応用物理学会
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応用物理学会講演奨励賞

第24回(2008年春季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介

応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 藤山 寛

応用物理学会講演奨励賞は,春季および秋季の学術講演会において,応用物理学の視点から極めて価値のある一般講演論文を発表した若手会員に授与し,これをたたえることを目的としています.この度,2008年春季関係連合講演会(日本大学船橋キャンパス)で発表された3,849件の一般講演論文のうち,予め申請のあった647件の口頭,ポスター講演の発表者の中から,慎重な審査の結果,下記の39名の方々が選出されました.誠におめでとうございます.受賞者には,2008年秋季講演会(中部大学)において,会長から賞状と記念品が授与される予定です.

ここで,講演奨励賞受賞者の選出方法について,簡単に紹介します.第一段階は講演発表会場での審査で,原則として座長,講演奨励賞審査員,講演会プログラム編集委員の3名が評価を行います.評価の対象項目は,資格要件,発表内容の新規性と本人の寄与率,学術的インパクト又は有用性,プレゼンテーションの明快さと質疑応答の的確さ,講演予稿集の記述,などです.これらの結果をもとに,大分類分科毎に,推薦候補者が選出されます.第二段階の審査は,各大分類分科からの推薦リストと,同時に提出頂く推薦候補者の評価結果をもとに,講演奨励賞委員会で進められます.異なる分野間の比較を伴う困難な作業ですが,真摯な議論が交わされた上での講演奨励賞委員全員の合意として,一般講演件数の1%以内の枠内に受賞候補者が絞り込まれます.その後理事会の審議を経て,講演奨励賞受賞者が決定されます.このようにして選出された受賞者は,非常に質の高い講演発表を行われた方々であり,その栄誉をたたえて,受賞者には受賞業績に該当する大分類分科内のセッションで記念講演を行う機会も与えられます.

講演奨励賞が設置されて既に10年以上を経過しました.この間の講演奨励賞の申請者は着実な増加傾向を見せ,若手研究者の応用物理学会への参加・発表を促進する,応用物理学会講演会の看板事業の一つに成長したと評価しています.一方で,選考基準が厳しすぎるのではという意見も聞こえ始めています.応用物理学会のますますの発展に向けて,選考基準の検討を引き続き進める考えです.


