14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

19a-TK - 1～11

• 1再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs nMOSFETの電流電圧特性東工大院理工 ^○若林和也，金澤　徹，斉藤尚史，寺尾良輔，池田俊介，宮本恭幸，古屋一仁
• 2 Al₂O₃ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネルn-MOSFETの電気特性東工大院理工 ^○寺尾良輔，金澤　徹，斉藤尚史，若林和也，池田俊介
• 3 InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送の理論的解析東理大院基礎工 ^○渡邉久巨，本間嵩広，竹岸孝之，原　紳介，藤代博記
• 4 MOVPEin situ AlPパッシベーション層の膜厚最適化によるGaAs MOSの界面準位低減東大院工¹，東大先端研^{2 ○}寺田雄紀¹，霜垣幸浩¹，竹中　充¹，高木信一¹，中野義昭^1,2，杉山正和¹
• 5 Si基板上へ転写したInP系HBTの動作東工大電子物理 ^○磯谷優治，小林　嵩，山口裕太郎，宮本恭幸，古屋一仁
• 6 Siキャップ層による歪みGeチャネルの歪み安定性向上東京都市大総研¹，Warwick大^{2 ○}那須賢太郎¹，澤野憲太郎¹，星　裕介¹，榑林　徹¹，ミロノフ マクシム²，白木靖寛¹
•  休憩　10:45～11:00
• 7 ナノゲートIn_0.7Ga_0.3As/InAs/In_0.7Ga_0.3AsコンポジットチャネルHEMT中の電子輸送に関するモンテカルロ計算情報通信研究機構¹，富士通研^{2 ○}遠藤　聡¹，渡邊一世¹，広瀬信光¹，三村高志^1,2，松井敏明¹
• 8 HEMTにおけるゲート電極形状と寄生遅延要因との関係東北大通研 ^○赤川啓介，福田俊介，末光哲也，尾辻泰一
• 9 縦型InGaAsチャネルMISFETの極微細メサに向けた選択的ウェットエッチング東工大院理工 ^○齋藤尚史，楠崎智樹，松本　豊，宮本恭幸，古屋一仁
• 10 SiO₂細線埋め込みInP/InGaAs DHBTの作製東工大理工 ^○小林　嵩，鈴木裕之，武部直明，宮本恭幸，古屋一仁
• 11 高感度ミリ波検波用GaAsSbバックワードダイオード富士通研 ^○高橋　剛，佐藤　優，中舎安宏，廣瀬達哉，原　直紀

20a-TK - 1～11

• 1AlGaN混晶の表面フェルミ準位と深い準位北大量集センター¹，JST-CREST²，三重大³ 久保俊晴¹，菅原克也¹，^○橋詰　保^1,2，武富浩幸³，三宅秀人³，平松和政³
• 2 AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の評価北陸先端大 ^○田中成明，鈴木寿一
• 3 AlGaNおよびGaN上に作製したALD-Al₂O₃絶縁ゲート構造の光応答特性北大院量集センター¹，JST-CREST^{2 ○}水江千帆子¹，堀　祐臣¹，橋詰　保^1,2
• 4 Zr/Al/Mo/Auをショットキー電極に用いたGaNダイオードの熱処理効果福井大工¹，シャープ² 國塩直樹¹，畑野舞子¹，渡辺史直¹，^○葛原正明¹，矢船憲成²
• 5 プラズマCVD酸化膜を用いたGaN MOSFET徳大工¹，サムコ^{2 ○}中谷克俊¹，祖川雄司¹，金　栄現¹，敖　金平¹，大野泰夫¹，宮下準弘²，本山慎一²
• 6 デュアルゲートAlGaN/GaN HEMTにおける表面リーク電流と表面状態の関係北大量集センター¹，JST-CREST^{2 ○}田島正文¹，橋詰　保^1,2
•  休憩　10:30～10:45
• 7 AlGaN/GaN HFET電流コラプスにおける光照射の影響徳島大院ソシテク研 ^○黒田健太郎，井川裕介，光山健太，敖　金平，大野泰夫
• 8 リセスゲート構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス東芝セミコンダクター社 ^○齋藤　渉，垣内頼人，齋藤泰伸，野田隆夫，藤本英俊，吉岡　啓，大野哲也
• 9 AlGaN/GaN HEMTの表面制御によるコラプス改善住友電気工業¹，住友電工デバイス・イノベーション^{2 ○}荒谷　毅¹，駒谷　務²，石井和明²，舘野泰範¹
• 10 Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性名工大 ^○（M1）永井一弘，鈴江隆晃，セルバラージ ローレンス，江川孝志
• 11 分極電荷中和構造ノーマリオフGaN MIS-HFET のオン抵抗分析NECナノエレ研 ^○遠藤一臣，大田一樹，岡本康宏，安藤裕二，宮本広信，嶋脇秀徳
•  昼食　12:00～13:00

20p-TK - 1～8

• 1 GaAs(111)面上のヘテロ構造内の電子伝導とピエゾ抵抗効果豊田工大 ^○米倉健二，坂下大樹，秋山芳広，大森雅登，榊　裕之
• 2 GaNとSiCパワーデバイスの損失限界産総研 ^○清水三聡，中島　昭
• 3 GaN-HEMTを逆直列接続した双方向スイッチのスイッチング損失に関する検討産総研ESERL ^○井手利英，中島　昭，清水三聡
• 4 フィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTにおけるラグ現象と電流コラプスの解析（２）芝浦工大システム工 ^○小野寺啓，中島　敦，堀尾和重
• 5 GIT構造を持つAlGaN/GaN HEMTのデバイスシミュレーションによる解析東理大¹，産総研^{2 ○}長南紘志¹，井手利英²，清水三聡²，中西久幸¹
• 6 MOCVD法による4インチSi基板上へのInAlN/GaN HEMT構造の作製とその特性評価日本ガイシ¹，名工大^{2 ○}角谷茂明¹，前原宗太¹，杉山智彦¹，市村幹也¹，倉岡義孝¹，三好実人¹，田中光浩¹，江川孝志²
• 7 周期的トレンチ構造を形成したAlGaN/GaN HEMTの試作と評価北大量集センター¹，北大院情²，JST-CREST^{3 ○}大井幸多^1,2，橋詰　保^1,2,3
• 8 AlGaN/GaN HEMTに於けるソース・ドレイン電極間短縮の検討 (II)情報通信研究機構¹，富士通研^{2 ○}山下良美¹，渡邊一世¹，遠藤　聡¹，広瀬信光¹，松井敏明¹，三村高志^1,2