6. 薄膜・表面

17a-P2 - 1～25

• 1 電界放出電子線を用いた低速電子回折装置の開発II九大総理工 姉川賢太，^○水野清義
• 2 Sc-doped TiO2 セラミックス・薄膜の表面構造と電気特性東理大理 小林祐輔，冨山和哉，松本雅至，^○樋口　透
• 3 超音速酸素分子線によるSi(111)-7×7表面の室温酸化後のSTM観察日本原子力研究開発機構 ^○吉越章隆，寺岡有殿
• 4 酸素分子線照射量に依存したSi(111)表面の形状変化のSTM観察　-並進運動エネルギーを2.2 eVとした場合-日本原子力研究開発機構 ^○吉越章隆，寺岡有殿
• 5 SiO₂/Si界面酸化における格子歪みの役割(3)：酸化誘起炭素濃縮による3C-SiC成長東北大¹，原研²，秋田高専^{3 ○}穂積英彬¹，小川修一¹，吉越章隆²，石塚眞治³，James Harries²，寺岡有殿²，高桑雄二¹
• 6 Si(100)表面での拡散支援機構に従う水素熱脱離における脱離サイトの検討山形大工¹，九州工大工^{2 ○}成田　克¹，上杉　功¹，稲永征司²，並木　章²
• 7 Metastable De-excitation Spectroscopyを用いたプラズマディスプレイパネル用保護膜の分析 (I)　-大気中加熱がMgO及びCaO膜のMDSスペクトルへ与える影響-大阪大学¹，パナソニック²，物質材料研究機構^{3 ○}吉野恭平^1,2，森田幸弘^1,2，西谷幹彦^1,2，寺内正治^1,2，辻田卓司^1,2，中山貴仁²，山内康弘²，永富隆清¹，高井義造¹，山内　泰³
• 8 MgO薄膜の表面状態におけるSiドーピングの影響大阪大学¹，パナソニック^{2 ○}深田　睦¹，西谷幹彦^1,2，寺内正治^1,2，森田幸弘^1,2，倉敷哲生¹
• 9 パルスイオン照射を用いた膜厚50 nmのMgO薄膜のイオン誘起二次電子収率測定阪大院工¹，パナソニック^{2 ○}村澤裕子¹，山内郁馬¹，吉野恭平^1,2，永富隆清¹，高井義造¹，森田幸弘^1,2，西谷幹彦^1,2，北川雅俊²
• 10 一次元に配列した金微粒子からの第二高調波発生横国大工¹，FHI²，ベルリン自由大³，筑波大物理⁴，防衛大^{5 ○}工藤雅史¹，島田　透^2,3，久保　敦⁴，北島正弘⁵，田中正俊¹，鈴木隆則⁵
• 11 リアルタイム放射光光電子分光によるSi(110)表面上数層の熱酸化膜形成過程の評価東北大学¹，日本原子力研究開発機構^{2 ○}鈴木　康¹，山本喜久¹，末光眞希¹，吉越章隆²，寺岡有殿²
• 12 表面差分反射分光と反射率差分光を用いたSi(001)酸化膜形成過程と酸窒化膜形成過程のリアルタイム観測横国大工¹，防衛大応物^{2 ○}大野真也¹，三戸部史岳¹，小泉順也¹，落合俊之¹，鈴木隆則²，首藤健一¹，田中正俊¹
• 13 希ガス固体上に共吸着した水とメタンからの光励起脱離学習院大理 ^○松本大吾，萩谷昭洋，村井晴香，三浦　崇，荒川一郎
• 14 真空紫外光電子スペクトルによる炭化バナジウム薄膜の仕事関数測定和工技¹，清水電設工業²，近畿高エネ加技研^{3 ○}重本明彦¹，山下宗哲¹，今西敏人¹，伊藤　修¹，前田育克¹，天野友子²，山本良三²，北山末次³
• 15 ピラジン吸着Si(001)表面の電子状態静岡大電研 ^○（M1）横原大和，國原千裕，下村　勝
• 16 Pd/Ni(111)初期成長過程大阪府大¹，名古屋大²，東京理科大³，豊田工業大⁴，大阪市大^{5 ○}梅澤憲司¹，大平　豊²，原　紳介³，吉村雅満⁴，福田常男⁵
• 17 触媒表面におけるNO分子の吸着に関する理論的解析阪大院工 ^○岸　浩史，笠井秀明
• 18 Ni(110)表面上のCuのSK成長阪市大院工¹，大阪府大理^{2 ○}福田常男¹，安井岳史¹，梅澤憲司²，中山　弘¹
• 19 STMによるSi蒸着後のAu(111)表面の観察芝浦工大 ^○源田淳平，弓野健太郎
• 20 MIC法による多結晶Geの成長芝浦工大 ^○三浦匡裕，弓野健太郎
• 21 ヒートビーム技術による薄膜形成メカニズフィルテック ^○村　直美，西原晋治，清水紀嘉，古村雄二
• 22 α-Al₂O₃(0001)表面の水分子吸着・解離富山大総合情報セ¹，富山大院理工^{2 ○}布村紀男¹，砂田　聡²
• 23 深さ分解XMCD法を用いたFe/Ni/Cu(100)薄膜の表面・界面磁気構造の観察高エ研物構研¹，JST-CREST^{2 ○}雨宮健太^1,2，酒巻真粧子¹
• 24 深さ分解XMCD法で見るAu/Co/Au(111)薄膜の界面磁性高エ研物構研 ^○酒巻真粧子，雨宮健太
• 25 Cu(111)及びAg(111)表面でのフェニルリン酸の吸着構造物材機構¹，カレル大^{2 ○}柳生進二郎¹，吉武道子¹，Nataliya Tsud²，知京豊裕¹

