6. 薄膜・表面

18p-TJ - 1～15

• 1 沿面放電による常温大気圧下での酸化物薄膜の形成とダイレクトパターニング静岡大工 鹿谷真博，鍋田圭吾，柴山義浩，^○奥谷昌之
• 2 コプラナー型沿面放電による酸化物薄膜の形成静岡大工 鍋田圭吾，鹿谷真博，柴山義浩，^○奥谷昌之
• 3 EDTA金属錯体を用いたフレーム溶射法による酸化物膜の作製長岡技大(工)¹，中部キレスト^{2 ○}大音雅宏¹，長谷部康博¹，中村　淳^1,2，大塩茂夫¹，赤坂大樹¹，齋藤秀俊¹
• 4 EDTA金属錯体フレーム溶射法による各種金属酸化物膜の作製長岡技大(工)¹，中部キレスト^{2 ○（B）}長谷部康博¹，大音雅宏¹，中村　淳^1,2，大塩茂夫¹，赤坂大樹¹，齋藤秀俊¹
• 5 ゾルゲル法による銀ナノ粒子分散ZrO₂薄膜の作製と基礎物性評価東海大 ^○横山英佐，若木守明
• 6 銀ナノ粒子分散ZrO₂薄膜の光学物性の誘電解析東海大 ^○横山英佐，若木守明
• 7 ゾルゲル法によるNiO薄膜の抵抗スイッチング特性和歌山高専 ^○佐久間敏幸，羽田正雄，岡本拓也，辻本剛平
• 8 スピンコート法で作製したセラミックス被覆電極の放電開始電圧長岡技大(工)¹，エア・ウォーター^{2 ○}松田邦之¹，清川敏夫²，大塩茂夫¹，赤坂大樹¹，齋藤秀俊¹
•  休憩　16:00～16:15
• 9 圧電有機重合体P(VDF-TeFE)薄膜の成膜湿度による膜質への影響阪大工杉野研 ^○寺島大樹，Jong-Hyeon Jeong，木村千春，青木秀充，杉野　隆
• 10 スパッタリング法により石英基板上に作製したCr-N薄膜の特性評価大阪府立産技研¹，大阪府大21世紀科学研²，大阪府大院工^{3 ○}佐藤和郎¹，筧　芳治¹，宇野真由美¹，櫻井芳昭¹，四谷　任²，石田武和³
• 11 五酸化タンタル薄膜のスパッタガス依存性愛媛大 ^○永井千尋，上村　明，大西秀臣
• 12 GaN薄膜中貫通転位を用いた導電性ナノ細線の作製東大総研¹，東北大金研²，東大生研³，東大新領域⁴，JFCC⁵，東北大WPI^{6 ○}安間伸一¹，徳本有紀²，枝川圭一³，柴田直哉¹，溝口照康^1,3，山本剛久^4,5，幾原雄一^1,5,6
• 13 H₂O導入MOCVD法によるCeO₂薄膜形成時の反応機構法政大工¹，コメット^{2 ○}伊豆崇則¹，大塚健太郎¹，木樽智也¹，島田洋希¹，内田健啓¹，鈴木　摂²，山本康博¹
• 14 泡沫状電解質を用いた電気めっき皮膜の硬度評価東京農工大学¹，山田² 菅原友浩¹，山田喜康²，古橋貴洋²，市原祥次¹，^○臼井博明¹
• 15 恒温恒湿槽を用いたエレクトロクロミック調光ミラーの劣化状態の把握産総研 ^○田嶌一樹，山田保誠，岡田昌久，吉村和記

19a-TJ - 1～7

• 1(111)HfN/(0001)sapphire上でのInN薄膜のエピタキシャル成長北見工業大学 ^○浅野悠一，柳沢英人，佐々木克孝，阿部良夫
• 2 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長によるSi(100)基板上の複合面方位CeO₂層の形成いわき明星大科学技術 ^○井上知泰，五十嵐永将，菅野雄樹，信田重成
• 3 希ガス混合Si薄膜の作製とアニールよるクラスレート化岐阜高専¹，岐大工^{2 ○}番　貴彦¹，羽渕仁恵¹，飯田民夫¹，上野紘幸²，久米徹二²，伴　隆幸²，野々村修一²，大橋史隆²
• 4 イオン液体-金属スパッタリング法により合成した金属ナノ粒子の金属酸化物基板への固定化名大院工 太田康弘，^○鈴木秀士，岡崎健一，鳥本　司
•  休憩　11:00～11:15
• 5 Pd添加WO₃薄膜の光学的特性とエレクトロクロミズム特性明治大理工 ^○（M1）籔本泰平，岩井祐貴，三浦　登，松本節子，中野鐐太郎，松本皓永
• 6 含酸素プラズマ照射による二軸延伸ポリエステルフィルムの低温度ヒートシール性の付与三重大学¹，河村産業² 與倉三好^1,2，林　拓郎²，吉井竜也¹，前田嘉彦¹，松井正仁¹，中村裕一¹，^○遠藤民生¹
• 7 pH変化によるチタニアへのアルブミンの吸着制御長岡技大(工) ^○伊井清人，大塩茂夫，赤坂大樹，齋藤秀俊

