13. 半導体A（シリコン）

18a-C - 1～9

• 1シリコン量子細線MOSFETにおける電子-変調音響フォノン相互作用のゲート電圧依存性に関する理論研究名大院工¹，阪大院工²，JST, CREST^{3 ○}服部淳一^1,3，宇野重康^1,3，森　伸也^2,3，中里和郎¹
• 2 極微細MOSFETにおける発熱過程の過渡解析シミュレーション阪大院工¹，早大理工²，JST-CREST^{3 ○}鎌倉良成^1,3，図師知文²，渡邉孝信²，森　伸也^1,3，谷口研二¹
• 3 古典的分子動力学シミュレーションを用いたシリコンナノワイヤ中の熱伝導解析京大院工¹，UCSB材料物性工^{2 ○}三枝琢己¹，鷹尾祥典¹，江利口浩二¹，斧　高一¹，太田裕朗²
• 4 単結晶シリコンの二次元化による電子状態とピエゾ抵抗物性の影響立命大R-GIRO¹，立命大理工^{2 ○}中村康一¹，鳥山寿之²，杉山　進¹
•  休憩　10:30～10:45
• 5 Si/SiO₂界面におけるパーオキサイド由来のリーク電流増大の第一原理的解析サイバネットシステム ^○井上鑑孝，臼井信志
• 6 サブバンド表現に基づいた原子論的量子輸送シミュレーション阪大院工¹，JST CREST² ゲナディ ミリニコフ^1,2，^○森　伸也^1,2，鎌倉良成^1,2
• 7 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  弾道輸送GAA-MOSFETにおけるI-V特性コンパクトモデル名大院工¹，阪大院工²，科学技術振興機構, CREST^{3 ○}沼田達宏^1,3，宇野重康^1,3，中里和郎¹，ゲナディ ミリニコフ^2,3，鎌倉良成^2,3，森　伸也^2,3
• 8 λ-V_GMOSFETモデルを用いた20nmCMOSインバータ遅延の解析京都工繊大 ^○井上史貴，廣木　彰，冨山賢司，中出育成
• 9 簡易デバイスシミュレーション、インバースモデリングのためのMOS構造への2次元イオン注入分布解析モデル富士通研¹，富士通マイクロ^{2 ○}鈴木邦広¹，田辺　亮²