18p-P7 - 1～25

• 1金属-アルミナ界面終端の熱力学的制御物材機構 ^○吉武道子，スラボミール ネムシャク
• 2 界面終端原子の種類とバンドオフセット物材機構 ^○吉武道子，スラボミール ネムシャク，柳生進二郎，知京豊裕
• 3 Ag/Si(111)7x7表面のAg/Si境界面に吸着した水素東工大総理工 ^○（M2）石　　林，青木悠樹，平山博之
• 4 ナノ摩擦による界面変形観察用MEMSデバイスの開発東大生研 ^○佐藤隆昭，石田　忠，藤田博之
• 5 Si 対向探針のせん断・摩擦の分子動力学シミュレーション成蹊大理工¹，東大生産研^{2 ○}石川貴大¹，板村賢明¹，佐藤隆昭²，石田　忠²，藤田博之²，佐々木成朗¹
• 6 DLCプローブ間における圧着摩擦によるナノボールの形成と転がりのTEM観察東大生研¹，東大^{2 ○}鍋屋信介¹，石田　忠¹，米谷玲皇²，藤田博之¹
• 7 SiO₂/Si(100)界面のSi-O-Si伸縮振動へのサブピークの影響産総研 ^○中村　健，黒河　明，野中秀彦，一村信吾
• 8 ペンタセン薄膜成長の核形成における水素ガスの影響東大院新領域¹，東大院理^{2 ○}坪井宏政¹，霍間勇輝¹，金森由男²，斉木幸一朗^1,2
• 9 極薄Si酸化膜を用いたSi基板上へのエピタキシャルGaSb薄膜の形成過程と発光特性東大院工¹，阪大院基礎工^{2 ○}三羽貴文¹，中村芳明²，市川昌和¹
• 10 逆流型電離真空計（CFG)III神戸大工¹，呉高専² 須河内達也¹，堀　真哉¹，金持　徹¹，田中　誠²，^○浦野俊夫¹
• 11 高分解能イオン散乱による金（コア）・パラディウム（セル）構造の解析立命館大学理工学部¹，産総研関西センター²，山口東京理科大基礎工学部^{3 ○}松本悠志¹，光原　圭¹，Anton Visikovskiy¹，秋田知樹²，戸嶋直樹³，城戸義明¹
• 12 熱プロセスで作製した酸化マグネシウム薄膜の特性評価龍谷大学¹，兵庫工技セ²，理研計器^{3 ○}中村裕亮¹，吉岡秀樹²，中島秀樹³，山本伸一¹
• 13 SiGeナノ化合物の元素吸収端近傍における軟X線光電子顕微鏡観察東北大通研¹，弘前大理工²，JASRI/SPring-8^{3 ○}吹留博一¹，Alguno Arnold¹，遠田義晴²，末光眞希¹，小嗣真人³，大河内拓雄³，木下豊彦³，渡辺義夫³
• 14 金属錯体溶液による基板上への特徴的構造形成横国大工 ^○（B）西倉慶悟，大矢剛嗣
• 15 TiO₂(110)-(1×2)再構成表面上のSnO₂の電子線照射還元東工大応セラ研 ^○（M2）小室雄太郎，松本祐司
• 16 表面欠陥を介したAu(111)表面におけるNaCl薄膜の表面拡散東北大通研 ^○片野　諭，上原洋一
• 17 第一原理計算によるO原子吸着Si(110)表面に関するSTMシミュレーション岡山県大院情報工 ^○長澤崇裕，芝　世弐，末岡浩治
• 18 GaN（0001）基板上に形成したFe/Fe酸化物コアシェルクラスターの磁化特性阪大産研 古屋貴明，曽谷基紀，市原寛也，^○長谷川繁彦，朝日　一
• 19 SiナノコンタクトのTEM内引張試験における速度依存性東大生研 ^○（PC）石田　忠，藤田博之
• 20 反射率差分光法を用いたSi(001)表面上のカリウム原子吸着脱離過程のリアルタイム観測横国大工¹，防衛大応物^{2 ○}森本真弘¹，大野真也¹，鈴木隆則²，田中正俊¹
• 21 水浸漬熱酸化SiO₂薄膜のX線反射率（XRR）法による膜厚経時変化測定産総研 ^○尾高憲二，東　康史，張ルウルウ，藤本俊幸，小島勇夫，黒河　明
• 22 終端されたSi(110)-16×2単一ドメイン表面上の有機分子薄膜作製筑波大数物¹，原子力機構^{2 ○（D）}横山有太^1,2，山田洋一¹，佐々木正洋¹
• 23 炭素吸着Au(111)面のSTM/STS観察京大院工 ^○黒川　修，吉野雄介，酒井　明
• 24 非線形光学応答に反映されるシリコン表面上のアルカリ金属成膜過程 防衛大応物¹，横国大工² 藤原賢一¹，岡　佳範¹，西岡広明²，百瀬辰哉²，田中正俊²，^○鈴木隆則¹
• 25 Cu(111)上C60単分子層の微視的電子状態とバンドアライメント筑波大数物¹，イデアルスター² 加藤恵介¹，中山拓人¹，才田守彦²，表　研次²，横尾邦義²，^○山田洋一¹，佐々木正洋¹

