第57回応用物理学関係連合講演会

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会場名	3月17日（水）		3月18日（木）		3月19日（金）		3月20日（土）
会場名	午前	午後	午前	午後	午前	午後	午前	午後
A 1F-16-101 16号館	13.6 Siデバイス／集積化技術	省エネルギー化社会とフォトニックICT	5.2 光記録	「レーザーディスプレイとその最新光制御技術」	5.3 光制御	5.3 光制御
B 1F-16-102 16号館		13.6 Siデバイス／集積化技術	13.6 Siデバイス／集積化技術	13.6 Siデバイス／集積化技術	13.6 Siデバイス／集積化技術	5.4 光ファイバー
C 2F-16-203 16号館	「半導体プロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション」	「半導体プロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション」	13.7 シミュレーション	13.1 基礎物性・評価	13.1 基礎物性・評価	13.1 基礎物性・評価	13.2 半導体表面	13.2 半導体表面
D 2F-16-204 16号館	13.5 Siプロセス技術	13.5 Siプロセス技術	13.5 Siプロセス技術	13.5 Siプロセス技術	13.4 配線技術	分科内総合講演：13 半導体A（シリコン）分科内総合講演	13.4 配線技術
E 2F-16-205 16号館	4.7 レーザー・プロセッシング	4.7 レーザー・プロセッシング	4.7 レーザー・プロセッシング	4.7 レーザー・プロセッシング	5.1 半導体レーザー・発光/受光素子	5.1 半導体レーザー・発光/受光素子	5.1 半導体レーザー・発光/受光素子
F 2F-16-206 16号館	4.3 レーザー装置・材料	4.3 レーザー装置・材料	4.3 レーザー装置・材料	4.3 レーザー装置・材料	4.4 超高速・高強度レーザー	4.4 超高速・高強度レーザー	4.4 超高速・高強度レーザー	4.4 超高速・高強度レーザー
G 2F-16-207 16号館		1.2 放射線発生装置・理工学応用 1.3　放射線応用・新技術	1.1 放射線物理一般・検出器基礎	放射線分科会企画「Ｘ線イメージングの最前線」	1.1 放射線物理一般・検出器基礎	1.1 放射線物理一般・検出器基礎	1.1 放射線物理一般・検出器基礎
J 3F-16-304 16号館	3.5 情報光学	3.5 情報光学	3.5 情報光学	新画像システム研究会企画「アンコンシャス画像技術とその応用」	3.4 計測光学	「光波センシングを切り拓くイメージング技術の進展」	3.4 計測光学
K 3F-16-305 16号館	3.8 光学新領域	3.2 材料光学	3.1 物理光学・光学基礎	3.4 計測光学	3.6 生体・医用光学	3.6 生体・医用光学	3.6 生体・医用光学	3.6 生体・医用光学
L 3F-16-306 16号館	4.6 レーザー分光応用・計測	4.6 レーザー分光応用・計測	4.1 量子光学・原子光学	4.2 フォトニックナノ構造・現象	4.5 テラヘルツ全般･非線型光学	4.5 テラヘルツ全般･非線型光学	3.3 機器・デバイス光学	3.3 機器・デバイス光学
M 5F-16-503 16号館	4.5 テラヘルツ全般･非線型光学	4.5 テラヘルツ全般･非線型光学	4.5 テラヘルツ全般･非線型光学	応用物理学会THz電磁波技術研究会企画「テラヘルツ光科学の新展開」	4.2 フォトニックナノ構造・現象	4.2 フォトニックナノ構造・現象	4.2 フォトニックナノ構造・現象	4.2 フォトニックナノ構造・現象
N 5F-16-504 16号館	5.3 光制御	35.1 表面プラズモン輻射フォトニクス II	5.3 光制御	「ナノフォトニクスを支えるナノ加工」		エネルギー環境研究会企画「人工光合成を中心とした自然エネルギー利用の実現へ向けて」