講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順,敬称は略させていただきました.ご了承ください.)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
放射線
人見啓太朗
(東北工大)
29a-NE-11 TIBr検出器のポラリゼーション現象の抑制
(東北工大:庄司忠良)
計測・制御
多根井寛志
(阪大院)
28p-ND-10 ナノ結晶ダイヤモンド薄膜におけるsp2 結合領域と異方性弾性定数との関係
(大阪大基礎工1,旭ダイヤモンド工業2,:中村暢伴1,荻博次1,池田隆二2,平尾雅彦1)
磯部圭佑
(理研)
27p-ZW-3 4光波混合過程における振動モードの選択的励起
(理研1,慶大理工2:須田亮1,田中将大2,神成文彦2,河野弘幸1,水野秀昭1,宮脇敦史1,緑川克美1)
三浦雅人
(神戸大)
28a-ZW-8 積層反射型ホログラフィックメモリシステムの最大記録容量の導出
(神戸大院自1,神戸大院工2:仁田功一2,的場修1,2)
量子エレクトロニクス
戸倉川正樹
(電通大レーザー研)
28a-NC-5 カーレンズモード同期Yb添加複合利得媒質セラミックレーザー
(電通大レーザー研1,神島化学工業2,ロシア科学アカデミー結晶研究所3:黒川裕章1,白川晃2,植田憲一1,八木秀喜2,柳谷高公2,Alexander A Kaminskii3)
伊藤晃一
(ニデック)
29a-NB-11 眼科用オレンジファイバーレーザーの高輝度応用II
(ニデック:鈴木淳,中西淳,小嶋和伸,上野登輝夫,林健一)
大口雄一郎
(東大院)
29p-ZX-19 2波長を用いた高次和・差周波発生とその偏光依存性
(東大院理:峰本紳一郎,酒井広文)
光エレクトロニクス
庄司雄哉
(東工大院理工)
28p-ZG-12 シリコン導波路を用いた非相反移相型光アイソレータ
(東工大院理工1,芝浦工大工2,コロンビア大3:横井秀樹2,I-Wei Hsieh3,Richard M. Osgood Jr.3,水本哲弥1)
瀬川徹
(NTTフォトニクス研)
29a-ZG-9 リング共振器型波長可変レーザをモノリシック集積したフィルタフリー波長変換素子
(NTTフォトニクス研:松尾慎治,硴塚孝明,柴田泰夫,佐藤具就,近藤康洋,高橋亮)
薄膜・表面
中尾祥一郎
(KAST,東大院理)
27p-L-2 大気アニールによる多結晶Nb:TiO2 透明導電薄膜の作製
(KAST1,東大院理2,東北大3:一杉太郎1,3,山田直臣1,笠井淳平1,廣瀬靖1,2,島田敏宏1,2,長谷川哲也1,2)
平間一行
(早大理工)
28a-K-5 水素終端ダイヤモンドにおけるホール蓄積層の基板面方位依存性
(早大理工1,AIST2:神宮宜克1,市川大1,梅沢仁2,川原田洋1)
丸山伸伍
(東工大応セラ研)
28p-M-7 イオン液体の真空蒸着技術の開発
(東工大応セラ研1,科技構戦略2,東大新領域3,物材機構4:片山正士1,2,鯉沼秀臣2,3,4,松本祐司1,2)
山田智明
(スイス連邦工科大)
30a-P14-2 SrTiO3 薄膜の2段階成長による転位閉じ込め効果とその誘電特性
(スイス連邦工科大学1,東工大2:Alexander Tagantsev1,Paul Muralt1,舟窪浩2,Nava Setter1)
ビーム応用
太田敢行
(農工大)
27p-ZN-12 ナノシリコン弾道電子エミッタの水溶液中動作と水素発生
(農工大院工:B. Gelloz,越田信義)
原田哲男
(東北大多元研)
28a-ZM-1 軟X線多層膜顕微鏡用の0.1%オーダー精度波長マッチング技術開発
(東北大多元研:神野貴義,豊田光紀,羽多野忠,山本正樹)
プラズマエレクトロニクス
野間由里
(東大新領域)
28a-T-7 大気圧クライオプラズマのガス温度依存(4 〜 296K)生成と診断
(東大院新領域:崔宰赫,Sven Stauss,笘居高明,寺嶋和夫)
内藤皓貴
(京大院工)
30a-S-6 マイクロプラズマ周期構造体の禁制帯条件における電磁波伝播特性(II)
(京大院工:酒井道,橘邦英)
応用物性
廣瀬左京
(村田製作所)
29a-Y-9 多結晶体La-doped SrTiO3積層チップ素子の抵抗スイッチング,メモリー特性
(村田製作所:中山晃慶,新見秀明,景山恵介,鷹木洋)
スピントロニクス・マグネティクス
橋本佑介
(東工大像情報)
29a-X-6 強磁性半導体(Ga,Mn)Asでの光パルス励起による磁化歳差運動のコヒーレント制御
(東工大像情報:小林聡,宗片比呂夫)
葛西伸哉
(京大化研)
29p-F-10 交流電流励起による磁気渦ダイナミクスの時間分解測定
(京大化研1,CXRO2,電通大情報3,NECデバイスプラットフォーム研4,阪大基礎工5:Peter Fischer2,Mi-Young Im2,山田啓介1,仲谷栄伸3,大嶋則和4,小林研介1,河野浩5,小野輝男1)
超伝導
村真琴
(九大)
27p-ZY-9 多層膜型2次元APCを導入したY123膜の臨界電流特性
(九大工1,東大工2,電中研3,静大工4,東北大5,九工大工6,名大工7:堀井滋2,向田昌志1,一瀬中3,喜多隆介4,難波雅史5,淡路智5,渡辺和雄5,松本要6,吉田隆7,寺西亮1,山田和広1,久恒善美1,森信幸1)
有機分子・バイオエレクトロニクス
松尾純一
(豊橋技科大)