20a-TJ - 1～11

• 1酸化セリウムを含む誘電体薄膜の電気化学的形成法三洋電機 ^○光山知宏，西村康一，野々上寛
• 2 CVD用新規チタン錯体Ti-DOTの合成と物性相模中央化学研究所¹，東ソー^{2 ○}山本俊樹^1,2，多田賢一¹，岩永宏平^1,2，摩庭　篤²，千葉洋一²，肆矢忠寛^1,2，大島憲昭^1,2
• 3 Laser MBE法による六ホウ化物系エピタキシャル薄膜の作製と緩衝層挿入及び組成変調等による新機能探索東工大物創¹，豊島製作所²，神奈川産技セ³，東工大物創・弁理士^{4 ○（D）}加藤侑志¹，白石尚輝¹，荒井秀樹¹，土嶺信男²，小林　晋²，金子　智³，吉本　護^1,4
• 4 A面サファイア基板上へのFeTiO3-Fe2O3固溶体エピタキシャル薄膜の合成京大院工 ^○的場智彦，藤田晃司，村井俊介，田中勝久
• 5 組成傾斜膜法によるDRAMキャパシタ用Zr-Ta-Y-O系誘電体膜の材料探索明大理工¹，物材機構^{2 ○（M1）}清田祐司^1,2，伊高健治²，岩下祐太^1,2，足立哲也²，知京豊裕²，小椋厚志¹
• 6 窒素添加によるLaAlO薄膜の光学的特性への影響阪大院工 ^○本城正智，小松直佳，木村千春，青木秀充，杉野　隆
•  休憩　10:30～10:45
• 7 層状ペロブスカイト強誘電体Sm₂Ti₂O₇薄膜の合成東大院理¹，KAST^{2 ○}大野紗和子¹，畑林邦忠¹，廣瀬　靖^1,2，近松　彰^1,2，島田敏宏^1,2，長谷川哲也^1,2
• 8 IZO透明導電膜の熱・機械特性と内部構造の関係東レリサーチセンター¹，青山学院大理工^{2 ○}竹田正明¹，的場伸啓¹，遠藤　亮¹，高井良浩¹，岡　伸人²，重里有三²
• 9 Fe₂O₃-TeO₂系アモルファス薄膜の作製と評価東海大 ^○有馬智己，若木守明，坂田浩伸
• 10 高分子フィルム上に形成したハフニア膜の性質産総研 ^○鈴木一行，加藤一実
• 11 サーモグラフィによる結晶化温度のコンビナトリアル評価のための新薄膜ライブラリの検討東工大院¹，東工大精研^{2 ○}青野祐子¹，桜井淳平²，下河辺明²，秦　誠一²
•  昼食　12:00～13:00

20p-TJ - 1～8

• 1 (Ni,Mg)O固溶系エピタキシャル薄膜の室温合成と評価東工大物創¹，豊島製作所²，並木精密宝石³，東工大物創・弁理士^{4 ○}荒井秀樹¹，加藤侑志¹，白石尚輝¹，土嶺信男²，小林　晋²，小山浩司³，吉本　護^1,4
• 2 パルスレーザー堆積法によるBiFeO₃、SrFeO₃薄膜の作製日大理工 ^○根本拓哉，大月俊平，岩田展幸，山本　寛
• 3 イオン液体を介したKBr薄膜のエピタキシャル成長とその配向制御東工大応セラ研 ^○加藤　瞬，松本祐司
• 4 雲母ターゲットのパルスレーザーアブレーションと薄膜合成の検討東工大物創¹，山口雲母工業所²，豊島製作所³，東工大物創・弁理士^{4 ○}中曽根祐太¹，秋田泰志¹，杉本雄樹¹，佐野善史²，土嶺信男³，小林　晋³，吉本　護^1,4
• 5 斜め蒸着-イオンビームエッチング法による薄膜のナノ形態制御京大院・工 森若大貴，^○鈴木基史，白井友也，中嶋　薫，木村健二
• 6 高温斜め蒸着における原子の付着率と金属ウィスカ成長の関係京大院工 ^○喜多　僚，鈴木基史，木下　定，中嶋　薫，木村健二
• 7 TiO₂光学薄膜の環境試験による影響東海大工 ^○杉本洋己，杉山　光，室谷裕志
• 8 SiO₂光学薄膜の構造における光散乱への影響(2)東海大院工¹，シンクロン^{2 ○（M1）}西川俊之¹，室谷裕志¹，飯田義隆²，岡田勝久²