17. ナノカーボン
17.1 成長技術
3月18日 9:30～18:45 会場：2号-TE
18a-TE - 1～11
- 1“サブマリン”型基板加熱法によるカーボンナノチューブ合成熊大院自然 百田 寛，岩本知広，○横井裕之
- 2 安定な熱CVDによるカーボンナノチューブの合成名工大1，アイクストロン2 ○飯島 徹1，三宅雅人2，小沼賢二郎2，阿部勝義2，佐藤正之2，林 靖彦1
- 3 450℃以下でのコバルトからの単層カーボンナノチューブの成長日本工大工 福田一博，三浦拓也，山本拓司，○石川 豊
- 4 アルコール熱ＣＶＤ法に基づく単層カーボンナノチューブの低温成長装置の開発東洋大工1，立山マシン2 ○仲 健太1，内田貴司1，内山英史2，浅地豊久2，吉田善一1
- 休憩 10:30～10:45
- 5 ホットイオン注入形成Fe微結晶粒子を種触媒とするCNT生成法の研究神奈川大学理 ○中田穣治，有馬広記，星野 靖，斎藤保直
- 6 カーボンナノチューブ合成にむけたGe触媒の評価電機大工1，情報通研2 ○前田 信1，赤羽浩一2，山本直克2，菅野敦史2，高井裕司1
- 7 断面TEM-EELS法によるカーボンナノチューブ成長触媒分析MIRAI-selete ○川端章夫，中野美尚，村上 智，大道智美，佐藤元伸，百島 孝，佐藤信太郎，二瓶瑞久，粟野祐二
- 8 分散したダイヤモンドナノ粒子による石英基板上での単層カーボンナノチューブ成長東理大理1，NTT物性基礎研2 ○山田一希1，高木大輔2，本間芳和1
- 9 フラーレンを成長核に用いたカーボンナノチューブ合成NTT物性基礎研1，阪大院工2，東理大理3 ○高木大輔1，前田文彦1，日比野浩樹1，小林慶裕2，本間芳和3
- 10 カーボンナノチューブ成長におけるプラズマ前処理の効果MIRAI-Selete ○中野美尚，佐藤信太郎，川端章夫，村上 智，大道智美，二瓶瑞久，粟野祐二
- 11 アルコール化学気相成長法によるカーボンナノチューブ合成におけるバッファー層の影響豊田工大院 ○（M1）松岡佑樹，吉村雅満
- 昼食 12:30～13:30
18p-TE - 1～20
- 1 グラフェン/SiC(000-1)界面超構造の相転移九大院工 ○（M2）チェンダー スレイ，田中 悟
- 2 4H-SiC(0001)表面の精密ステップ制御と超高真空炭化処理によるエピタキシャル・グラフェン成長温度依存性関学大 ○牛尾昌史，森田駿佑，松田一宏，大谷 昇，金子忠昭
- 3 ラマンマッピングによる4H-SiC上グラフェンの均一性評価関学大 ○吉井 新，牛尾昌史，大谷 昇，金子忠昭，玉井尚登
- 4 SiC上数層グラフェンの断面TEM観察NTT物性基礎研 ○永瀬雅夫，日比野浩樹，影島博之，山口浩司
- 5 炭化反応が駆動する少数層グラフェン上のSiナノ粒子の移動ＮＴＴ物性基礎研 ○日比野浩樹，影島博之，永瀬雅夫，山口浩司
- 6 エピタキシャルグラフェンへの置換型ホールドーピング東工大総理工 ○（M1）小此木佑太，青木悠樹，平山博之
- 7 エタノールを用いたガスソースMBE によるグラフェンの成長 -Si 酸化膜, サファイア, グラフェン上への試行-ＮＴＴ物性基礎研 ○前田文彦，日比野浩樹
- 8 微傾斜SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの異方的成長モード九大院工1，ＮＴＴ基礎研2 ○田中 悟1，森田康平1，上原直也1，日比野浩樹2
- 9 エピタキシャルグラフェン/Ti テープを用いた SiO 2 /Si 基板上への大面積グラフェン転写プロセス福井大･工1，九大院工2，NTT 物性基礎研3 ○寺崎博満1，橋本明弘1，森田康平2，田中 悟2，日比野浩樹3
- 10 SiO2/Si 基板上大面積転写エピタキシャルグラフェン層のラマン散乱分光法評価福井大･工1，九大院工2，NTT 物性基礎研3 ○寺崎博満1，橋本明弘1，森田康平2，田中 悟2，日比野浩樹3
- 11 S i C ( 0 0 0 1 )面上に形成されるグラフェン島の理論検討ＮＴＴ物性基礎研 ○影島博之，日比野浩樹，永瀬雅夫，山口浩司
- 休憩 16:15～16:30
- 12 300nm以上のドメインサイズをもつ4H-SiC(0001)上の高品質モノグラフェン阪大工院 ○服部 梓，岡本武志，定国 峻，村田順二，有馬健太，佐野泰久，遠藤勝義，山内和人
- 13 グラフェン・オン・シリコン形成過程のLEED, XPS観察東北大1，CREST/JST2，日本原子力研究開発機構3 ○高橋良太1，宮本 優1，半田浩之1，斎藤英司1，今泉 京1，吹留博一1，末光眞希1,2，寺岡有殿3，吉越章隆3
- 14 グラフェン・オン・シリコン構造の断面TEM観察東北大通研1，東北大金研2，CREST/JST3 ○半田浩之1，宮本 優1，高橋良太1，阿部峻佑1，今泉 京1，齋藤英司1，伊藤 俊2，吹留博一1，末光眞希1,3
