16. 非晶質・微結晶

18a-TG - 1～11

• 1薄膜太陽電池用a-Si:H層のエリプソメトリー評価岐阜大学　未来太陽光センター ^○蔭山翔太，藤原裕之
• 2 プラズマCVDにより作製した μc-Si:H層の誘電関数モデル岐阜大学　未来太陽光センター ^○蟹江陽介，藤原裕之
• 3 a-Si:H/透明導電膜テクスチャー構造のエリプソメトリー解析岐阜大学　未来太陽光センター ^○（B）赤川真隆，藤原裕之
• 4 エリプソメトリー傾斜測定による結晶Siテクスチャー上のa-Si:H層評価岐阜大学　未来太陽光センター ^○（B）渡邊公司，藤原裕之
• 5 KFMによるa-Si:H太陽電池の表面電位評価岐大工 ^○酒井崇志，中島慎一，Ｔｉｎｇ Ｚｈａｎｇ，伊藤貴司，夏原宗大，野々村修一
• 6 微結晶シリコン薄膜の欠陥密度分布評価阪大基礎工 ^○（M1C）岩田大裕，田中路子，傍島　靖，外山利彦，佐田千年長，松田彰久，岡本博明
•  休憩　11:30～11:45
• 7 薄膜Si太陽電池の特性向上に向けたp型μc-Si:H薄膜成長プロセスの検討阪大院基礎工 ^○（M1）釜鳴志朗，永井智之，山内宏哉，Chantana Jakapan，傍島　靖，外山利彦，佐田千年長，松田彰久，岡本博明
• 8 リモートプラズマＣＶＤ法による微結晶シリコン薄膜におけるドーパントの影響東京農工大工 ^○吉葉修平，小林慶至，上迫浩一
• 9 単結晶Ge基板を用いたへテロ接合型太陽電池の作製に向けた基板洗浄の検討東工大院 総理工¹，産総研 太陽光^{2 ○（D）}金子哲也¹，近藤道雄^1,2
• 10 微結晶シリコン薄膜太陽電池特性に対する熱処理効果阪大院基礎工 ^○（M1C）筒井裕一，窪田　祐，Chantana Jakapan，傍島　靖，外山利彦，佐田千年長，松田彰久，岡本博明
• 11 n-i-p型微結晶Si_1-xGe_x:H太陽電池における基板表面形状の影響東海大工¹，産総研^{2 ○}高田知幸¹，松井卓矢²，齋　　均²，磯村雅夫¹，近藤道雄²
•  昼食　13:00～14:00

18p-TG - 1～14

• 1 キャスト法成長した多結晶シリコン中の軽元素分布明大理工¹，神奈川県産技セ²，兵庫県立大³，豊田工大^{4 ○（M1）}石塚貴英^1,2，小椋厚志¹，新船幸二³，大下祥雄⁴，小野春彦²
• 2 多結晶Si中の軽元素および析出物のミクロ分布神奈川県産技セ¹，明大理工²，兵庫県立大³，豊田工大^{4 ○}小野春彦¹，加藤千尋¹，石塚貴英^1,2，新船幸二³，大下祥雄⁴，小椋厚志²
• 3 多結晶Siにおける欠陥近傍の顕微フォトルミネッセンス解析JAXA宇宙研¹，総研大²，明治大^{3 ○}岩田恭彰^1,2，池邊正俊^1,3，豊田裕之¹，田島道夫¹
• 4 局所的光熱分光測定による多結晶シリコン材料の評価東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○（D）}原　賢二¹，高橋琢二^1,2
• 5 鉄不純物マッピングを目指した顕微メスバウア分光装置静岡理工科大¹，島津製作所² 吉田　豊¹，^○（M1）市野将弘¹，早川一生¹，行平憲一¹，副島啓義^1,2
•  休憩　15:15～15:30
• 6 複合種結晶を用いた多結晶Siの成長と転位発生メカニズムの解明東北大金研¹，NTNU^{2 ○（D）}高橋　勲¹，宇佐美徳隆¹，沓掛健太朗¹，Gaute Stokkan²，森下浩平¹，中嶋一雄¹
• 7 擬似単結晶Niテープ上へのエピタキシャルSi薄膜作製の試み鹿児島大 ^○土井俊哉，紙屋貴浩，白樂善則
• 8 放射光X線トポグラフィによる太陽電池用多結晶Si基板中の格子歪みの観察阪大院工¹，高輝度光科学研究センター²，物材機構^{3 ○}松宮拓也¹，下川大輔¹，細井卓治¹，志村考功¹，梶原堅太郎²，陳　　君³，関口隆史³，渡部平司¹
• 9 シリコンバルク多結晶の結晶成長過程における欠陥発生機構の解明東北大金研 ^○（M2）阿部匠朗，沓掛健太朗，藤原航三，宇佐美徳隆，中嶋一雄
• 10 多結晶シリコン基板中に存在するΣ9粒界の応力分布と粒界構造の評価明治大¹，県立大²，豊田工大^{3 ○（M2）}立花福久¹，増田純一¹，新船幸二²，大下祥雄³，小椋厚志¹
•  休憩　16:45～17:00
• 11 Alドープ多結晶シリコンインゴットの品質評価東京農工大工¹，住友化学^{2 ○}伴　直樹¹，Marwan Dhamrin¹，Lingwei Goh¹，恵　智裕²，田渕　宏²，三枝邦夫²，上迫浩一¹
• 12 一方向性凝固炉を用いた太陽電池用高純度多結晶シリコンの結晶成長九大応力研¹，産総研^{2 ○}高　　冰¹，陳　雪江¹，中野　智¹，西澤伸一²，柿本浩一¹
• 13 ダイヤモンドワイヤーにより切断した基板で作製した単結晶シリコン太陽電池の特性ノリタケカンパニーリミテド¹，産総研^{2 ○}青山貴征¹，近藤庸市¹，高遠秀尚²，坂田　功²
• 14 ダイヤモンドワイヤーにより切断した基板を用いた高効率多結晶シリコン太陽電池の作製ノリタケカンパニーリミテド¹，ノリタケスーパーアブレーシブ²，産総研^{3 ○}青山貴征¹，近藤庸市¹，松本智寛²，高遠秀尚³，坂田　功³

