11. 超伝導

17a-ZM - 1～9

• 1高還元温度領域における超伝導揺らぎ比熱の理論計算小山高専¹，大阪電通大² 飯沼裕哉¹，榎本博行²，^○森　夏樹¹
• 2 金属組成が異なるBi2212単結晶に対する電子線照射効果東大院工 ^○影島慶明，下山淳一，荻野　拓，岸尾光二
• 3 石英封管法によるPr₂Ba₄Cu₇O_15-yの合成高知工大環境理工¹，東大院工^{2 ○}堀井　滋¹，下山淳一²
• 4 ソフト化学法を用いたα-MOCl(M=Y, La)における新超伝導物質探索東北大工 ^○柳生穂高，加藤雅恒，野地　尚，小池洋二
• 5 還元剤CaH₂を用いた層状ペロブスカイト型銅酸化物T^'-La₂CuO₄の低温合成東北大院工 ^○（M2）高松智寿，加藤雅恒，野地　尚，小池洋二
• 6 Ar気流中におけるR-123単結晶ウィスカーの育成山梨大院クリスタル研¹，NIMS^{2 ○}長尾雅則¹，綿打敏司¹，田中　功¹，高野義彦²，前田　弘²
•  休憩　10:30～10:45
• 7 T'構造母物質RE₂CuO₄の超伝導特性のRE依存性農工大¹，NTT物性研²，産総研^{3 ○}池田　愛¹，松本　理¹，山本秀樹²，真部高明³，内藤方夫¹
• 8 T'-(La,Sm)₂CuO₄バルク試料の低温合成と超伝導特性農工大工 ^○上田真也，浅井翔太，内藤方夫
• 9「第10回応用物理学会業績賞（研究業績）受賞記念講演」（50分）
  高温超伝導のアキレス腱-超伝導揺らぎ問題と20年かかった線材の実用化科学技術振興機構理事長 ^○北澤宏一

18a-V - 1～13

• 1MOD法によるメサ型Bi-2212固有ジョセフソン接合素子の製作防衛大工 ^○濱中公志，立木　隆，内田貴司
• 2 パルス電流法によるBi-2212固有ジョセフソン接合の特性評価II長岡技科大 ^○（M1）須永　悟，廣瀬将圭，加藤孝弘，濱崎勝義
• 3 シャント抵抗付きBi-2212 固有接合SQUIDの磁場特性長岡技大¹，NICT^{2 ○}加藤孝弘¹，三輪　淳¹，島影　尚²，末松久幸¹，濱崎勝義¹
• 4 周期的ポテンシャルを導入した磁束フロー発振器の検討小山高専¹，山形大工²，東北大通研^{3 ○}山田靖幸¹，中島健介²，中島康治³
• 5 高臨界電流(Bi_1-xPb_x)₂Sr₂CaCu₂O_y固有ジョセフソン接合のマイクロ波応答特性宇都宮大 ^○宮坂貴広
• 6 (Bi_1-xPb_x)₂Sr₂CaCu₂O_8+δ単結晶ジョセフソンボルテックスフロー素子の開発宇都宮大工 ^○広長隆介，大矢銀一郎，入江晃亘
•  休憩　10:30～10:45
• 7 アンテナを集積したBi2212固有ジョセフソン接合のフラックスフロー特性山形大 千葉　孝，^○磯部昌宏，竹田実穂子，山田博信，中島健介
• 8 Bi系固有ジョセフソン接合における接合形状とスイッチング特性青学大理工¹，東大院総合^{2 ○}北野晴久¹，石川一樹¹，太田健介²，前田京剛²
• 9 固有ジョセフソン接合からのテラヘルツ波放射スペクトルの検討防衛大 ^○立木　隆，内田貴司
• 10 高温超伝導体単結晶Bi2212矩形型メサ構造からのテラヘルツ波高強度発振現象筑波大数理物質¹，CREST-JST^{2 ○（DC）}八巻和宏^1,2，辻本　学^1,2，出口幸太^1,2，山本　卓^1,2，柏木隆成^1,2，南　英俊^1,2，門脇和男^1,2
• 11 固有ジョセフソン接合を用いた電磁波の発振と検出（II）宇都宮大工 ^○斉藤　優，入江晃亘，大矢銀一郎
• 12 固有ジョセフソン接合のヒステリシスの磁場依存性宇都宮大院工 ^○山田清孝，入江晃亘，大矢銀一郎
• 13 固有ジョセフソン接合へのスピン注入(III)宇都宮大院工 ^○荒川直大，入江晃亘，大矢銀一郎
•  昼食　12:30～13:30

