合同セッション

17a-TL - 1～11

• 1第一原理計算による(Sr,A^II)Cu₂O₂ (A^II=Ca, Ba)の相の安定性の評価龍谷大理工 ^○小島康雅，前田　毅，和田隆博
• 2 セラミックス固相法によるIn_2-XGa_XZnO_4-δ固溶系の研究富士フイルム ^○梅田賢一，田中　淳，鈴木真之
• 3 InGaZnO₄単結晶薄膜の作製と電気特性評価富士フイルム ^○奈良裕樹，高田真宏，梅田賢一，望月文彦，田中　淳，鈴木真之
• 4 Cu-Mn/In-Ga-Zn-O薄膜の反応界面における組織学的分析東北大院工 ^○（D）尹　弼相，小池淳一
• 5 大型基板におけるIGZOのTFT特性アルバック ^○倉田敬臣，柳　佳宏，磯部辰徳，赤松泰彦，新井　真，清田淳也，石橋　暁，斎藤一也
• 6 水素プラズマ処理と水蒸気熱処理によるIGZO TFTの特性改善東京農工大工¹，大日本印刷^{2 ○}水谷勇太¹，鮫島俊之¹，甕　克行²，在原慶太²，前田博己²
•  休憩　10:30～10:45
• 7 液相プロセスによるIn-Ga-Zn-O,In-Zn-O TFTの作製富士フイルム ^○梅田賢一，平井博幸，東　耕平，南宮麻紀，田中　淳
• 8 IGZO-TFT活性層上のGaO層の効果富士フイルム ^○中山昌哉，板井雄一郎，多田　宏，今井真二，三島康由
• 9 高Ga濃度IGZO TFTの可視光照射時における光安定性富士フイルム ^○濱　威史，望月文彦，田中　淳，鈴木真之
• 10 アモルファス酸化物ＴＦＴと高分子有機ＴＦＴを用いたＣＴＦＴインバータの特性評価龍谷大理工¹，東工大応セラ研²，セイコーエプソン^{3 ○（M2）}中西　孝¹，長谷川貴之¹，酒見真理子¹，木村　睦¹，野村研二²，神谷利夫²，細野秀雄²，青木　敬³
• 11 SnOの両極性とpn接合作製東工大¹，山梨大² 小郷洋一¹，柳　　博²，神谷利夫¹，^○細野秀雄¹
•  昼食　12:00～13:00

17p-TL - 1～16

• 1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのホモエピ成長東北大多元研 ^○澤井　泰，天池宏明，羽豆耕治，秩父重英
• 2 ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのMgZnO/ZnOヘテロ構造形成東北大多元研 ^○秩父重英，澤井　泰，天池宏明，羽豆耕治
• 3 GaドープZnMgoにおけるキャリア密度のMg組成依存性II東理大 ^○井股風太，大須賀弘樹，湊　諭司，古川昭雄
• 4 スパッタZnO薄膜の作製時における酸素原子の役割埼玉大学理工研 ^○森田　彩，金　　杰，白井　肇
• 5 UHVスパッタリング法によるZnO単結晶層の成長（V）電機大工¹，ブルカー・エイエックスエス^{2 ○}吉田圭佑¹，田中洋平¹，朝倉健太郎¹，松山孝之¹，長江智美¹，篠田宏之¹，六倉信喜¹，森岡　仁²，斉藤啓介²
• 6 UHVスパッタリング法によるZnO単結晶層の成長（VI）電機大工¹，ブルカー・エイエックスエス^{2 ○（M1）}田中洋平¹，吉田圭佑¹，植田祐己¹，大野翔太¹，長江智美¹，松山孝之¹，篠田宏之¹，六倉信喜¹，森岡　仁²，斎藤啓介²
• 7 高分子熱分解グラファイトシート上の電着法による酸化亜鉛薄膜の成長和歌山大システム工 ^○高松謙一，石井良典，宇野和行，田中一郎
• 8 電気化学堆積法による微細電極上ZnO成長阪府大・工 ^○近藤雄祐，能津直哉，芦田　淳，吉村　武，藤村紀文
•  休憩　15:00～15:15
• 9 PLD法を用いたZnO結晶成長に対する電圧印加の効果名工大院工 ^○安部功二，西江良太
• 10 不純物添加がZnO薄膜の極性に及ぼす影響物材機構 ^○安達　裕，大橋直樹，坂口　勲，羽田　肇，大西　剛，上田茂典，吉川英樹，小林啓介
• 11 第一原理計算によるZnO極性表面の安定水素終端構造と酸素極性表面からのZnO成長機構の検討物材機構¹，東北大工^{2 ○}伊藤清太郎¹，島崎智実²，久保百司²，鯉沼秀臣¹，角谷正友¹
• 12 ZnO基板上へのHVPE-MgZnO膜の成長および特性評価東京エレクトロン¹，ローム²，東京農工大院^{3 ○}吉井直樹¹，藤井哲雄²，増田　塁³，熊谷義直³，纐纈明伯³
• 13 HVPE法によるMgZnO成長における混晶組成制御ローム¹，農工大²，東京エレクトロン^{3 ○}藤井哲雄^1,2，吉井直樹³，増田　塁²，熊谷義直²，纐纈昭伯²
• 14 ZnO薄膜のMOCVD成長と熱処理効果愛媛大院理工¹，愛媛大工²，香川高専^{3 ○}寺迫智昭¹，山中貴裕¹，束村　将²，宮田　晃²，矢木正和³，白方　祥¹
• 15 大気圧CVD法で作製されたZnO薄膜のバンド端発光の温度依存性香川高専¹，愛媛大院理工^{2 ○}谷口浩太¹，寺迫智昭²，平良啓介²，矢木正和¹，白方　祥²
• 16 大気圧CVD法によるr面サファイア基板上へのZnO薄膜の成長とGaCl₃供給効果愛媛大院理工¹，香川高専²，愛媛大工^{3 ○}平良啓介¹，谷口浩太²，栗林聖介³，寺迫智昭¹，宮田　晃³，矢木正和²，白方　祥¹

