第17回（2004年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 佐藤 玄太（東北大院工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 3a-S-10 | ヘリコン波プラズマ支援化学気相成長法によるカーボンナノチューブ形成（東北大院工：加藤俊顕，大原 渡，畠山力三） |
| 山東 悠介（筑波大） | 光 | 1a-ZV-9 | 正射投影図から合成されるfull-color計算機ホログラム（筑波大：伊藤雅英，谷田貝豊彦） |
| 佐藤 倫久（東北大） | 量子エレクトロニクス | 2p-ZD-3 | 2波長同時制御KTP-OPOによるDAST-THz波発生（東北大1，理研フォトダイナミクスセンター2：水津光司1,2，伊藤弘昌1,2） |
| 田中 良典（京大院工） | 量子エレクトロニクス | 3p-ZC-2 | 2次元フォトニック結晶スラブ点欠陥共振器への3次元加工による放射パターンの制御（京大院工：浅野 卓，野田 進） |
| 西嶋 一樹（芝浦工大） | 量子エレクトロニクス | 3p-ZE-14 | 波形整形器を用いたキャリアエンベローブ位相シフトの動的制御（芝浦工大1，産総研2：欠端雅之2，高宮浩影1，高田英行2，小林洋平2，本間哲哉1，高橋英郎1，鳥塚健二2） |
| 大平 和哉（東工大） | 光エレクトロニクス | 1a-ZN-8 | 線幅変調回折格子を有する分布反射型（DR）レーザの低しきい値動作（東工大1，科学技術振興機構2：村山智則1，広瀬誠人1，八木英樹1,2，アニスル・ハク1,2，田村茂雄1，荒井滋久1,2） |
| 近藤 崇（東工大） | 光エレクトロニクス | 1a-ZN-26 | 波長1.2µm高歪GaInAs/GaAs量子井戸面発光レーザの特性改善（東工大：内山泰宏，武田一隆，松谷晃宏，宮本智之，小山二三夫） |
| 石川 善恵（産総研） | 薄膜・表面 | 2p-H-6 | 酸化チタン光触媒反応を用いた活性種輸送システムによる表面処理法の開発（産総研1，熊本大院2：佐々木毅1，越崎直人1，松本泰道2） |
| 前田 真太郎（青学大理工） | 薄膜・表面 | 3a-ZB-7 | イリジウム下地への大面積エピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製 (5)（青学大理工1，トウプラスエンジニアリング2：安藤 豊1，鈴木一博2，澤邊厚仁1） |
| 妹尾 賢（東工大） | 薄膜・表面 | 4a-Y-3 | 強誘電体/ITO構造薄膜トランジスタの電気的特性（東工大：藩 悦，徳光永輔） |
| 金 玄秀（東工大院総理工） | 薄膜・表面 | 4a-Y-7 | 1T2C型強誘電体メモリアレイの作製と評価（東工大院総理工1，新機能素子研究開発協会2：山本修一郎1，石川 徹2，石原 宏1） |
| 桑原 孝介（日立製作所） | ビーム応用 | 2a-R-4 | ナノプリントで形成したナノピラー構造によるポリスチレンビーズのサイズ分離（日立製作所，茨城大院工：青木希仁2，荻野雅彦1，安藤拓司1，長谷川満1，前田邦裕1,2，宮内昭浩1） |
| 一原 主税（神戸製鋼所） | ビーム応用 | 4a-G-2 | 高速高分解能RBSスペクトロメータ用超電導磁石の開発（神戸製鋼所：濱田 衛，井上浩司，和佐泰宏，小林 明，井上憲一） |
| 後藤 崇（東大院工） | 応用物性 | 3p-ZN-4 | チタン酸ビスマスの強誘電相転移と電子構造（東大院工1，物材機構さきがけ2，東大先端研3：高橋尚武1，野口祐二1,2，宮山 勝3） |
| 田中 雅光（名大） | 超伝導 | 2p-F-16 | メモリを搭載した単一磁束量子マイクロプロセッサCORE1の設計（名大1，横国大2：近藤敏明1，河本智浩1，神谷義章1，藤原 完2，中島直希2，山梨裕希2，秋本 彩2，藤巻 朗1，吉川信行2） |
| 塚田 謙一（産総研） | 超伝導 | 3a-F-6 | MOD法によるCeO2/YSZ（100）単結晶基板上YBCO膜の作製と高Ic化（産総研：古瀬充穂，相馬 貢，山口 巖，真部高明，淵野修一郎，熊谷俊弥） |
| 八巻 徹也（原研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 1a-ZW-3 | 架橋ポリテトラフルオロエチレン電解質膜のプロトン伝導特性（原研1，東大院工2：前野武史2，澤田真一2，浅野雅春1，寺井隆幸2，吉田 勝1） |
| 末永 保（東北大） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 2a-N-10 | 真空下及び常圧下で動作する光電子収量分析装置の開発（東北大1，CREST2，名大院理3，名大物質国際研4：佐藤信之1，木村康男1,2，石井久夫1,2，庭野道夫1,2，小松賢市3，金井 要3，関 一彦4） |