18p-V - 1～13

• 1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  鉄系超伝導体Co添加BaFe₂As₂エピタキシャル薄膜によるジョセフソン接合東工大応セラ研¹，超電導工研²，科技機構³，東工大フロンティア研^{4 ○}片瀬貴義¹，石丸喜康²，塚本　晃²，平松秀典³，神谷利夫^1,3，田辺圭一²，細野秀雄^1,3,4
• 2 MgOおよびLaSrAlO₄基板上Fe(Se,Te)薄膜のホール効果電中研¹，東大院総合²，JST TRIP^{3 ○}塚田一郎^1,3，花輪雅史^1,3，小宮世紀^1,3，秋池孝則^2,3，田中　遼^2,3，今井良宗^2,3，前田京剛^2,3
• 3 FeSe_1-xTe_x薄膜における超伝導特性の基板依存性東大院総合¹，電中研²，名大工³，JST, TRIP^{4 ○}今井良宗^1,4，秋池孝則^1,4，花輪雅史^2,4，塚田一郎^2,4，一瀬　中^2,4，前田京剛^1,4，日影達夫³，川口昂彦^3,4，生田博志^3,4
• 4 FeSe_1-xTe_x薄膜のホール効果の基板依存性電中研¹，東大院総合²，名大工³，JST, TRIP^{4 ○}花輪雅史^1,4，塚田一郎^1,4，今井良宗^2,4，秋池孝則^2,4，一瀬　中^1,4，前田京剛^2,4，日影達夫³，川口昴彦^3,4，生田博志^3,4
• 5 FeSe_1-xTe_x単結晶育成と上部臨界磁場の異方性東北大工 ^○野地　尚，鈴木　匠，阿部晴幾，足立　匡，小池洋二
• 6 新規層状Niニクタイド(Ni₂As₂)(Ba₄Sc₂O₆)の超伝導東京大工¹，JST-TRIP^{2 ○（B）}町田健次¹，荻野　拓^1,2，松村友多佳¹，岸尾光二^1,2，下山淳一^1,2
• 7 (Fe₂P₂)(Sr₄Sc₂O₆)の高圧合成及び元素置換効果東大院工¹，高知工大工²，産総研³，JST-TRIP^{4 ○（M2）}松村友多佳¹，荻野　拓^{1, 4}，堀井　滋^{2, 4}，岸尾光二^{1, 4}，下山淳一^{1, 4}，伊豫　彰^{3, 4}，永崎　洋^{3, 4}，鬼頭　聖^3,4
•  休憩　15:15～15:30
• 8 InAs系SNS接合におけるHfO₂を用いた超伝導電流の電界制御東理大¹，物材機構　MANA^{2 ○}板橋宣幸¹，西沢　望²，高柳英明^1,2
• 9 自己形成InAs量子ドットと結合したSQUIDのゲート制御物材機構　MANA¹，東京理科大²，物材機構³，東京大^{4 ○（P）}金　鮮美¹，石黒亮輔²，堂田泰史¹，渡辺英一郎³，津谷大樹³，柴田憲治⁴，平川一彦⁴，高柳英明^1,2
• 10 自己形成InAs量子ドットを用いたSQUIDにおける多重アンドレーエフ反射東京理科大学¹，物材機構 MANA²，東大生研³，JST-CREST^{4 ○（B）}神尾充弥¹，中島　翔¹，気谷　卓¹，深川尚義¹，金　鮮美²，石黒亮輔¹，渡辺英一郎²，津谷大樹²，柴田憲治³，平川一彦³，高柳英明^1,2,4
• 11 超伝導人工原子における磁束量子のスクイージング II広大院総合科¹，ＩＩＣ²，早稲田大理工³，ウィーン大物理^{4 ○}藤井敏之¹，松尾繁政^1,3，高嶋耕司^1,2，畠中憲之¹，栗原　進³，Anton Zeilinger⁴
• 12 Low-T_cジョセフソン接合列における集団的スイッチング特性東北大通研¹，理研^{2 ○}渡辺峰生¹，片山秀瑛¹，桜庭　栄¹，猪股邦宏²，小野美武¹，佐藤茂雄¹，中島康治¹
• 13 多成分超伝導の渦糸分子産総研¹，東理大 基礎工²，鹿児島大 院理工^{3 ○}田中康資¹，伊豫　彰¹，常盤和靖²，渡辺恒夫²，寺田教男³