15. 結晶工学

17p-TJ - 1～15

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  SiGeミキシング誘起溶融成長法による無欠陥/高移動度GOI(Ge on Insulator)の形成九大・院システム情報 ^○都甲　薫，田中貴規，大田康晴，坂根　尭，横山裕之，黒澤昌志，川畑直之，佐道泰造，宮尾正信
• 2 SiGeミキシング誘起溶融成長法による超巨大単結晶GOIの電気的特性九大・院システム情報 ^○大田康晴，田中貴規，都甲　薫，宮尾正信
• 3 SiGeミキシング誘起溶融成長法における単結晶GOIの屈折成長九大・院システム情報 ^○坂根　尭，田中貴規，大田康晴，都甲　薫，宮尾正信
• 4 人工単結晶核を用いたSiGeミキシング誘起溶融成長法　-GOI(Ge on Insulator)の方位制御-九大･院システム情報 ^○横山裕之，川畑直之，坂根　尭，大田康晴，田中貴規，黒澤昌志，都甲　薫，佐道泰造，宮尾正信
• 5 Si(110)表面構造のオフ角依存性阪大院基礎工¹，コバレントマテリアル² 山下　鎮¹，山本　昌¹，^○中村芳明¹，吉川　純¹，酒井　朗¹，豊田英二²，佐藤元樹²，磯貝宏道²，泉妻宏治²
• 6 Si基板上に選択エピタキシャル成長したGe細線の歪緩和過程阪大院基礎工¹，IMEC²，JASRI/SPring-8³ 海老原洪平¹，原田進司¹，吉川　純¹，中村芳明¹，^○酒井　朗¹，Gang Wang²，Matty Caymax²，今井康彦³，木村　滋³，坂田修身³
• 7 貼り合わせGOI基板におけるGe/SiO₂界面構造の熱処理依存性阪大院基礎工¹，コバレントマテリアル^{2 ○}吉武　修¹，吉川　純¹，中村芳明¹，酒井　朗¹，豊田英二²，磯貝宏道²，泉妻宏治²
• 8 四探針型Pseudo-MOSトランジスタ法を用いた貼り合せGOI基板の電気特性評価阪大基礎工¹，コバレントマテリアル^{2 ○}中村芳明¹，岩崎裕司¹，吉川　純¹，酒井　朗¹，佐藤元樹²，豊田英二²，磯貝宏道²，泉妻宏治²
•  休憩　16:00～16:15
• 9 Ge濃縮層/SiGe層/Si(100)構造の形成と素子応用山梨大クリスタル研¹，東京都市大学^{2 ○（M2）}奥村景星¹，中川清和¹，有元圭介¹，山中淳二¹，佐藤元樹¹，井上樹範¹，澤野憲太郎²，白木靖寛²
• 10 Al₂O₃PDAによる酸化濃縮SiGe-On-Insulator 基板中の欠陥制御九大総理工¹，九大KASTEC^{2 ○}井餘田昌俊¹，池浦奨悟¹，楊　海貴²，王　　冬²，中島　寛²
• 11 酸化濃縮法により作製したSGOI中の圧縮ひずみと酸化前基板構造の関係東京大工¹，JSTさきがけ^{2 ○}富山健太郎¹，Sanjeewa Dissanayake¹，竹中　充^1,2，高木信一¹
• 12 選択的イオン注入法により作製された一軸性歪みSiGeの歪み状態に与えるメサエッチの影響東京都市大¹，山梨大²，東北大^{3 ○}星　裕介¹，澤野憲太郎¹，山田淳矩¹，永倉　壮¹，有元圭介²，宇佐美徳隆³，中川清和²，白木靖寛¹
• 13 熱処理の歪みSi_1-yC_y/Siヘテロ構造と素子特性に与える影響山梨大大学院¹，東京都市大学²，日立国際電気^{3 ○}長葭一利¹，佐藤元樹¹，井上樹範¹，伊藤章弘¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，澤野憲太郎²，白木靖寛²，森谷　敦³，井ノ口泰啓³，国井泰夫³
• 14 低抵抗コンタクト形成へ向けたGeへのSbデルタドーピングとその偏析現象東京都市大¹，九大院シス情²，JSTさきがけ^{3 ○}澤野憲太郎¹，星　裕介¹，笠原健司²，山根一高²，浜屋宏平^2,3，宮尾正信²，白木靖寛¹
• 15 正孔有効質量への圧縮および伸長歪みの影響山梨大クリスタル研 ^○有元圭介，中川清和