13. 半導体A（シリコン）

13.6 Siデバイス／集積化技術

3月17日　9:00～12:00　　会場：16号-A

17a-A - 1～8

  • 1「第10回応用物理学会業績賞（研究業績）受賞記念講演」（50分）
    集積化シリコン微細MOSFETの高電界効果に関する先駆的研究と産業技術への応用研究    日立総合計画研究所研究顧問 ○武田英次
  •  休憩　9:50～10:00
  • 2 プロセス条件依存性によるしきい値ばらつき原因解析MIRAI-Selete1，広島市立大2，東大生研3 ○角村貴昭1，西田彰男1，矢野史子1，竹内　潔1，稲葉　聡1，蒲原史朗1，寺田和夫2，平本俊郎1,3，最上　徹1
  • 3 S/D付近の高濃度領域によるVthばらつきの異常基板バイアス依存性東大生研1，MIRAI-Selete2 ○山戸一郎1，平本俊郎1,2
  • 4 SRAMにおける読み/書き込みマージン一括自己修復手法東大生研1，中大2 ○鈴木　誠1,2，更屋拓哉1，清水　健1，桜井貴康1，平本俊郎1
  •  休憩　10:45～11:00
  • 5 抵抗変化素子を用いたばらつき補償CMOSゲート東工大院総理工1，東工大院理工2 ○山本修一郎1，菅原　聡1,2
  • 6 TiNメタルゲートFinFETのばらつき評価産総研エレ部門 ○遠藤和彦，大内真一，石川由紀，Y. Liu，松川　貴，坂本邦博，塚田順一，山内洋美，昌原明植
  • 7 RTNトラップ個数のゲート電圧依存性NECエレクトロニクス ○南雲俊治，竹内　潔，横川慎二，今井清隆，林　喜宏
  • 8 MOSFETの界面準位におけるキャリア捕獲過程揺らぎの直接観測島根大総理工1，半導体先端テクノロジーズ2 ○胡　　明1，森村祐太1，最上　徹2，土屋敏章1

13.6 Siデバイス／集積化技術

3月17日　13:00～17:15　　会場：16号-B

17p-B - 1～16

  • 1Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートの光応答特性広大院 ○森澤直也，池田弥央，中西　翔，川浪　彰，牧原克典，東清一郎，宮崎誠一
  • 2 スパッタSiC膜を用いたMISメモリ東京農工大院工1，大阪府大産学官2 ○岩崎慶士1，長谷川宏巳1，河村裕一2，井上直久2，須田良幸1
  • 3 Zero Vth Ferroelectric(Fe)-NAND Flash Memory Cellによるリードディスターブ特性、プログラムディスターブ特性およびデータ保持特性の改善東大工1，産総研2 ○（M2）畑中輝義1，高橋光恵2，酒井滋樹2，竹内　健1
  • 4 Fe(Ferroelectric)-NANDフラッシュメモリの負電圧ステップダウン消去法東京大学工学系研究科1，産業技術総合研究所2 ○（M2）矢島亮児1，畑中輝義1，高橋光恵2，酒井滋樹2，竹内　健1
  • 5 Ferroelectric-NAND フラッシュメモリ向け1.2V動作アダプティブチャージポンプ東大工1，産総研2 ○野田晋司1，畑中輝義1，高橋光恵2，酒井滋樹2，竹内　健1
  • 6 0.5V動作強誘電体6T-SRAM東大工1，産総研2 ○田中丸周平1，畑中輝義1，矢島亮児1，高橋光恵2，酒井滋樹2，竹内　健1
  • 7 シリコン中の非オーミック輸送領域における大きな磁気抵抗効果京大化研1，NIMS2 ○マイケル デルモ1，葛西伸哉2，小林研介1，小野輝男1
  • 8 The effect of anneal ambient on switching property with Pt/TiO2/Pt structure広大院 ○Guobin Wei，大田晃生，牧原克典
  • 9 Ta2O5/TiO2積層構造を用いたバイポーラ型ReRAMの多値動作化及び低電圧化NEC デバプラ研 ○寺井真之，迫坪行広，小辻　節，波田博光
  •  休憩　15:15～15:30
  • 10 不揮発性TiOx/TaSiOy固体電解質スイッチの銅配線内への集積化技術NEC デバプラ研1，ＮＩＭＳ2 ○多田宗弘1，阪本利司1，伴野直樹1，石田伸二1，斎藤幸重1，矢部裕子1，波田博光1，青野正和2
  • 11 宇宙線中性子起因ソフトエラーにおける核反応生成二次陽子及びアルファ粒子の影響九大院総理工1，筑波大院数物2，半導体理工学研究センター3 ○安部晋一郎1，渡辺幸信1，佐野伸行2，戸坂義春3，筒井将史3，古田博伺3，今村　健3
  • 12 エレクトロメカニカルシミュレーションによるNEMSメモリのスケーリング特性東工大量子ナノエレ研セ1，サザンプトン大2，東工大院理工3，SORST-JST4 ○永見　佑1,4，土屋良重2,4，水田　博2,3,4，内田　建3,4，小田俊理1,4
  • 13 MEMS円形アクチュエータを用いたRF 可変インダクタの検討東工大統合研究院 ○白根篤史，水落　裕，天川修平，石原　昇，益　一哉
  • 14 静電型MEMS発電機の電極間ギャップが出力に及ぼす効果NTTマイクロシステムインテグレーション研究所 ○小野一善，佐藤昇男，島村俊重，宇賀神守，佐藤康博
  • 15 MEMS封止膜形成における溝幅依存性NTT-AT1，NTT MI研2 ○亀井敏和1，小野一善2，松島隆明1，桑原　啓2，高河原和彦2，工藤和久1，矢野正樹1，佐藤昇男2，佐藤康博2，町田克之1
  • 16 チップ間/チップ内無線通信のためのフロントエンド用 10 dB 2.6-8 GHz CMOS LNAの開発広大RNBS ○アフリーン アズハリ，佐々木信雄，外谷昭洋，久保田慎一，吉川公麿