| 飯野 裕明（東工大院） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 3p-ZG-6 | フタロシアニン液晶カラムナー相における0.2cm2/Vsの高速電荷輸送（東工大院1，リーズ大2：半那純一1，M Cook2，Bijan Movaghar2，Richard J. Bushby2） |
| 佐藤 祐（富士通研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 4p-ZR-9 | N^C^N三座配位子系白金錯体のりん光特性と有機EL素子化検討（富士通研：外山 弥，木下正兒，児玉 淳，猿渡紀男，井上博史） |
| 小坂 裕子（富士通研） | 半導体A（Si） | 1p-C-1 | Hf系材料とSiO2の界面における原子相互拡散（富士通研：山崎隆浩，金田千穂子） |
| 原田 英浩（東大，中大理工） | 半導体A（Si） | 1p-L-4 | 室温で巨大クーロン振動と高い電圧利得を有するSi単正孔トランジスタ（東大：齋藤真澄，平本俊郎） |
| 大理 洋征龍（東工大院理工） | 半導体A（Si） | 3p-P11-4 | 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術：SBSI（Separation by Bonding Si Islands）—Si島とSi基板間の熱酸化—（東工大院理工：山崎 崇，盛田伸也，袴田佳孝，大見俊一郎，酒井徹志） |
| 峯元 高志（立命館大） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 1a-ZL-5 | 球状Si太陽電池への反射防止膜形成（立命館大1，CV212，東大3：中村俊之2，山口由岐夫3，室園幹夫2，高倉秀行1，濱川圭弘1） |
| 猪俣 裕哉（筑波大） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 2a-P4-26 | MBE法によるSi(111)基板上への半導体Ba1-xSrxSi2 膜のエピタキシャル成長と評価（筑波大1，工学院大2：伊澤孝昌1，末益 崇1，長谷川文夫2） |
| 竹本 一矢（富士通研） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 3p-ZK-6 | InAs/InP単一量子ドットからの通信波長帯単一光子放出（富士通研1，物材機構2，東大3，先端研4：佐久間芳樹2，廣瀬真一1，臼杵達哉1，横山直樹1，宮澤俊之3，高津 求3，荒川泰彦3,4） |
| 成田 哲生（名大工） | 結晶工学 | 2a-W-10 | (111)Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長（名大工：本田善央，山口雅史，澤木宣彦） |
| 福田 和久（日本電気） | 結晶工学 | 4p-W-8 | AIN電流ブロック層を用いた平坦埋め込み成長インナーストライプ青紫色レーザ（日本電気：角野雅芳，松舘政茂，木村明隆，笹岡千秋，西 研一） |
| 菅原 健太郎（北大工） | 非晶質 | 1a-F-6 | STMとAFMによる電気相変化の特性比較（北大工：後藤民浩，田中啓司） |
| 原 双馬（東大） | 応用物理一般 | 2p-E-11 | 強磁場下における銀樹の2次元成長過程の微視的観測（東大1，物材機構2：廣田憲之2，植竹宏往1，中村浩之1，齊藤有紀1，北澤宏一1） |
| 眞田 治樹（東北大） | 合同セッションE | 3p-X-4 | 円偏光励起下における半導体量子井戸中のスピンダイナミクスの電界制御（東北大1，ERATO-JST2，CREST-JST3：松坂俊一郎1，森田 健1,2，大野裕三1,3，大野英男1,2） |
| 森山 悟士（理研，東工大総理工） | 合同セッションF | 4a-Q-4 | カーボンナノチューブ人工原子の電子殻構造と2電子系の形成（理研1，東工大総理工2，JST戦略創造3：布施智子1,2，鈴木正樹1,3，青柳克信2，石橋幸治1,3） |
| 山川 晃司（名大工） | 合同セッションH | 1a-ZH-8 | マイクロ波励起非平衡大気圧プラズマを用いた超高速エッチングプロセス（V）（名大工1，片桐エンジニアリング2，NUエコ・エンジニアリング3：堀 勝1，後藤俊夫1，田 昭治2，片桐俊郎2，加納浩之3） |
| 山尾 美幸（東北大） | 合同セッションK | 1p-X-13 | MgZnO層成長中におけるRHEED強度振動のMg組成依存性（東北大1，科学技術振興機構2：大谷啓太1，Huaizhe XU1，塚崎 敦1，大友 明1，川崎雅司1，大野英男1,2） |
