
(北大院情報科学及び量集センター)
1a-TG-6 多重台形チャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性
(北大院情報科学および量集センター:橋詰 保)
山本健士
(九大院システム情報)
1p-ZA-11 Mn濃度制御による室温強磁性Fe3-xMnxSi/Geエピタキシャル薄膜の実現
(九大院システム情報1,JSTさきがけ2,京大院エネルギー科学3:上田公二1,安藤裕一郎1,浜屋宏平1,2,前田佳均3,宮尾正信1
結晶工学
堀田昌宏
(京大院工)
30a-ZJ-7 4H-SiC m面上への4HポリタイプAlN/AlGaN MQW構造の作製と発光特性評価
(京大院工1,京大院光電子理工セ2:木本恒暢1,2,須田 淳1
三宅裕樹
(京大院工)
30p-F-20 AlGaN/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接地増幅動作の実現
(京大院工1,京大光・電子理工セ2:木本恒暢1,2,須田 淳1
梅野和行
(豊橋技科大工)
31p-J-8 固体源MBE成長したGaAsN混晶の発光特性に与えるMg添加効果
(豊橋技科大工1,ISSRC2:光吉三郎1,浦上法之1,米津宏雄1,岡田 浩1,2,古川雄三1,2,若原昭浩1,2
河口範明
(トクヤマ・東北大多元研)
1p-E-5 中性子検出用Eu添加LiCaAlF6 2インチ単結晶のCz法による作製及び特性評価
(トクヤマ1,東北大多元研2,東北大CYRIC3:柳田健之2,石津澄人1,福田健太郎12,須山敏尚1,鎌田 圭2,横田有為2,齋藤文良2,三宅正泰3,馬場 護3
非結晶・微結晶
牧浦理恵
(九大院理)
31p-TF-12 ヨウ化銀ナノ粒子のイオン伝導性と相転移挙動
(九大院理1,JST-CREST2:米村貴幸1,池田龍一1,2,北川 宏1,2
応用物理一般
南 康夫
(東大生研)
31a-N-6 Brillouin散乱による気体水素の回転緩和観察
(東大生研:酒井啓司)
大西宏昌
(詫間電波高専)
31a-P9-21 支援システムを用いた光学実験の導入
(詫間電波高専:森宗太一郎,三河通男,矢木正和)
合同セッションF「カーボンナノチューブの基礎と応用」
松永隆佑
(京大化研)
31a-TA-4 アハラノフ・ボーム効果による単一カーボンナノチューブのダーク励起子の観測
(京大化研:松田一成,金光義彦)
合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
大島 孝仁
(京大院工)
31p-ZK-16 β-Ga2O3基板を用いて作製した炎センサ
(京大院工1,日軽金2:奥野剛也1,新井直樹2,竹田 聡2,小林 恭2,樋野治道2,藤田静雄1

(所属の表記は予稿集掲載内容より引用)