13.6 Siデバイス／集積化技術

3月18日　9:00～17:30　　会場：16号-B

18a-B - 1～11

  • 1ゲートトンネル分光による薄膜SOI-MOSFET内サブバンド観測NTT物性研 ○登坂仁一郎，西口克彦，小野行徳，影島博之，藤原　聡
  • 2 強磁場印加による(110) pMOSFETサブバンド構造の直接的観測東工大院理工1，東工大量子ナノエレ研セ2，PREST-JST3 ○高橋綱己1，山端元音1，小木　純1，小寺哲夫2，小田俊理2，内田　建1,3
  • 3 高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価東大院工電気系1，日立ハイテクノロジーズ2 ○趙　　毅1，松本弘昭2，佐藤岳志2，小山　晋2，竹中　充1，高木信一1
  • 4 二軸引張りひずみSi MOS電子・正孔反転層における界面電荷・基板不純物によるクーロン散乱に与える影響の統一的な物理機構東大院工電気系 ○趙　　毅，竹中　充，高木信一
  • 5 歪みによる(110)面極薄SOI MOSFET正孔移動度向上の物理的起源東大生研 ○清水　健，更屋拓哉，平本俊郎
  •  休憩　10:15～10:30
  • 6 引張りひずみGe中の電子移動度とバンドギャップとの系統的検討東芝　研究開発センター ○小野瑞城，手塚　勉
  • 7 Si n-MOS反転層クーロン散乱移動度への有効質量面内/垂直成分の影響東芝研究開発センター1，東京工業大学2，東京大学3 ○中林幸雄1，石原貴光1，沼田敏典1，内田　建2，高木信一3
  • 8 ナノスケールMOSFET でのチャネル電子に対する長距離クーロン相互作用筑波大学院電物 ○中西洸平，唐澤貴彦，佐野伸行
  • 9 Si MOSFETにおけるゲート中の遠隔不純物散乱東大生研・ナノ量子機構1，東大工2 ○朴　敬花1，平川一彦1，高木信一2
  • 10 Si基板上に貼り合わせたInGaAsチャネルMISFETの実現産総研1，住友化学2，東京大学3 ○（PC）卜部友二1，高木秀樹1，宮田典幸1，安田哲二1，山田　永2，福原　昇2，秦　雅彦2，横山正史3，竹中　充3，高木信一3
  • 11 極薄膜III-V-OI MOSFETにおける電子移動度の向上東大工1，産総研2，住友化学3 ○（PC）横山正史1，山田　永3，安田哲二2，高木秀樹2，卜部友二2，石井裕之2，宮田典幸2，福原　昇3，秦　雅彦3，杉山正和1，中野義昭1，竹中　充1，高木信一1
  •  昼食　12:00～13:00
  •  13:00〜13:15 〈第１回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞・研究奨励賞表彰式〉