- 15 グラフェン・オン・シリコンプロセスの昇温脱離法による評価東北大通研1，JST/CREST2 ○阿部峻佑1，半田浩之1，宮本 優1，高橋良太1，吹留博一1，末光眞希1,2
- 16 酸素添加によるSiC表面グラフェン化プロセスの低温化東北大学1，CREST/JST2，日本原子力研究開発機構3 ○今泉 京1，高橋良太1，宮本 優1，半田浩之1，斉藤英司1，吹留博一1，末光眞希1,2，寺岡有殿3，吉越章隆3
- 17 uc-3C-SiC薄膜の熱分解多層グラフェン形成の熱分解時間依存性静大電子研 ○（M1）野木 努，宮坂悠太，松山明弘，中村篤志，田中 昭，天明二郎
- 18 エピタキシャル触媒上でのCVDによるグラフェン成長九大工1，九大先導研2，JST さきがけ3，九大院総理工4 ○伊藤由人1，吾郷浩樹1,2,3，辻 正治1,2，水野清義4
- 19 低圧力CVDによる小数層グラフェンの成長理研 ○塩川高雄，石橋幸治
- 20 多温度ゾーンCVD法によるグラフェン層状成長阪大院工応物1，阪大産研2 ○根岸良太1，平野博紀1，小林慶裕1，大野恭秀2，前橋兼三2，松本和彦2
17.1 成長技術
3月19日 9:45～15:30 会場：2号-TE
19a-TE - 1～10
- 1瞬間冷却を利用した単層グラフェンのCVD合成名大院理 ○宮田耕充，加門慶一，北浦 良，篠原久典
- 2 常圧プラズマCVDによるグラフェン成膜東北大学電気通信研究所1，積水化学工業2 ○中西国博1，松本光正1，稲吉陽平1，村重正悟1，中嶋節男2，上原 剛2，吹留博一1，末光眞希1
- 3 熱CVD法によるスパッタアルミナ薄膜/SiO2/Si基板上へのグラフェン成長日立材料研1，東北大学多元研2，東洋大学バイオ・ナノエレ研究センタ3 ○岡井 誠1,2，徳本久美子2，京谷 隆2，徳田正秀3，筒井 謙3，和田恭雄3
- 4 光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェン成長(5): Ar希釈CH4濃度依存東北大多元研1，CREST-JST2，富士通3 角 治樹1，○小川修一1,2，佐藤元伸2,3，二瓶瑞久2,3，高桑雄二1,2
- 5 光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェン成長(6)：結晶性の基板バイアス電圧依存東北大多元研1，CREST-JST2，富士通3 ○小川修一1,2，角 治樹1，佐藤元伸2,3，二瓶瑞久2,3，高桑雄二1,2
- 休憩 11:00～11:15
- 6 アルコールCVD法による単層/多層グラフェン成長静大電研 ○（B）宮坂悠太，松山明弘，野木 努，中村篤志，天明二郎
- 7 液体ガリウムを用いた多層グラフェンの形成とその電気特性PRESTO-JST1，筑波大数理2，産総研3 ○宮澤陽介1,2，植木竜一1,2，佐々木未央1，斉藤 毅3，藤田淳一1,2
- 8 酸化グラフェンの還元条件による導電性変化東大院工 ○浅野裕之，霜垣幸浩
- 9 電気泳動堆積法による酸化グラフェン薄膜の作製東大院新領域1，東大院理2 ○米澤康弘1，金森由男2
- 10 種々の還元剤による酸化グラフェンの還元東大院理1，東大院新領域2 ○田中弘成1，小幡誠司1，佐藤裕樹2，斉木幸一朗1,2
- 昼食 12:30～13:30
19p-TE - 1～8
- 1 分光エリプソメトリによるカーボンナノウォール成長のその場観察名大院工1，片桐エンジニアリング2，名城大理工3 ○安田幸司1，近藤真悟1，山川晃司2，近藤博基1，平松美根男3，関根 誠1，堀 勝1
- 2 グラフェンを用いたカーボンナノウォールの位置選択的成長横浜国大 ○関野 諒，齋藤健志，塚本貴広，荻野俊郎
- 3 マイクロ波プラズマ化学気相成長カーボンナノウォールの水素エッチング効果豊田工大院工 ○（M1）鈴木誠也，吉村雅満
- 4 多孔質材料に担持したSn/Fe触媒を用いた細線CNCのCVD合成豊橋技科大1，東海カーボン2，湘南合成樹脂製作所3，東邦ガス4 ○（M1）瀧本幸太郎1，横田真志1，リン リム シュ1，須田善行1，滝川浩史1，植 仁志2，清水一樹3，梅田良人4
- 5 カーボンナノコイル成長の担持材質依存性阪大院工 ○中田健人，平原佳織，中山喜萬
- 6 収束電子線照射で生成されたニッケルナノ粒子によるアモルファスカーボン薄膜のグラファイト化東理大工 ○（D）相川慎也，木津たきお，西川英一
- 7 窒素内包フラーレン高効率合成のための電位構造形成東北大院工 ○金子俊郎，宮長 淳，石田裕康，畠山力三
- 8 C60ナノウィスカーの成長測定NIMS 堀田賀洋子，○宮澤薫一
- 9〜1915:45〜18:30（17.4 デバイス応用）