18p-P8 - 1～15

• 1サファイア表面における櫛状ドメインの自己組織化横浜国大 ^○小紫大希，磯野俊成，塚本貴広，荻野俊郎
• 2 ブロックコポリマーPEO_m-b-PMA(Az)_n を用いたSi(001)極薄酸化膜上Ge 量子ドット配列構造の結晶性および発光特性の評価東大院工¹，阪大基礎工²，理研³，東工大資源研^{4 ○}村山昭之¹，中村芳明²，渡邉亮子³，彌田智一⁴，市川昌和¹
• 3 磁場印加中におけるFeナノドットのスピン偏極STM観察阪大産研 市原寛也，曽谷基紀，古屋貴明，^○長谷川繁彦，朝日　一
• 4 ウェットエッチングを用いたサファイア表面の化学ドメイン制御横浜国立大 ^○高橋和大，荻野俊郎
• 5 サファイア表面における複合ステップ配列制御横浜国大 ^○田口俊輔，高橋和大，荻野俊郎
• 6 金属ナノ構造中の表面プラズモンに関する量子論東大院工 ^○市川昌和
• 7 軟Ｘ線分光によるオキシアパタイト型ランタノイドシリケートの電子構造東理大理¹，物材機構² 府川裕行¹，小林　清²，^○樋口　透¹
• 8 FM-bcc-Fe(110)表面上でのC₂H₂分子によるGraphene生成過程の第一原理計算による解析富士通研究所 ^○池田　稔，山崎隆浩，金田千穂子
• 9 アトムプローブにおけるアルミニウムの電界蒸発特性東大工¹，東大生産研^{2 ○}梶原靖子¹，間山憲仁²，岩田達夫²，尾張眞則²
• 10 電子線照射起因帯電の安定化メカニズム日立中研 ^○小山　光，木村嘉伸
• 11 電子線照射起因の帯電ダイナミクス日立中研¹，日立ハイテク^{2 ○}津野夏規¹，大南祐介²，品田博之¹，木村嘉伸¹，牧野浩士¹
• 12 電子線照射による絶縁体の局所帯電のモデリング日立中研 ^○程　朝暉，小山　光，木村嘉伸，品田博之
• 13 回路シミュレーションを用いたプラグ間ショート検査技術日立中研¹，日立ハイテク^{2 ○}牧野浩士¹，矢野　資¹，土肥歩未²，野副真理²
• 14 排気ガス浄化粉末触媒の最表面原子の電子雲の傾斜角と触媒活性の相関産総研ナノ電子デバイス¹，エヌ・イーケムキャット² 石塚知明¹，伊藤友章²，永田　誠²，^○富江敏尚¹
• 15 低エネルギー原子線散乱による有機薄膜の計測筑波大数物¹，原子力機構^{2 ○}佐竹勇樹¹，菅原千尋¹，横山有太^1,2，岡田隆太¹，山田洋一¹，佐々木正洋¹