18p-B - 1～15

  • 1「シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演」（25分）
    脱保護反応を利用した化学増幅型レジストへの極端紫外光照射により形成される化学勾配に関する理論的研究    大阪大学産業科学研究所 ○古澤孝弘，田川精一
  • 2「シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演」（15分）
    Fe3Si/Siショットキートンネルバリアを介したSiへのスピン注入とその電気的検出    九州大学大学院システム情報科学研究院1，JSTさきがけ2，東京都市大学総合研究所3，九州大学稲盛フロンティア研究センター4 ○安藤裕一郎1，上田公二1，浜屋宏平2，澤野憲太郎3，木村　崇4，宮尾正信1
  • 3「シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演」（15分）
    多結晶シリコン薄膜トランジスタのドレイン電流モデル    大阪大学大学院工学研究科1，液晶先端技術開発センター2 ○辻　博史1，葛岡　毅1，岸田悠治1，清水由幸1，桐原正治1，鎌倉良成1，森野正人1，清水喜輝2，宮野壮一郎2，谷口研二1
  •  休憩　14:10～14:15
  • 4 ＭＯＳＦＥＴ電荷転送デバイスにおける雑音のパルス／ＤＣ動作比較静岡大電子研 ○ビプル シン，猪川　洋，佐藤弘明
  • 5 インジウムをドープしたSOI pMOSFET の低温特性NTT物性基礎研 ○小野行徳，モハメド カラファラ，藤原　聡
  • 6 気相拡散によるソース・ドレイン接合を用いた高性能GeO2/Ge nMOSFET東大院工1，JST さきがけ2 ○森井清仁1，岩崎敬志1，中根了昌1，竹中　充1,2，高木信一1
  • 7 ニッケルシリサイド電極形成後の硫黄注入技術による極低ショットキー障壁メタルソースドレイントランジスタ東芝研開セ ○西　義史，木下敦寛
  • 8 SiナノワイヤトランジスタにおけるGIDLの低減とその起源東芝研開セ ○財津光一郎，齋藤真澄，中林幸雄，石原貴光，沼田敏典
  • 9 PVD-TiNウェットエッチングによる20-nmゲートFinFETの作製産総研1，明治大学2 ○Yongxun Liu1，亀井貴弘2，遠藤和彦1，大内真一1，塚田順一1，山内洋美1，林田哲郎1，石川由紀1，松川　貴1，坂本邦博1，小椋厚志2，昌原明植1
  •  休憩　15:45～16:00
  • 10 酸化膜中のSiナノワイヤにおけるNi拡散の制御東工大フロンティア研1，東工大総理工2 ○茂森直登1，新井英明1，佐藤創志1，角嶋クニユキ2，アヘメト パールハット2，西山　彰2，筒井一生2，杉井信之2，名取研二1，服部健雄1，岩井　洋1
  • 11 Siナノワイヤトランジスタの電気特性の断面形状依存性東工大フロンティア研1，東工大院総理工2，早大ナノ理工学研究機構3 ○佐藤創志1，新井英明1，角嶋邦之2，Ahmet Parhat1，大毛利健治3，名取研二1，岩井　洋1，山田啓作3
  • 12 GAA 細線 MOSFET の素子構造の最適化に関する検討ORDIST1，関西大システム理工2，関西大院3 ○林　修徳1,3，仲野駿佑1,3，大村泰久1,2,3
  • 13 バリスティックＳｉナノワイヤトランジスタの電気特性の直径依存性東工大フロンティア研1，東工大総理工2，筑波大数物3 ○李　映勲1，角嶋邦之2，白石賢二3，名取研二1，岩井　洋1
  • 14 シリコンナノワイヤにあらわれる電子波干渉効果の研究理研1，東理大2，物質材研3 ○（PC）Shaoyun Huang1，忽那史徳1,2，深田直樹3，石橋幸治1,2
  • 15 Simulation and experimental study of single electron trapping in doped nanoscale FETs静大電研 ○Earfan Hamid，Juli Cha Tarido，三木早樹人，水野武志，Moraru Daniel，田部道晴

13.6 Siデバイス／集積化技術

3月19日　9:00～12:00　　会場：16号-B

19a-B - 1～11

  • 1SiGe系p-RTDの素子化技術東京農工大院工 ○有光昇一，南部紗希，須田良幸
  • 2 スパッタエピタキシー法を用いた電子トンネル型RITD農工大工 ○河村隼也，須田良幸
  • 3 ダブルトップゲートを有するシリコン量子ドットのシミュレーションと作製東工大院理工1，東工大量子ナノエレ研セ2，東大ナノ量子機構3，SORST-JST4 ○蒲原知宏1，小寺哲夫2,3，山端元音2，内田　建1,4，小田俊理2,4
  • 4 Simulation of silicon double quantum dots device fabricated by combining lithographical and electrostatical approachesQNERC Tokyo Tech ○Muhammad Amin Sulthoni，小寺哲夫，内田　健，小田俊理
  • 5 PADOX法によるSi単電子トランジスタの作製メカニズム解析北大院情報1，NTT物性基礎研2 ○加藤勇樹1，曹　民圭1，有田正志1，藤原　聡2，高橋庸夫1
  • 6 ゲルマニウムナノワイヤを用いた単電子トランジスタの作製理化学研究所1，東京工業大学2，物質・材料研究機構3 ○申　成權1,2，黄　少雲1，深田直樹3，石橋幸治1,2
  •  休憩　10:30～10:45
  • 7 Single-Dopant Control in Single-Electron Transport through Arrays of Dopants静大電研 ○Daniel Moraru，三木早樹人，Juli Cha Tarido，水野武志，田部道晴
  • 8 ディスク状チャネルをもつ単電子トランジスタの特性静大電研 ○中村竜輔，横井清人，ダニエル モラル，水野武志，田部道晴
  • 9 Interaction of Single Photon and Single Electron Transport in Phosphorus-Doped SOI-FET静大電研 ○Udhiarto Arief，Moraru Daniel，三木早樹人，水野武志，田部道晴
  • 10 LT-KFMによるSiチャネルポテンシャルの観察静大電研 ○Miftahul Anwar，川合雄也，三木早樹人，Moraru Daniel，水野武志，田部道晴
  • 11 ＲＦ反射信号を利用したＭＯＳＦＥＴ電荷検出高速化の検討静岡大電子研 ○（B）河合　満，永坂　允，猪川　洋，佐藤弘明