8. プラズマエレクトロニクス

19a-ZB - 1～11

• 1プラズマ処理と自己組織化単分子膜を用いた高分子材料の表面改質名大院工¹，名大エコトピア^{2 ○}白藤　立¹，川口真範¹，齋藤永宏²，高井　治¹
• 2 PETフィルムの高密度プラズマ処理によるITO層の密着性向上中部大工¹，名産研²，東洋紡^{3 ○（D）}梁　以資¹，小川恭史¹，加藤公孝²，伊関清司³，菅井秀郎¹
• 3 CIIRゴムとステンレス鋼との付着力に及ぼすプラズマ処理時間の影響名大院工機械¹，アルゴンヌ国立研究所²，名大工機械³，ニプロ総合研究所^{4 ○}上坂裕之¹，金　鍾亨²，冨田　誠³，梅原徳次¹，島田　衛⁴，長谷川満⁴
• 4 高密度マイクロ波プラズマを用いたポリイミドフィルムの高速密着性改善名大工¹，名大プラズマナノ²，東洋紡³，中部大^{4 ○}宇佐見健二¹，石島達夫²，豊田浩孝^1,2，伊関清司³，菅井秀郎⁴
• 5 炭素スパッタリングプラズマにおける結晶性炭素微粒子の解析京都工芸繊維大電子システム工学 ^○井出　朋，西尾弘司，高橋和生
• 6 マグネトロンスパッタリングによる金属/DLCナノコンポジット膜の作成名大工¹，Tun Hussein Onn Malaysia大²，名大プラズマナノ^{3 ○}堤　貴彦¹，高田昇治¹，ナヤン ナファリザル²，佐々木浩一³
•  休憩　11:00～11:15
• 7 高密度SiH₄/H₂マイクロ波PCVDによる基板表面温度制御下での微結晶シリコン薄膜堆積名大工¹，名大プラズマナノ^{2 ○}坂井淳二¹，池田昌平¹，伊藤裕紀¹，石島達夫²，豊田浩孝^1,2
• 8 プラズマCVD法における微結晶シリコン薄膜形成のメカニズム解明名大院工¹，JRT-CREST^{2 ○}川嶋　翔¹，阿部祐介¹，竹田圭吾¹，石川健治¹，近藤博基¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2
• 9 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  狭ギャップマイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチングとそのエッチング面の評価シャープ¹，阪大院工^{2 ○}舩木　毅¹，中濱康治¹， 野　勝¹，安武　潔²，大参宏昌²
• 10 狭ギャップマイクロ波水素プラズマを用いた固体SiからのSiH₄生成シャープ¹，阪大院工^{2 ○}中濱康治¹，舩木　毅¹， 野　勝¹，安武　潔²，大参宏昌²
• 11 リモート型水素プラズマ化学輸送法による精製Si 膜の形成阪大院工¹，シャープ^{2 ○}大参宏昌¹，安武　潔¹，中濱康治²，舩木　毅²， 野　勝²
•  昼食　12:30～14:00