会場名	3月17日（水）		3月18日（木）		3月19日（金）ﾂꀀ		3月20日（土）
会場名	午前	午後	午前	午後	午前	午後	午前	午後
R 1F-6A-101 6号館	18.1 応用物理一般	18.1 応用物理一般	18.1 応用物理一般	応用物理教育分科会企画「物理のおもしろさを生徒や学生にいかに伝えるか？　〜中学、高校、大学における"電気・磁気"の授業を中心にして〜」	8.5 プラズマナノテクノロジー（ショート口頭講演）	「光科学技術における人材育成」
S 1F-6A-102 6号館	18.6 資源・環境	18.5 エネルギー変換・貯蔵	18.3 新技術 18.4　トライボロジー	重力応用研究グループ企画「重力場応用研究」	7.2 電子顕微鏡，評価，測定，分析（ショート口頭講演）	衝撃応用研究グループ企画「衝撃現象とその応用物理」
T 1F-6A-105 6号館		18.7 磁場応用	11.3 臨界電流，超伝導パワー応用	11.3 臨界電流，超伝導パワー応用	11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長	11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長
V 1F-6A-106 6号館			11.1 基礎物性	11.1 基礎物性	11.4 アナログ応用および関連技術	11.4 アナログ応用および関連技術
W 1F-6A-107 6号館	7.3 リソグラフィ	7.3 リソグラフィ	7.1 X線技術	レーザー駆動単色量子ビーム発生物理とその応用のフロンティア	7.1 X線技術	7.5 ビーム・光励起表面反応 7.8　ビーム応用一般・新技術
ZA 1F-6A-108 6号館	7.7 微小電子源	7.7 微小電子源	12.4 光機能材料・デバイス		10.3 磁気記録媒体･磁気センサー（ショート口頭講演） 10.4　光･量子スピントロニクス	7.6 イオンビーム一般	7.6 イオンビーム一般	7.6 イオンビーム一般
ZB 1F-6A-109 6号館	2.2 精密計測・ナノ計測	2.3 計測標準	8.1 プラズマ生成･制御	8.1 プラズマ生成･制御	8.3 プラズマ成膜･表面処理	8.3 プラズマ成膜･表面処理	8.3 プラズマ成膜･表面処理
ZC 1F-6A-110 6号館	8.2 プラズマ診断･計測	8.2 プラズマ診断･計測		9.1 誘電材料・誘電体	9.4 熱電変換	9.4 熱電変換	9.5 新機能材料・新物性	9.2 微粒子・粉体
ZD 1F-6A-111 6号館	12.7 生物・医用工学・バイオチップ	12.7 生物・医用工学・バイオチップ	8.4 プラズマエッチング	8.4 プラズマエッチング	12.7 生物・医用工学・バイオチップ	12.7 生物・医用工学・バイオチップ
ZE 1F-6A-112 6号館	12.1 作製技術	12.1 作製技術	12.1 作製技術	12.1 作製技術	12.1 作製技術	12.1 作製技術
ZF 1F-6A-113 6号館	12.10 特定テーマ：ナノバイオテクノロジー	12.10 特定テーマ：ナノバイオテクノロジー	12.10 特定テーマ：ナノバイオテクノロジー	12.2 評価・基礎物性	12.10 特定テーマ：ナノバイオテクノロジー	12.2 評価・基礎物性
ZG 1F-6B-106 6号館	12.6 高分子・ソフトマテリアル（ショート口頭講演）	プラズマエレクトロニクス分科会企画「プラズマとナノ界面の相互作用〜プロセス揺らぎの制御を目指して〜」	12.7 生物・医用工学・バイオチップ	ナノバイオエンジニアリングの現状と未来像	8.6 プラズマ現象･新応用･融合分野（ショート口頭講演）	8　プラズマエレクトロニクス分科内招待講演
