OYO BUTURI
Vol.88
No.1
2019
1
応用物理 第88巻 第1号 (2019)
スピントロニクス／イメージング技術／半導体プロセス技術
スピントルクによる反強磁性体メモリ動作実証．電流を流すとPtのスピンホール効果によって生じたスピン流がNiO界面に流れこむ．スピン流がNiOに吸収されることでスピントルクが生じ，NiOのスピンは流れ込むスピンと同方向へ回転し，書き込みが完了する．図ではNiOのスピン軸は電流と平行となっているが，この状態とスピン軸と電流が垂直な状態とは異なる電気抵抗を与えるため，情報（NiOのスピン軸方向）の読み取りが可能となる．（p.12参照）
今月号の概要
解説
研究紹介
-
液体Siによる紙の上での多結晶Si薄膜トランジスタPDF
-
半導体製造用ナノインプリントシステムPDF
-
空間分解能・時間分解能ともに高い超解像顕微鏡PDF
-
半導体量産リソグラフィ用レーザー誘起SnプラズマによるEUV光生成PDF
受賞者紹介
-
第45回（2018年秋季）応用物理学会 講演奨励賞受賞者・第12回（2018年秋季）Poster Award受賞ポスター紹介PDF
Science As Art
-
半導体ナノフラワーPDF
焦点
-
応用物理学会は理科教員を輩出しているか？PDF
基礎講座
-
シリーズ「バイオ・メディカルイメージング技術の基礎と応用」PDF
-
メディカルイメージング ─ 陽電子放出断層撮影法（PET）PDF
功労会員の随想
-
功労会員の随想PDF