応用物理学会
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応用物理学会講演奨励賞

第22回(2007年春季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介

応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 一村 信吾

応用物理学会講演奨励賞は,春季および秋季の学術講演会において,応用物理学の視点から極めて価値のある一般講演論文を発表した若手会員に授与し,これをたたえることを目的としています.この度,2007年春季関係連合講演会(青山学院大学)で発表された3,891件の一般講演論文のうち,予め申請のあった712件の口頭,ポスター講演の発表者の中から,慎重な審査の結果,下記の39名の方々が選出されました.誠におめでとうございます.受賞者には,2007年秋季講演会(北海道工業大学)において,会長から賞状と記念品が授与される予定です.

ここで,講演奨励賞受賞者の選出方法について,簡単に紹介します.第一段階は講演発表会場での審査で,原則として座長,講演奨励賞審査員,講演会プログラム編集委員の3名が評価を行います.評価の対象項目は,資格要件,発表内容の新規性と本人の寄与率,学術的インパクト又は有用性,プレゼンテーションの明快さと質疑応答の的確さ,講演予稿集の記述,などです.これらの結果をもとに,大分類分科毎に,推薦候補者が選出されます.第二段階の審査は,各大分類分科からの推薦リストと,同時に提出頂く推薦候補者の評価結果をもとに,講演奨励賞委員会で進められます.異なる分野間の比較を伴う困難な作業ですが,真摯な議論が交わされた上での講演奨励賞委員全員の合意として,一般講演件数の1%以内の枠内に受賞候補者が絞り込まれます.その後理事会の審議を経て,講演奨励賞受賞者が決定されます.このようにして選出された受賞者は,非常に質の高い講演発表を行われた方々であり,その栄誉をたたえて,受賞者には受賞業績に該当する大分類分科内のセッションで記念講演を行う機会も与えられます.

講演奨励賞が設置されて既に11年を経過しました.この間の講演奨励賞の申請者は着実な増加傾向を見せ,若手研究者の応用物理学会への参加・発表を促進する,応用物理学会講演会の看板事業の一つに成長したと評価しています.