ZH 1F-6B-105 6号館	10.1 新物質創生･物性探索	10.1 新物質創生･物性探索	光科学の未来を拓く - Frontier and New Prospects in Optical Science -	光科学の未来を拓く - Frontier and New Prospects in Optical Science -	光科学の未来を拓く - Frontier and New Prospects in Optical Science - （ショート口頭講演）	7.4 ナノインプリント	7.4 ナノインプリント
ZJ 1F-6B-104 6号館	10.2 スピンデバイス・回路・計測技術	10.2 スピンデバイス・回路・計測技術	10.2 スピンデバイス・回路・計測技術	スピントロニクスデバイスの新展開	10.2 スピンデバイス・回路・計測技術	10.2 スピンデバイス・回路・計測技術
ZK 1F-6B-103 6号館	12.9 有機トランジスタ	印刷エレクトロニクスの現状と展望	10.1 新物質創生･物性探索	光学論文賞受賞記念講演	12.8 有機EL	12.8 有機EL	12.8 有機EL	12.8 有機EL
ZL 1F-6B-102 6号館	12.4 光機能材料・デバイス	プラズモニクスと分子制御	12.3 電子機能材料・デバイス	12.3 電子機能材料・デバイス	12.3 電子機能材料・デバイス	12.3 電子機能材料・デバイス	12.3 電子機能材料・デバイス	12.3 電子機能材料・デバイス
ZM 1F-6B-101 6号館	11.1 基礎物性	超伝導分科会企画「超伝導で"進む"未来技術の最新動向〜超伝導の物流・交通への展開〜」	12.9 有機トランジスタ	12.9 有機トランジスタ	12.9 有機トランジスタ（ショート口頭講演）	12.9 有機トランジスタ	12.9 有機トランジスタ	12.9 有機トランジスタ
ZN 1F-6C-104 6号館	12.5 液晶（ショート口頭講演）	半導体計測・評価技術（３） - 最先端プロセスの要求に応える計測評価技術の進展	Ｘ線による埋もれた固液界面の精密科学の可能性	Ｘ線による埋もれた固液界面の精密科学の可能性
会場名	3月17日（水）		3月18日（木）		3月19日（金）ﾂꀀ		3月20日（土）
会場名	午前	午後	午前	午後	午前	午後	午前	午後
TA 講堂松前記念館			15.4 III-V族窒化物結晶	15.4 III-V族窒化物結晶		応用物理学会，日本工学アカデミー共同企画　20年後を見据える科学技術人材育成「グローバルに活躍する自立型女性・若手研究者/技術者」
TB 1F-2N-101 2号館	15.4 III-V族窒化物結晶	15.4 III-V族窒化物結晶			15.4 III-V族窒化物結晶	15.4 III-V族窒化物結晶
TC 1F-2E-102 2号館	15.4 III-V族窒化物結晶	15.4 III-V族窒化物結晶	15.4 III-V族窒化物結晶	15.4 III-V族窒化物結晶	15.4 III-V族窒化物結晶		17.3 新機能探索・基礎物性評価	17.3 新機能探索・基礎物性評価
TD 1F-2E-101 2号館	ナノカーボン材料の最新動向：グラフェン、ナノチューブ、フラーレン	ナノカーボン材料の最新動向：グラフェン、ナノチューブ、フラーレン	17.2 構造制御・プロセス	17.2 構造制御・プロセス	17.4 デバイス応用	17.3 新機能探索・基礎物性評価	17.4 デバイス応用	17.4 デバイス応用
TE 1F-2W-101 2号館	14.5 半導体光物性・光デバイス		17.1 成長技術	17.1 成長技術	17.1 成長技術	17.1 成長技術 17.4　デバイス応用	14.5 半導体光物性・光デバイス	14.5 半導体光物性・光デバイス
TF 1F-2W-102 2号館	14.5 半導体光物性・光デバイス	多元系化合物のナノ領域・界面キャラクタリゼーション - CIGSの物性・デバイス評価の基礎と応用 -	14.5 半導体光物性・光デバイス	14.5 半導体光物性・光デバイス	14.5 半導体光物性・光デバイス	日本学術振興会第145委員会・第161委員会・第175委員会企画「薄型結晶Si系太陽電池の進展」	14.5 半導体光物性・光デバイス	14.5 半導体光物性・光デバイス
