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1 放射線
1.1 放射線物理一般・検出器基礎
1.2 放射線発生装置・理工学応用
1.3 放射線応用・新技術
2 計測・制御
2.1 計測・制御技術
2.2 精密計測・ナノ計測
2.3 計測標準
3 光
光学論文賞受賞記念講演
3.1 物理光学・光学基礎
3.2 材料光学
3.3 機器・デバイス光学
3.4 計測光学
3.5 情報光学
3.6 生体・医用光学
3.7 近接場光学
3.8 光学新領域
4 量子エレクトロニクス
4.1 量子光学・原子光学
4.2 フォトニックナノ構造・現象
4.3 レーザー装置・材料
4.4 超高速・高強度レーザー
4.5 テラヘルツ全般・非線型光学
4.6 レーザー分光応用・計測
4.7 レーザー・プロセッシング
5 光エレクトロニクス
5.1 半導体レーザー・発光/受光素子
5.2 光記録
5.3 光制御
5.4 光ファイバー
6 薄膜・表面
6.1 強誘電体薄膜
6.2 カーボン系薄膜
6.3 酸化物エレクトロニクス
6.4 薄膜新材料
6.5 表面物理・真空
6.6 プローブ顕微鏡
7 ビーム応用
7.1 X線技術
7.2 電子顕微鏡,評価,測定,分析
7.3 リソグラフィ
7.4 ナノインプリント
7.5 ビーム・光励起表面反応
7.6 イオンビーム一般
7.7 微小電子源
7.8 ビーム応用一般・新技術
8 プラズマエレクトロニクス
プラズマエレクトロニクス分科内招待講演
8.1 プラズマ生成・制御
8.2 プラズマ診断・計測
8.3 プラズマ成膜・表面処理
8.4 プラズマエッチング
8.5 プラズマナノテクノロジー
8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野
9 応用物性
9.1 誘電材料・誘電体
9.2 微粒子・粉体
9.3 ナノエレクトロニクス
9.4 熱電変換
9.5 新機能材料・新物性
10 スピントロニクス・マグネティクス
10.1 新物質創生・物性探索
10.2 スピンデバイス・回路・計測技術
10.3 磁気記録媒体・磁気センサー
10.4 光・量子スピントロニクス
11 超伝導
11.1 基礎物性
11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長
11.3 臨界電流,超伝導パワー応用
11.4 アナログ応用および関連技術
11.5 接合,回路作製プロセスおよびデジタル応用
12 有機分子・バイオエレクトロニクス
12.1 作製技術
12.2 評価・基礎物性
12.3 電子機能材料・デバイス
12.4 光機能材料・デバイス
12.5 液晶
12.6 高分子・ソフトマテリアル
12.7 生物・医用工学・バイオチップ
12.8 有機EL
12.9 有機トランジスタ
12.10 特定テーマ:ナノバイオテクノロジー
13 半導体A(シリコン)
分科内総合講演
13.1 基礎物性・評価
13.2 半導体表面
13.3 絶縁膜技術
13.4 配線技術
13.5 Siプロセス技術
13.6 Siデバイス/集積化技術
13.7 シミュレーション
14 半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
14.1 探索的材料物性
14.2 超薄膜・量子ナノ構造
14.3 プロセス技術・界面制御
14.4 超高速・機能デバイス
14.5 半導体光物性・光デバイス
15 結晶工学
15.1 バルク結晶成長
15.2 II-VI族結晶
15.3 III-V族エピタキシャル結晶
15.4 III-V族窒化物結晶
15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶
15.6 IV族系化合物
15.7 エピタキシーの基礎
15.8 結晶評価,ナノ不純物・結晶欠陥
16 非晶質・微結晶
16.1 基礎物性・評価
16.2 プロセス技術・デバイス
16.3 シリコン系太陽電池
17 ナノカーボン
17.1 成長技術
17.2 構造制御・プロセス
17.3 新機能探索・基礎物性評価
17.4 デバイス応用
18 応用物理一般
18.1 応用物理一般
18.2 教育
18.3 新技術
18.4 トライボロジー
18.5 エネルギー変換・貯蔵
18.6 資源・環境
18.7 磁場応用
合同セッション
合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」