一方で,選考基準が厳しすぎるのではという意見も聞こえ始めています.応用物理学会のますますの発展に向けて,選考基準の検討を引き続き進める考えです。

講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順,敬称は略させていただきました.ご了承ください.)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
濱岡 福太郎
(慶大理工)
放射線・プラズマエレクトロニクス 27a-H-7 SF6/O2 2周波容量結合プラズマによるSi-MEMS加工のモデリング(I)
(慶大理工:八木澤卓,真壁利明)
富田 健太郎
(九大総理工)
放射線・プラズマエレクトロニクス 30a-C-11 協同的トムソン散乱によるEUV光源用放電生成プラズマの計測
(九大総理工1:熊大自然科学研究科2:荒木俊二1,山田貴夫1,香川敦祐1,内野喜一郎1,今村秀樹2,勝木 淳2,秋山秀典2
宮野 一輝
(阪大院工)
計測・制御 28p-B-4 多孔質イオン交換膜を用いた細菌センシングの解析
(阪大院工1,大阪府立産技研2:堀田沙織1,青木秀允1,藤原信明2,木村千春1,杉野 隆1
谷口 純
(阪大院基礎工)
27a-ZX-3 拡散光による高濃度コロイド溶液に含まれるナノ粒子の粒径と数密度の計測
(阪大院基礎工:村田博司,岡村康行)
平塚 洋二郎
(横国大工)
27a-ZX-13 光駆動ローリングマイクロマニピュレータの開発
(横国大工1,JST さきがけ2:丸尾昭二1,2
沖田 昌仁
(筑波大物理工)
量子エレクトロニクス 27a-J-7 半導体レーザー側面励起Nd:YVO4 1.3μm レーザーにおけるラゲールガウスビーム発生
(筑波大物理工,千葉大工2,JST PRESTO3:登内章博2,伊藤雅英,谷田貝豊彦,尾松孝茂2,3
河野 行雄
(理研,JST PRESTO)
量子エレクトロニクス 28p-J-7 カーボンナノチューブ量子ドットにおけるテラヘルツ光子サイドバンドの観測
(理研1,東工大総理工2,JST CREST3:布施智子1,2,内田剛生1,2,石橋幸治1,3
渡邉 紳一
(東大理)
量子エレクトロニクス 29p-J-12 高空間分解能を有する超小型テラヘルツ分光装置の開発
(東大理:島野 亮)
武吉 佑祐
(慶大理工)
光エレクトロニクス 27a-SG-1 パラレル光インターコネクトのための屈折率分布型4chポリマー光導波路
(慶大理工:石榑崇明)
笹川 清隆
(情通機構)
光エレクトロニクス 29p-ZS-17 PPMgLNディスク型光共振器による第三高調波発生
(情通機構:土屋昌弘)
柴田 俊明
(東北大院工)
薄膜・表面 27p-SR-12 ダイアモンドライクカーボンの構造及び摩擦特性に関する計算化学的研究
(東北大院工,JST さきがけ2,東北大未来センター3:三浦隆治,坪井秀行,古山通久,畠山望,遠藤明1,高羽洋充,久保百司1,2,Carlos A. Del Carpio,宮本 明1,3
米谷 匡司
(姫路工大)
薄膜・表面 28p-SV-12 走査型非線形誘電率顕微鏡によるPbTiO3極薄膜のドメイン構造の観察
(姫路工大1,兵庫県大工2:高島慶行2,堀井 通2,藤沢浩訓1,2,清水 勝1,2
山下 隼人
(金沢大自然科学)
薄膜・表面 29a-SL-3 レーザー照射によるAFMカンチレバーの直接駆動
(金沢大自然科学,JST CREST2:内橋貴之1,2,古寺哲幸,宮城 篤,山本大輔2,安藤敏夫1,2
疋田 育之
(東大新領域)
薄膜・表面 29p-ZA-6 SrRuO3/Nb:SrTiO3(100)Schottky接合の内部光電効果測定
(東大新領域,JST さきがけ2:須崎友文,高木英典,Harold Y. Hwang1,2
沼波 政倫
(阪大レーザー研
ビーム応用 28p-A-7 レーザー生成プラズマの強磁場中における膨張
(阪大レーザー研:高田 明,西原功修)
吉森 宏雅
(阪大院工)
ビーム応用 30a-SH-5 透過型電子顕微鏡における動的ホローコーン照明による位相・振幅成分の分離再生
(阪大院工,大阪電通大2:田屋昌樹1,生田孝2,高井義造1
石井 大基
(太陽誘電)
応用物性 27p-Q-11 MgO添加(Ba,Sr)TiO3薄膜のGHz帯域におけるチューナブル特性
(太陽誘電:岩崎誉志紀,森戸健太郎,鈴木利昌,岸 弘志)
難波 雅史
(東北大金研強磁場センター)
超伝導 28a-A-18 BaZrO3添加YBa2Cu3Oy膜の磁束相図
(東北大金研強磁場センター1,京大工2,名大工3,九大工4,東大工5,電中研6,静大工7,JST CREST8:淡路 智1,渡辺和雄1,堀出朋哉2,8,Mele Paolo2,8,松本 要2,8,吉田 隆3,8,向田昌志4,8,堀井 滋5,8,一瀬 中6,8,喜多隆介7,8
桂 ゆかり
(東大院工)
超伝導 28p-L-12 MgB2超伝導体への希土類元素置換効果
(東大院工:岩山 功,山本明保,花房 慶,堀井 滋,下山淳一,岸尾光二)
平野 裕美子
(東大生研)
有機分子・バイオエレクトロニクス 27p-SJ-2 レーザーピックアップ法によるゲルの表面張力測定
(東大生研:美谷周二朗,酒井啓司,高木堅志郎)
丸山 結城
(豊橋技科大)
有機分子・バイオエレクトロニクス 28a-SA-2 フィルタレス蛍光検出センサを用いた二本鎖DNAの定量分析およびリアルタイム蛍光検出