TG 1F-14-103 14号館	16.1 基礎物性・評価	16.1 基礎物性・評価	16.3 シリコン系太陽電池	16.3 シリコン系太陽電池	16.3 シリコン系太陽電池	ランダム系フォトエレクトロニクス研究会企画「ナノ構造・粒子分散系の光物性」	16.3 シリコン系太陽電池
TJ 2F-14-201 14号館	15.6 IV族系化合物（ショート口頭講演）	15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶	15.6 IV族系化合物（ショート口頭講演）	6.4 薄膜新材料	6.4 薄膜新材料	機能性酸化物研究グループ企画「機能性酸化物における評価技術：なにがどこまでわかるのか？」	6.4 薄膜新材料	6.4 薄膜新材料
TK 2F-14-202 14号館			14.5 半導体光物性・光デバイス	14.5 半導体光物性・光デバイス	14.4 超高速・機能デバイス	「2020縲鰀30年代のナノエレクトロニクスデバイスの本命を考える」	14.4 超高速・機能デバイス	14.4 超高速・機能デバイス
TL 2F-14-203 14号館	合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」	合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」	合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」	合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」	6.1 強誘電体薄膜	「「強誘電体薄膜の最近の進展」メモリからエネルギー、セキュア用途へ！」
TM 2F-14-204 14号館	14.2 超薄膜・量子ナノ構造（ショート口頭講演）		14.2 超薄膜・量子ナノ構造（ショート口頭講演）	14.1 探索的材料物性	合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」	合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
TN 3F-14-302 14号館		「大型真空システムの現状と今後の展開」	16.1 基礎物性・評価	16.2 プロセス技術・デバイス	14.1 探索的材料物性	14.1 探索的材料物性
TQ 3F-14-304 14号館	6.3 酸化物エレクトロニクス	6.3 酸化物エレクトロニクス	6.3 酸化物エレクトロニクス	6.3 酸化物エレクトロニクス	6.3 酸化物エレクトロニクス	6.3 酸化物エレクトロニクス	6.3 酸化物エレクトロニクス
TR 3F-14-305 14号館	6.1 強誘電体薄膜	6.1 強誘電体薄膜	6.1 強誘電体薄膜	6.1 強誘電体薄膜	薄膜・表面物理分科会企画「ナノ材料・デバイスのためのプローブ顕微鏡技術」	薄膜・表面物理分科会企画「ナノ材料・デバイスのためのプローブ顕微鏡技術」	6.6 プローブ顕微鏡
TS 3F-14-306 14号館	6.6 プローブ顕微鏡	「ナノスケール分光法による顕微評価・解析技術の最前線」	6.6 プローブ顕微鏡	6.6 プローブ顕微鏡	14.3 プロセス技術・界面制御	14.3 プロセス技術・界面制御	15.7 エピタキシーの基礎
TV 3F-14-307 14号館	15.1 バルク結晶成長	15.1 バルク結晶成長	6.2 カーボン系薄膜	6.2 カーボン系薄膜	6.2 カーボン系薄膜	6.2 カーボン系薄膜	6.2 カーボン系薄膜
TW 3F-14-310 14号館	15.3 III-V族エピタキシャル結晶	15.3 III-V族エピタキシャル結晶	15.3 III-V族エピタキシャル結晶	15.3 III-V族エピタキシャル結晶	15.3 III-V族エピタキシャル結晶	15.2 II-VI族結晶	15.8 結晶評価，ナノ不純物・結晶欠陥	15.8 結晶評価，ナノ不純物・結晶欠陥