27p-R-13 バイオイメージングに向けた光・pH融合イメージセンサの製作
(豊橋技科大1,JST-CREST2:中澤寛一1,飛沢健1,高尾英邦1,2,石田誠1,2,澤田和明1,2)
中山泰生
(千葉大先進)
28a-D-5 高絶縁性物質の電子状態探索のためのキャパシターモード光電子収量分光法
(千葉大先進1,千葉大工2,東北大通研3,千葉大院融合4:町田真一2,津波大介3,木村康男3,庭野道夫3,野口裕1,4,石井久夫1,4)
増尾貞弘
(京工繊大院工芸科学,JST さきがけ)
28a-L-3 ペリレン系ナノサイズ凝集体からの単−光子発生 -凝集状態依存性−
(京工繊大院工芸科学1,JSTさきがけ2,東北大多元研3:増原陽人3,西信弘1,村主舞1,村上巧1,松田佳久3,町田真二郎1,笠井均3,及川英俊3,板谷明1)
三成剛生
(理研,JST-CREST)
29a-ZE-4 溶液から自己形成する有機トランジスタ
(理研1,JST-CREST2,大日本印刷3,産総研4:加納正隆3,宮寺哲彦1,2,王穂東1,2,青柳克信1,塚越一仁1,2,4)
半導体A(シリコン)
有村拓晃
(阪大院)
28p-H-2 界面特性に優れたsub-1nm EOT TiO2/HfSiO/SiO2 積層構造ゲート絶縁膜の実現
(阪大院工:奥雄大,北野尚武,細井卓治,志村考功,渡部平司)
谷村龍彦
(東大院)
28p-H-4 放射光光電子分光によるHfSiON膜中電荷密度の深さ方向解析
(東大院工1,JST-CREST2,STARC3:豊田智史1,組頭広志1,2,尾嶋正治1,2,池田和人3,劉国林3,劉紫園3)
布重裕
(芝浦工大,半導体 MIRAI-産総研 ASRC)
29p-H-2 Pt/high-k/SiO2 ゲートスタックの還元雰囲気熱処理によるVFBシフトの起源
(芝浦工大1,半導体MIRAI-ASET2,半導体MIRAI-産総研ASRC3,東大工4:生田目俊秀2,岩本邦彦2,上牟田雄一2,小川有人2,平野晃人2,太田裕之3,鳥海明3,4,大石知司1)
曽根原岳志
(東芝セミコン社)
29a-P11-5 Pt添加したNiSi膜における膜特性とPt濃度の相関
(東芝セミコン社半開セ1,東芝セミコン社プロセス技術推進セ2:外園明1,圷晴子2,川中繁1,稲葉聡1,嶋崎綾子2,豊島義明1)
半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
笹倉弘理
(JST CREST,北大電子研)
28p-E-9 核磁場の双安定現象を利用したInAlAs量子ドットの判別
(JST CREST1,北大院工2:足立智1,2,鍜治怜奈2,武藤俊一1,2)
岡本創
(NTT物性基礎研)
28p-E-17 キャリア励起によるGaAsカンチレバーのQ値制御と自励発振
(NTT物性基礎研1,東北大院2:伊藤大助1,2,小野満恒二1,寒川哲臣1,山口浩司1,2)
宮崎憲一
(ローム)
29p-ZC-12 CuIn1-xGaxSe2 薄膜を用いた高感度・広帯域イメージセンサの開発
(ローム1,産総研2:松島理1,守分政人1,高須秀視1,石塚尚吾2,櫻井啓一郎2,山田昭政2,仁木栄2)
結晶工学
出浦桃子
(東大院工)
28p-ZT-16 微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの横方向成長に対するGa組成の影響
(東大院工1,東工大2:星井拓也1,杉山正和1,中根了昌1,竹中充1,菅原聡2,高木信一1,中野義昭1)
野村まり
(鳥取大工)
29a-P10-28 青-紫外線光波帯ZnSSe系アバランシェ・フォトダイオード(APD)に関する研究
(鳥取大工:延一樹,稲垣雄介,三木耕平,大下雄太,堅田大介,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止)
吉本晋
(京大工)
30p-B-8 GaNフォトニック結晶面発光レーザ
(京大工:松原秀樹,齊藤裕久,岳江林,田中良典,野田進)
非晶質・微結晶
傍島靖
(阪大院)
28p-ZY-3 薄膜Si太陽電池用表面平坦型光閉じ込め基板の開発(II)
(阪大院基礎工:樋口琢也,河部知行,西野光俊,福盛大雅,外山利彦,岡本博明)
応用物理一般
小原良和
(東北大)
29p-ZN-3 サブハーモニック超音波フェーズドアレイSPACEによる応力腐食割れの計測精度の検討
(東北大工1,富山大工2:山本摂1,佐々木康介1,遠藤宏明1,三原毅2,山中一司1)
合同セッションF「カーボンナノチューブの基礎と応用」
早水裕平
(産総研ナノカーボン)
30p-J-8 配向カーボンナノチューブ基板を用いた集積3次元MEMSデバイスの創製
(産総研ナノカーボン1,ブリガムヤング大2:山田健郎1,水野耕平1,ロバート・デービス2,二葉ドン1,湯村守雄1,畠賢治1)
合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」
中野匡規
(東北大)
28a-ZJ-11 PEDOT:PSS / ZnOショットキー接合のフォトダイオード特性
(東北大金研1,東北大WPI材料機構2,ローム3,JST-CREST4:牧野哲征2,郡司遼佑1,上野和紀1,大友明1,福村知昭1,湯地洋行3,中原健3,川崎雅司1,2,4)

(所属の表記は予稿集掲載内容より引用)

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