19a-TG - 1～8

• 1シリコン太陽電池における三フッ化塩素ガス及び酸溶液によるテクスチャ化の検討成蹊大院工 ^○幸畑隼人，三田隆裕，門馬　正，齋藤洋司
• 2 金属触媒作用によるシリコン表面への構造転写と反射率の低減阪大産研 ^○大仲亜由美，高橋昌男，岩佐仁雄，小林　光
• 3 Ｓｉナノワイヤーアレイによる太陽電池表面の光吸収効率の改善日本アイ・ビー・エム、東京基礎研究所 ^○中村　肇
• 4 水素リモートプラズマによる太陽電池用シリコン基板のテクスチャ形成と評価東京農工大・工 ^○（M1）小川圭祐，角野史弥，マルワン ダムリン，上迫浩一
•  休憩　11:00～11:15
• 5 H原子によるシリコンの表面クリーニングにおけるPH₃添加の効果北陸先端大 ^○宮本素明，小山晃一，大平圭介，松村英樹
• 6 結晶シリコンにおけるシリコン窒化膜パッシベーションの熱アニール効果東京農工大工 ^○（M1）古市和也，前田修平，鈴木秀紀，マルワン ダムリン，須田正則，上迫浩一
• 7 太陽電池用Cat-CVDアルミナパッシベーション膜の作製と評価神奈川工科大電気電子工学専攻 ^○立原誠之，會澤洋太朗，齋藤直之，荻田陽一郎
• 8 Cat-CVD SiN_x/i-a-Si積層膜によるSi基板のパッシベーション効果北陸先端大マテリアル ^○（DC）小山晃一，大平圭介，松村英樹

20a-TG - 1～11

• 1薄膜シリコン太陽電池の光閉じ込めにおける表面及び裏面テクスチャの影響産総研 ^○齋　　均，近藤道雄
• 2 光硬化樹脂を用いた薄膜シリコン太陽電池用テクスチャ形状の検討日本合成化学工業¹，帝人デュポンフィルム²，きもと³，三菱ガス化学⁴，東芝機械⁵，産総研^{6 ○}勝間勝彦¹，西尾　玲²，野辺丈司³，徳丸照高⁴，萩原明彦⁵，山本千津子⁶，柄澤　稔⁶，増田　淳⁶，近藤道雄⁶
• 3 スパッタリング法により形成した太陽電池用透明電極の電気光学特性東ソー　東研 ^○内海健太郎，倉持豪人，飯草仁志
• 4 有機-無機ハイブリッドフィルムを用いたスーパーストレート型薄膜シリコン太陽電池の作製と特性住友ベークライト¹，産業技術総合研究所^{2 ○}井上雄介¹，楳田英雄¹，山本千津子²，増田　淳²，近藤道雄²
• 5 新型Si系薄膜太陽電池の構造と高効率に関する検討琉球大学¹，同志社大学^{2 ○}陳　　訳¹
• 6 SPICEダイオードモデルを用いた単接合太陽電池の温度特性解析宮崎大工 ^○（P）太田靖之，西岡賢祐
•  休憩　10:30～10:45
• 7 シリコンナノワイヤー太陽電池の作製東京農工大院・工 ^○内山　悠，冨塚吉博，舞鴫和也，古市和也，ダムリン マルワン，上迫浩一
• 8 シリコン量子ドット超格子太陽電池への酸素添加効果東工大院理工¹，東工大太陽光発電研究センター^{2 ○（P）}黒川康良¹，山田　繁¹，宮島晋介¹，山田　明^1,2，小長井誠^1,2
• 9 第3世代太陽電池用Ge量子ドット超格子膜の成長東工大工¹，東工大院理工²，東工大太陽光発電研究センター^{3 ○（B）}和田英敏¹，宮島晋介²，山田　明^2,3，小長井誠^2,3
• 10 エピタキシャルCaF₂/Si量子ドット構造の光電流測定東工大院総理工 ^○大木　洋，渡辺正裕
• 11 量子化学計算手法を用いたSiナノドット/SiC界面の電子構造解析東北大院工¹，東北大未来^{2 ○}広瀬　祥¹，三浦隆治¹，鈴木　愛²，坪井秀行¹，畠山　望¹，遠藤　明¹，高羽洋充¹，久保百司¹，宮本　明^2,1