18a-TL - 1～11

• 1SiOx成膜用マイクロプラズマジェットチャンバーを用いたZnO薄膜の成膜埼玉大学 ^○潘　清涛，白井　肇
• 2 スピンコーティング法によるZnO 薄膜の低温合成京都工繊大¹，和歌山大^{2 ○}蓮池紀幸¹，原田朋恵¹，清原　徹¹，木曽田賢治²，播磨　弘¹
• 3 酸化亜鉛薄膜の大気作製プロセス宮崎大工¹，東ソーファインケム^{2 ○（M1）}竹元裕仁¹，小嶋　稔¹，吉野賢二¹，豊田浩司²，稲葉孝一郎²，羽賀健一²，徳留功一²
• 4 LBMO/ZｎO積層膜形成における下層ZnOの膜質の自己改善三重大工学¹，タテホ化学²，金沢工大^{3 ○}遠藤民生¹，吉井竜也¹，森川圭祐¹，郭　　翔¹，庭野一久²，遠藤和弘³
• 5 LBMO/ZnO積層膜の作成と配向性三重大学¹，豊島製作所²，産総研(つくば)^{3 ○}遠藤民生¹，上原賢一¹，森川圭祐¹，吉井竜也¹，本林秀文²，土屋哲男³
•  休憩　10:15～10:30
• 6 In₂O₃単結晶薄膜の電子濃度制御東北大金研¹，東工大院工²，東北大WPI材料機構³，JST-CREST^{4 ○}小田聖翔¹，奥出正樹¹，大友　明^1,2，川崎雅司^1,3,4
• 7 超音波噴霧CVD法によるITO薄膜の低抵抗化首都大SD研究科 ^○川崎裕介，鈴木貴宏，伊藤　功，佐々木亮太，菅原宏治
• 8 水素ドーププラズマスパッタITO膜の電子状態九工大院工¹，遼寧工大²，福岡大³，物材機構⁴，筑波大⁵，九共大^{6 ○}岡田浩一¹，羅　蘇寧^1,2，古曵重美¹，香野　淳³，田尻恭之³，新井正男⁴，三留正則⁴，関場大一郎⁵，生地文也⁶
• 9 二酸化スズ系透明導電膜の電気的・光学的特性宮崎大工 ^○小嶋　稔，吉野賢二
• 10 耐熱性を持つSbを添加したSnO₂透明導電膜の作製九工大 ^○岸川雄祐，植田和茂
• 11 シード層を用いたNb:SnO₂透明導電膜の作製KAST¹，東大院理²，東北大^{3 ○}中尾祥一郎^1,2，山田直臣¹，一杉太郎^1,3，廣瀬　靖^1,2，島田敏宏^1,2，長谷川哲也^1,2
•  昼食　12:00～13:00

