8. プラズマエレクトロニクス

8.4 プラズマエッチング

3月18日　9:30～18:00　　会場：6号-ZD

18a-ZD - 1～11

  • 1NLDを用いたTSVエッチングプロセスアルバック半電研 ○村山貴英，森川泰宏，鄒　弘綱
  • 2 ＶＨＦ-ＣＣＰを用いたＴＳＶエッチングプロセスアルバック 半導体電子技術研究所 ○森川泰宏，吉居　学，鄒　弘綱
  • 3 噴出/吸引プラズマによるシリコン加工とその優位性産総研1，三友製作所2 ○清水哲夫1，綿谷　透1，内藤泰久1，徳本洋志1，白山裕也2，新堀俊一郎2，川上辰男2，横須賀俊太郎2，樫村健太2
  • 4 COおよびH2添加CF4プラズマにおけるHfO2のエッチング特性京都工繊大 ○美山　遼，高橋和生
  • 5 反応性イオンによるPt,CoおよびPtCoエッチング反応阪大院工原子分子センター ○唐橋一浩，伊藤智子，浜口智志
  •  休憩　10:45～11:00
  • 6 Hを含むプラズマによるSi基板ダメージの構造解析ソニー1，京大院工2 ○深沢正永1，松田朝彦2，中久保義則2，鷹尾祥典2，江利口浩二2，斧　高一2，南　正樹1，上澤史且1，辰巳哲也1
  • 7 プラズマによるSi 基板ダメージとMOS デバイス特性劣化の相関モデル京大院工 ○江利口浩二，中久保義則，松田朝彦，鷹尾祥典，斧　高一
  • 8 ポーラスSiOCH low-k膜へのH2/N2プラズマアッシングダメージ発生機構の解明(II)名大院工1，JST-CREST2，東芝研開セ3 ○山本　洋1，竹田圭吾1,2，石川健治1，近藤博基1，関根　誠1,2，堀　　勝1,2，上夏井健3，林　久貴3，酒井伊都子3，大岩徳久3
  • 9 レジストマスクがSiO2エッチング形状に与える影響のシミュレーション慶大理工 ○八木澤卓，真壁利明
  • 10 反応性プラズマ中におけるc-C4F8の解離過程名古屋大学1，アルバック2 ○林　俊雄1，石川健治1，関根　誠1，堀　　勝1，河野明廣1，鄒　弘綱2
  • 11 反応性プラズマ中におけるC2F4の解離過程名古屋大工1，アルバック2 ○林　俊雄1，石川健治1，関根　誠1，堀　　勝1，河野明廣1，鄒　弘綱2
  •  昼食　12:30～13:15

18p-ZD - 1～18

  • 1 超高濃度オゾンガスによる高ドーズイオン注入レジストの低温除去明電舎1，金沢工大2 ○三浦敏徳1，花倉　満1，堀邊英夫2
  • 2 O2プラズマおよびCO2プラズマによるレジストアッシング機構名大院工1，JST-CREST2 ○阿部祐介1，竹田圭吾1，石川健治1，近藤博基1，関根　誠1,2，堀　　勝1,2
  • 3 SF6/O2プラズマによるフォトレジスト表面改質層の解析名大院工1，JST-CREST2 ○竹内拓也1，尼崎新平1，竹田圭吾1，石川健治1，近藤博基1，関根　誠1,2，堀　　勝1,2
  • 4 プラズマエッチングにおけるArFレジストのLER生成及び選択性劣化機構 (2)東北大流体研1，三菱レイヨン2 ○小山紘司1，陣内佛霖1，前田晋一2，加藤圭輔2，安田　敦2，百瀬　陽2，寒川誠二1
  • 5 NF＜sub＞3＜/sub＞ガスプラズマを用いたSiC表面平滑化同志社大院工1，東洋炭素2 ○（M1）古高佑季1，野々山智樹1，金谷崇系1，山田裕久1，東城哲朗2，稲葉　稔1，田坂明政1
  • 6 合成石英のフェムト秒レーザーアシスト・ドライエッチング（２）＝ナノ周期構造の選択的エッチング＝BEANSプロジェクト1，フジクラ2，東大3，東北大4 ○額賀　理1，山本　敏2，久保田智広1,3，杉山正和1,3，寒川誠二1,4
  • 7 Low-k膜へのハードマスク越しプラズマ照射ダメージに関する研究東北大流体研 ○奥村宏克，陣内佛霖，松永範昭，寒川誠二
  • 8 オンウェハモニタリング技術による容量結合型プラズマエッチング装置における真空紫外光照射評価東北大流体研1，ラム・リサーチ2 ○陣内佛霖1，エリック ハドソン2，寒川誠二1
  •  休憩　15:15～15:30
  • 9 ガスデザインに基づいたSiO2膜エッチングとその機構解明（II）名大院工1，日本ゼオン2，JST-CREST3 ○宮脇雄大1，竹田圭吾1，伊東安曇2，中村昌洋2，石川健治1，関根　誠1,3，堀　　勝1,3
  • 10 ポーラスSiOCH膜プラズマ処理後の大気曝露の影響(II)名大工1，JST-CREST2 ○鈴木俊哉1，山本　洋1，竹田圭吾1,2，近藤博基1,2，石川健治1,2，関根　誠1,2，堀　　勝1,2
  • 11 CHxFy＋イオン照射によるエッチング反応の評価阪大工1，ソニー2 ○（M2）伊藤智子1，唐橋一浩1，深沢正永2，辰巳哲也2，浜口智志1
  • 12 原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状シミュレーション: 微視的均一性に関する解析京大院工 ○津田博隆，森　政士，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
  • 13 古典的分子動力学シミュレーションを用いた塩素系プラズマによるSiエッチング機構の解明：ビーム入射とビーム＋ラジカル入射の比較京大院工 ○谷口　健，長岡達弥，津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
  • 14 フーリエ変換赤外吸収分光法を用いたCl2プラズマによるSiエッチングの表面および気相における反応解析京大院工 ○宮田浩貴，津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
  • 15 フッ素中性粒子ビームによるシリコンエッチングBEANS1，東京大2，東北大3 ○久保田智広1,2，額賀　理1，植木真治1，杉山正和1,2，大竹浩人3，寒川誠二1,3
  • 16 中性粒子ビームの解析（３）～ビーム角度分布の測定～BEANS1，東京大2，東北大3 ○久保田智広1,2，額賀　理1，植木真治1，杉山正和1,2，寒川誠二1,3
  • 17 第一原理電子状態計算による中性粒子ビーム生成メカニズムの解析IIIみずほ情報総研1，BEANSプロジェクト2，東大3，東北大4 ○渡辺尚貴1，大塚晋吾1，岩崎拓也1，小野耕平1，入江康郎2，額賀　理2，植木真治2，久保田智広2，杉山正和2,3，寒川誠二2,4
  • 18 誘導結合型H2/N2プラズマによる有機low-k薄膜のための小型コンビナトリアルプラズマエッチングプロセス名大院工1，阪大接合研2，九大シス情3，JST-CREST4 ○堀　　勝1,4，チャンソン ムン1，竹田圭吾1，関根　誠1,4，節原裕一2,4，白谷正治3,4，石川健治1，近藤博基1