13. 半導体A（シリコン）

19p-D - 1～8

• 1 今後の微細新機能デバイスでの高信頼性配線技術と新しい展開 （15分）Selete ^○小川真一
• 2 Cu/Low-k配線の微細化と信頼性（30分）富士通研究所 ^○中村友二，鈴木貴志
• 3 Electrical and mechanical reliability of Cu and Au Microbump for Fine Pitch Packaging（30分）Seoul National Univ.¹，Andong National Univ.²，Amkor Technology Korea Inc.^{3 ○}Young-Chang Joo¹，Byoung-Joon Kim¹，Myeong-Hyeok Jeong²，Jae-Won Kim²，Kiwook Lee³，Jaedong Kim³，Young-Bae Park¹
• 4 DRAM用TSV技術開発の現状（30分）エルピーダメモリ ^○池田博明
•  休憩　15:15～15:30
• 5 信頼度面から見たTSV技術（30分）ASET ^○武田健一
• 6 バリスティック伝導金属ナノ接合におけるエレクトロマイグレーションと臨界電流密度（30分）東大生研¹，東大量子ナノ機構²，JST　CREST^{3 ○}平川一彦^1,2,3，梅野顕憲¹，吉田健治¹，坂田修一¹
• 7 目的指向改変タンパクによる無機ナノ構造の作製と今後の信号授受（30分）奈良先端大¹，パナソニック先端研^{2 ○}山下一郎^1,2
• 8クロージングトーク（15分）東芝 ^○蓮沼正彦