18p-TL - 1～16

• 1 二元スパッタ法で形成したNb:TiO₂透明導電膜の特性NTT MI研 ^○赤沢方省
• 2 ZnO、GZO透明導電膜の熱的安定性NTT MI研 ^○赤沢方省
• 3 蛍光ＸＡＦＳ法によるＧａドープＺｎＯ透明導電膜の局所構造解析高知工科大総研¹，JASRI/SPring-8^{2 ○}牧野久雄¹，三宅亜紀¹，山田高寛¹，山本直樹¹，陰地　宏²，本間徹生²，山本哲也¹
• 4 反応性プラズマ蒸着法により成膜したGa添加ZnO薄膜における真性欠陥の制御高知工大総研 ^○山田高寛，牧野久雄，山本直樹，山本哲也
• 5 GZO透明導電膜におけるIn微量添加による耐湿性の向上ハクスイテック¹，高知工大総研^{2 ○}千住　晶¹，黒岩信幸¹，山本泰生¹，山田高寛²，牧野久雄²，山本直樹²，山本哲也²
• 6 アルカリ性化学薬液のGa添加ZnO透明導電薄膜の電気特性および光学特性への影響高知工科大総研 ^○山本直樹，大曽根聡，牧野久雄，山田高寛，山本哲也
• 7 マグネトロンスパッタ法により作製されるZnO系透明導電膜の成膜初期制御による特性改善金沢工大 小田純一，^○野本淳一，上田　修，宮田俊弘，南　内嗣
• 8 ZnO系透明導電膜における電気的特性の安定性の比較検討金沢工大　O.E.D.S. R&Dセンター ^○野本淳一，小長井学，平野友康，宮田俊弘，南　内嗣
•  休憩　15:00～15:15
• 9 ICP合成によるZnO透明導電膜の広帯域光透過率特性茨城大院理工 ^○吉田善紀，柳澤真也，佐藤直幸，池畑　隆
• 10 RF Plasmaアシスト直流スパッタリングによりPET基板上に作製したGZO透明導電膜鳥取大院工¹，尾池工業²，鳥取大電子ディスプレイ研^{3 ○}檜木利雄^1,2，安倉秀明²，矢沢健児²，木下健太郎^1,3，大観光徳^1,3，岸田　悟^1,3
• 11 ポリエステル基板上へのGa添加酸化亜鉛(GZO)成膜とGZO薄膜の特性リンテック　研究所¹，高知工科大　総研^{2 ○}永元公市¹，松林由美子¹，近藤　健¹，山田高寛²，牧野久雄²，山本直樹²，山本哲也²
• 12 酸化亜鉛透明電極上に作成した脂肪酸LB膜のIR-RAS産総研 杉本　崇，^○池上敬一，吉山孝志，前島圭剛，柴田　肇，反保衆志，仁木　栄
• 13 マイクロLFB超音波材料解析システムを用いたZnO単結晶の抵抗率分布評価東北大学大学院工学研究科 ^○吉田　翔，大橋雄二，荒川元孝，櫛引淳一，坂上　登
• 14 ZnO中点欠陥の第一原理電気伝導計算富士通研¹，北陸先端大^{2 ○}實宝秀幸¹，大淵真理¹，尾崎泰助²
• 15 ZnO焼結体の発光に対する水素プラズマ処理効果岡山大学院自然 ^○竹中千尋，石山　武，上浦洋一，山下善文
• 16 イオン照射法によるp型CドープZnO薄膜の形成と磁性特性評価名工大院工¹，香港理工大学^{2 ○}赤池裕平¹，林　　灯¹，林　靖彦¹，種村眞幸¹，Lau S. P.²

19a-TM - 1～11

• 1分子線エピタキシャル成長した酸化亜鉛薄膜の放射線耐性大阪工大ナノ材研¹，若狭湾エネ研^{2 ○}天野武志¹，小池一歩¹，佐々誠彦¹，矢野満明¹，權田俊一¹，石神龍哉²，久米　恭²
• 2 原子層堆積（ALD）法によるAl₂O₃およびZnO薄膜の成膜と薄膜トランジスタへの応用奈良先端大¹，CREST^{2 ○（M2）}川村悠実¹，浦岡行治^1,2
• 3 スパッタリング法で成膜したZnO薄膜の光学特性とTFT応用京大工¹，高知工大ナノデバイス研^{2 ○}鎌田雄大¹，藤田静雄¹，川原村敏幸²，平松孝浩²，松田時宜²，古田　守²，平尾　孝²
• 4 溶液ゲート酸化亜鉛系トランジスターの微細化とpH検出特性大阪工大ナノ材研 ^○（M1）辻久美穂，小池一歩，尾形健一，佐々誠彦，井上正崇，矢野満明
• 5 ZnOナノロッドを用いたグルコースのアンペロメトリー検出大阪工大ナノ材研¹，クラークソン大工^{2 ○（M1）}土橋秀章¹，尾形健一¹，Paul Russel²，小池一歩¹，前元利彦¹，佐々誠彦¹，矢野満明¹，井上正崇¹
•  休憩　10:15～10:30
• 6 Zn_xSn_1-xO_y薄膜トランジスタの開発日立中研¹，日立金属^{2 ○}若菜裕紀¹，河村哲史¹，内山博幸¹，栗田ふみ²，福島英子²
• 7 ﾊﾞｲｱｽ電圧印加PLD法により作製したn-ZnO/p-Siﾍﾃﾛ接合のI-V特性秋田県大システム科学 ^○（B）駒澤祐樹，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山　隆
• 8 PLD法により作製した酸化亜鉛MIS構造のI-V特性秋田県大システム科学 ^○（B）藤島正英，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山　隆
• 9 ミスト法を用いた新規エッチング手法の開発高知工大 ナノ研 ^○川原村敏幸，平松孝浩，平尾　孝
• 10 水素プラズマ処理による酸化亜鉛ナノ構造の紫外線発光特性の向上東大工 ^○内納亮平，李　嚴波，時園岳朗，酒造正樹，山田一郎，ジャンジャック ドロネー
• 11 自己組織化によるナノワイヤ架橋構造を用いた深紫外線センサの開発東大工¹，東大工²，東大工³，東大工⁴，NIMS⁵，NIMS⁶，東大工⁷，東大工^{8 ○}時園岳朗¹，李　嚴波²，内納亮平³，酒造正樹⁴，廖　梅勇⁵，小出康夫⁶，山田一郎⁷，ジャン＝ジャック ドロネー⁸
•  昼食　12:00～13:00