(豊橋技科大,JST CREST2,ISSRC3:高橋英邦2,3,澤田和明1,2,3,石田 誠1,2,3
金 起範
(東工大応セラ研)
有機分子・バイオエレクトロニクス 28a-SK-4 C12A7:e-/Alq3界面の電子注入特性と閾値電圧の低電圧化
(東工大応セラ研1,JST2,東工大フロンティア3:菊池麻依子1,宮川仁3,柳博1,神谷利夫1,2,平野正浩2,細野秀雄1,2,3
尾崎 良太郎
(防衛大)
有機分子・バイオエレクトロニクス 29p-SK-15 弾性表面波型デバイス中の液晶配向変化により生じる伝搬位相変化の解析
(防衛大1,島根大2,武蔵工大3:青木 仁1,吉野勝美2,戸田耕司3,森武 洋1
関谷 毅
(東大工)
有機分子・バイオエレクトロニクス 30a-W-8 有機トランジスタとプラスティック接点スイッチを用いたワイヤレス電力伝送シート
(東大工1,東大VDEC2,東大国際産学3:高宮 真2,野口儀晃1,中野慎太郎1,加藤祐作1,比津和樹1,桜井貴康3,染谷隆夫1
Sanjeewa Dissanayake
(東大工)
半導体A
(シリコン)
27a-SC-2 酸化濃縮法により作製された超薄膜(110)面GOI p-MOSFET
(東大工1,東大新2,東工大理工3:熊谷 寛2,周藤悠介1,菅原 聡3,高木信一1,2
田中 洋毅
(東芝研開セ)
半導体A
(シリコン)
28a-K-11 TEM-EELS法によるゲート/絶縁膜を構成する重元素の局所的な結合状態分析
(東芝研開セ:市原玲華,土屋義規,小山正人,竹野史郎)
桑原 啓
(NTT MI研)
半導体A
(シリコン)
30a-SC-4 RF CMOS-MEMSの検討(1): RF MEMS技術とRF CMOS技術の融合
(NTT MI研1,NTT-AT2:佐藤昇男1,島村俊重1,森村浩季1,小舘淳一1,重松智志1,中西 衛1,亀井敏和2,町田克之2,石井 仁1
草山 育実
(慶大理工)
半導体B
(探索的材料・物性・デバイス)
28a-ZK-10 交互吸着法による多段階発光YAG:Ce3+ナノ粒子/PMMA複合ビーズの作製と生体分子検出への応用
(慶大理工1,滋賀医大2,古河電工3:朝倉 亮1,齊藤大輔1,磯部徹彦1,黒川 清2,会澤英樹3,高木智洋3,平山陽介3,大久保典雄3
上田 公二
(九大院システム情報)
半導体B
(探索的材料・物性・デバイス)
29a-P6-4 Fe3Si/SiGeヘテロエピタキシャル成長に与える基板効果
(九大院システム情報1,京大院エネルギー科学2:熊野 守1,権丈 淳1,佐道泰造1,前田佳均2,宮尾正信1
石塚 尚吾
(産総研太陽光)
半導体B
(探索的材料・物性・デバイス)
29p-ZW-10 Seラジカル源を用いたCu(In1-χGaχ)Se2薄膜の作製と太陽電池特性
(産総研太陽光1,産総研エレ2:柴田 肇2,山田昭政1,櫻井啓一郎1,松原浩司1,仁木 栄1
星乃 紀博
(JAXA宇宙研,東大院工)
結晶工学 28a-N-7 4H-SiCエピ層中の積層欠陥の室温PLマッピング評価
(JAXA宇宙研1,東大院工2,デンソー3:田島道夫1,2,内藤正美3,恩田正一3
旦野 克典
(京大院工)
結晶工学 28a-N-9 4H-SiCにおけるキャリヤ寿命制限因子の検討とキャリヤ寿命制御の試み
(京大院工1,豊田中研2:中村大輔2,木本恒暢1
上田 雅也
(京大院工)
結晶工学 29a-ZM-12 半極性(11-22) GaNバルク基板上InGaN/GaN 発光ダイオードの偏光特性
(京大院工1,日亜化学2:船戸 充1,川上養一1,成川幸男2,向井孝志2
赤羽 浩一
(情通機構)
結晶工学 30p-Q-5 Si(001)基板上面発光デバイスに向けたAlGaSb/AlSb DBR構造の作製
(情通機構:山本直克,牛頭信一郎,上田章雄,土屋昌弘)
大平 圭介
(北陸先端大)
非晶質・微結晶 29p-X-12 フラッシュランプアニールによるアモルファスシリコン薄膜の面内均一結晶化
(北陸先端大1,ウシオ電機2:遠藤洋平2,藤原友子1,西崎昭吾1,柄沢 武2,鳥飼哲哉2,松村英樹1
島田 保
(東大院新領域)
応用物理一般 28a-M-4 弱磁性微粒子の磁場配向過程のその場観察
(東大院新領域1,物材機構2:廣田憲之2,安藤 努1,目 義雄2,和田 仁1
浜屋 宏平
(東大生研)
合同セッションE 30a-ZS-3 単一InAs量子ドット/強磁性電極二重トンネル接合におけるスピン伝導
(東大生研1,東工大応セラ研2,東大先端研3:北畠未来1,増渕 覚1,川村 稔1,M. Jung 1,柴田憲治1,平川一彦1,谷山智康2,石田悟己3,荒川泰彦1,3,町田友樹1
牧 英之
(慶大理工)
合同セッションF 29p-ZR-7 孤立カーボンナノチューブ引っ張り印加素子の開発および発光・形態の直接観察
(慶大理工1,理研2:佐藤徹哉1,石橋幸治2
川原村 敏幸
(京大院工電子)
合同セッションK 28a-ZN-6 Fine Channel Mist CVD法による単結晶ZnO薄膜の作製
(京大院工電子1,セラミックフォーラム2,京大IIC3:西中浩之1,増田喜男2,藤田静雄3

(所属の表記は予稿集掲載内容より引用)
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