19p-ZB - 1～17

• 1 コンビナトリアルプラズマプロセス解析装置を用いたプラズマ・ポリマー相互作用の解析（III）阪大接合研¹，九大システム情報²，名大プラズマナノ³，JST, CREST⁴ 節原裕一^1,4，趙　　研^1,4，^○竹中弘祐^1,4，白谷正治^2,4，関根　誠^3,4，堀　　勝^3,4
• 2 低温・低ダメージプラズプロセスの開発に向けたプラズマ・ポリマー相互作用のナノ表面解析阪大接合研¹，九大システム情報学科²，名大プラズマナノ³，JST, CREST^{4 ○}趙　　研^1,4，竹中弘祐^1,4，節原裕一^1,4，白谷正治^2,4，関根　誠^3,4，堀　　勝^3,4
• 3 低温・低ダメージプラズマプロセスによる無機／有機ハイブリッド積層構造の形成阪大接合研¹，九大システム情報²，名大プラズマナノ³，JST, CREST^{4 ○}竹中弘祐^1,4，趙　　研^1,4，節原裕一^1,4，白谷正治^2,4，関根　誠^3,4，堀　　勝^3,4
• 4 ＲＦマグネトロンスパッタリングを用いたインジウム酸化亜鉛透明導電膜の成膜和歌山大シス工¹，名城大理工²，名大院工^{3 ○}太田貴之¹，田子多直樹¹，井上真里¹，伊藤昌文²，竹田圭吾³，堀　　勝³
• 5 パルスoff期のターゲット電位を変化させたパルスマグネトロンスパッタによる薄膜構造制御成蹊大理工 ^○中野武雄，原　良輔，日留川紀彦，馬場　茂
• 6 酸化物ターゲットのスパッタプロセスにおける酸素負イオンエネルギー分布中微細構名大工¹，名大プラズマナノ²，ULVAC超材研³，NECデバプラ研^{4 ○}後藤和也¹，石島達夫²，森田　正³，小野一修³，大嶋則和⁴，木下啓藏⁴，豊田浩孝^1,2
• 7 酸化物スパッタプロセスにおける酸素負イオンビーム誘起ダメージNECデバプラ研¹，アルバック超材研²，名大工³，名大プラズマナノ^{4 ○}木下啓藏¹，小野一修²，後藤和也³，大嶋則和¹，森田　正²，石島達夫⁴，豊田浩孝^3,4
• 8 マスクレススパッタリング堆積に向けた大気圧プラズマイオン照射による絶縁基材の前処理実験茨城大学 ^○佐藤直幸，菊川浩之，池畑　隆
•  休憩　16:00～16:15
• 9 大気圧ツインフラットプラズマジェットを用いた金属表面からの油除去豊橋技術科学大学¹，大研化学工業^{2 ○（M1）}辻井謙一¹，源　潤一¹，鹿又大資¹，須田善行¹，滝川浩史¹，志岐　肇²
• 10 大気圧メゾプラズマジェットを用いたステンレス板の窒化処理豊橋技科大¹，大研化学工業^{2 ○（M1）}源　潤一¹，辻井謙一¹，鹿又大資¹，須田善行¹，滝川浩史¹，志岐　肇²
• 11 大気圧プラズマアシストフラックス法を用いた透明導電用ZnO結晶薄膜の作製信州大工¹，東大院工^{2 ○（B）}大石将宏¹，手嶋勝弥¹，李　先炯¹，田嶋聡美²，土屋章一²，一木隆範²，大石修治¹
• 12 大気圧プラズマによる細胞外マトリックス膜パターニング技術の開発阪大院工 CAMT¹，分子研^{2 ○（PC）}安藤あゆみ¹，浅野豪文²，手老龍吾²，北野勝久¹，宇理須恒雄²，浜口智志¹
• 13 スリットノズル型大気圧プラズマジェットの開発豊田工学 ^○大嶋伸明，高田龍二，原　民夫
• 14 大気圧誘導結合型マイクロプラズマジェット源を用いた酸化銅(I)及び酸化銅(II)の還元東大院工¹，パナソニック ファクトリーソリューションズ 株式会社²，東大CNBI³，科学技術振興機構CREST^{4 ○}田嶋聡美¹，土屋章一¹，松森正史²，中塚茂樹²，一木隆範^{1, 3, 4}
• 15 大気圧メゾプラズマを用いたフッ素樹脂フィルムの接着強度の向上大研化学工業¹，豊橋技科大^{2 ○}志岐　肇¹，山中重宣¹，大川　隆¹，辻井謙一²，源　潤一²，鹿又大資²，須田善行²，滝川浩史²
• 16 大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェットを用いた溶融領域の高速走査による高結晶性Si膜の形成とTFT応用広大院先端研 ^○林　将平，東清一郎，広重康夫，村上秀樹，宮崎誠一
• 17 熱プラズマトーチによるa-Si膜結晶化率の要因埼玉大理工 ^○太田直希，頼　千暉，大場大輔，佐藤俊輔，白井　肇

20a-ZB - 1～12

• 1マイクロ波酸素プラズマ下流域におけるシリコントレンチ酸化特性東海大学院工¹，東海大情報理工² 小池　潤¹，石井　徹²，中崎嘉信¹，木村康人¹，^○進藤春雄^1,2
• 2 リモート水素プラズマ処理時における石英基板表面温度の非接触測定広島大先端研¹，琉球大工^{2 ○（B）}筒井啓喜¹，岡田竜弥²，東清一郎¹，広重康夫¹，松本和也¹，宮崎誠一¹，野口　隆²
• 3 超臨界キセノン中における大面積誘電体バリア放電の発生とsp³ナノカーボン物質の合成への応用東大院新領域 ^○スヴェン シュタウス，宮副裕之，菊池宏和，静野朋季，斎藤康也，寺嶋和夫
• 4 イオン照射技術を用いたTiNi薄膜の低温結晶化金沢工業大学　ものづくり研究所 ^○干野雄二郎，倉地祐也，池永訓昭，岸　陽一，矢島善次郎，作道訓之
• 5 低温プラズマCVD法によるSiN_x成膜におけるH₂ガス希釈効果東芝生技セ¹，九大工学府^{2 ○}五十川昌邦¹，佐野準治¹，崎田博文²
• 6 薄膜シリコンの微細構造とプラズマCVDプロセス依存性産総研太陽光センター ^○布村正太，近藤道雄
•  休憩　10:30～10:45
• 7 基板往復移動機構を備えたSWP-CVD 装置島津製作所 ^○上野智子，鈴木正康，小西善之，東　和文，石田進一郎
• 8 マイクロストリップ型マイクロ波大気圧プラズマCVD装置の開発産総研¹，東大²，放送大学^{3 ○}金　載浩¹，ドンミン キム²，大崎博之²，桂井　誠³
• 9 SiH₄+PH₃マルチホロー放電プラズマCVDによるPドープa-Si:Hの製膜九大シス情 ^○中原賢太，佐藤　宙，川嶋勇毅，古閑一憲，白谷正治
• 10 SOG-Si生成に向けたパルス変調熱プラズマによる水素ラジカルとSiHCl₃との反応法政大工¹，日大文理²，物材機構^{3 ○}秋月智大¹，角谷正友³，石垣隆正¹，橋本拓也²，鯉沼秀臣³
• 11 SiO₂膜上Hf-Tiナノ粒子への窒素プラズマ照射によるHfTiSiON膜作製防衛大 ^○北嶋　武，鹿毛亮佑，中野俊樹
• 12 核融合装置におけるダイバータ板の温度変化とスパッタ損耗の研究八戸工業大学 ^○田端拓也，根城安伯