19p-TM - 1～16

• 1 基板温度変化におけるIr_xSn_1-xO_y薄膜の物性変化宮崎大工¹，ホンダロック^{2 ○}原田　瞬¹，吉野賢二¹，河野慶彦²，清　文博²
• 2 Crを添加したSnO₂粉末の構造及び室温強磁性評価東京海洋大応物¹，弓削商船高専²，広島商船高専^{3 ○}徐　　坤¹，和泉　充¹，柳沢修実²，井田徹哉³
• 3 ミストCVD法によるSnO₂薄膜の作製京大院工 ^○奥野剛也，大島孝仁，藤田静雄
• 4 c面サファイア基板上α-Ga₂O₃薄膜の断面TEM観察京大院工 ^○（M2）金子健太郎，藤田静雄
• 5 β-Ga₂O₃の発光に対するCrイオンの効果千歳科学技術大学 ^○若井宏文，新谷優太，山中明生
• 6 Au-Ga₂O₃ショットキーフォトダイオードの特性石巻専修大理工 ^○（M2）鈴木理紀也，中込真二，國分義弘
• 7 Ga₂O₃紫外線センサの作製と連続監視システムへの応用日本軽金属¹，京都大学^{2 ○}竹田　聡¹，新井直樹¹，小林　恭¹，樋野治道¹，大島孝仁²，藤田静雄²
• 8 PLD法によるMn添加γ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の作製京大工¹，JFCC^{2 ○}林　博之¹，Rong Huang²，大場史康¹，田中　功¹
•  休憩　15:00～15:15
• 9 Cd粉末とH₂Oを原料に用いた大気圧CVD法によるCdOナノロッドの作製(II)愛媛大院理工¹，愛媛大工²，香川高専^{3 ○}寺迫智昭¹，藤原哲郎²，宮田　晃²，矢木正和³，白方　祥¹
• 10 水溶液からのZnOナノロッド成長とそのPL特性大阪工大ナノ材研 ^○（PC）尾形健一，土橋秀章，小池一歩，佐々誠彦，井上正崇，矢野満明
• 11 コロイダル酸化亜鉛量子ドットの合成と光学特性阪大院工¹，京都工繊大^{2 ○}小俣孝久¹，高橋和之¹，橋本真一¹，野瀬勝弘¹，松尾伸也¹，金折賢二²
• 12 ZnSの熱酸化により成長したGa添加Zn系酸化物の時間分解フォトルミネッセンス早大理工¹，静大工^{2 ○}貫井貴夫¹，楊　　卿²，久木野史宣²，安田隆人²，立岡浩一²，和泉壮太朗¹，佐伯　悠¹，竹内　淳¹
• 13 酸化亜鉛のフォトルミネッセンス・スペクトルの磁場依存性産総研¹，物材機構^{2 ○}柴田　肇¹，今中康貴²，高増　正²，竹端寛治²，反保衆志¹，前島圭剛¹，石塚省吾¹，山田昭政¹，仁木　栄¹
• 14 ZnO薄膜における励起子－励起子散乱発光寿命の発光エネルギー依存性阪大院工¹，阪大 CASI-VBL²，阪府大院理³，阪市大院工^{4 ○}若生周治¹，市田秀樹²，溝口幸司³，金　大貴⁴，兼松泰男^1,2，中山正昭⁴
• 15 Zn(Mg,Cd)O混晶の励起子モデルによる光学特性解析静大創造科技院¹，静大電研^{2 ○（D）}山本兼司¹，中村篤志²，天明二郎^1,2
• 16 金属/CdZnO量子井戸ヘテロ界面における動的光学応答東大工 ^○松井裕章，野村　航，八井　崇，大津元一，田畑　仁