6. 薄膜・表面

17a-TR - 1～11

• 1 超高速化量子分子動力学法を用いたBaTiO₃の酸素欠損影響解析東北大院工¹，東北大未来セ^{2 ○}近藤賢治¹，三浦隆二¹，鈴木　愛²，坪井秀行¹，畠山　望¹，遠藤　明¹，高羽洋充¹，久保百司¹，宮本　明^1,2
• 2 分極軸単一配向した歪みの少ないエピタキシャル正方晶Pb(Zr,Ti)O₃厚膜を用いたソフトモードによる強誘電性の見積もり東工大院¹，産総研^{2 ○}江原祥隆¹，宇津木覚¹，中島光雅¹，山田智明¹，飯島高志²，舟窪　浩¹
• 3 PbTiO₃のコヒーレントフォノン計測東工大応セラ研¹，東工大物質創造^{2 ○}小口寛彬^1,2，高橋弘史^1,2，中島光雅²，宇津木覚²，舟窪　浩²，中村一隆^1,2
• 4 テラヘルツ-エリプソメトリ分光法を用いたPt/MgO基板上に成膜した3軸配向SrTiO₃薄膜におけるソフトフォノンハードニングの観測村田製作所¹，阪大レーザー研^{2 ○}松本直樹^1,2，細倉　匡¹，長島　健²，萩行正憲²
• 5 Pb(Zr,Ti)O₃薄膜のPhotovoltaic特性にリーク電流が及ぼす影響名工大院 ^○松山雅之，五味　學，横田壮司
•  休憩　10:45～11:00
• 6 電荷秩序型強誘電体YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の電気伝導特性大阪府立大院工 ^○廣瀬浩次，吉村　武，芦田　淳，藤村紀文
• 7 Pt電極上YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の成長とその電気特性阪府大工 ^○（B）湯川博喜，廣瀬浩次，吉村　武，芦田　淳，藤村紀文
• 8 三角格子反強磁性体InFe₂O₄薄膜の作製と電気磁気特性東大院工 ^○関　宗俊，岩本藤行，小埜洋輔，田畑　仁
• 9 レーザ顕微鏡によるNaNbO₃薄膜のドメイン観察龍大理工 ^○山添誠司，櫻井裕之，和田隆博
• 10 AFMによるPbTiO₃薄膜及びナノ島の分極反転電流の測定（II）兵庫県大工 ^○山田耕生，清王義弘，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水　勝
• 11 ラマン分光法を用いたチタン酸鉛膜のドメイン形成過程のその場観察高知工大¹，防衛大²，東工大^{3 ○}西出正道¹，松岡将史¹，田井丈詞¹，西田　謙²，山本　孝²，舟窪　浩³，河東田隆¹
•  昼食　12:30～13:30

17p-TR - 1～18

• 1 原子平坦サファイア基板上へのPbTiO₃ナノ結晶アレイの作製と評価奈良先端大¹，原子力機構²，物材研³，CREST^{4 ○}西田貴司¹，米田安宏²，田村和久²，松村大樹²，木村秀夫³，堀田昌宏¹，上沼睦典^1,4，内山　潔¹，浦岡行治^1,4
• 2 MOCVD法によるPZT/ZnO積層ナノロッドの作製(II)兵庫県大¹，富士通研^{2 ○}伊美泰徳¹，久利龍平¹，中嶋誠二¹，藤沢浩訓¹，清水　勝¹，小高康稔²，本田耕一郎²
• 3 方位制御されたエピタキシャルBiFeO₃薄膜の結晶構造、電気特性評価東理大¹，東北大^{2 ○}曽根圭太¹，永沼　博²，中嶋宇史¹，岡村総一郎¹
• 4 PLD法によるITO基板上BiFeO₃薄膜の作製と評価阪大院基礎工¹，阪大ナノデザイン教育研究センター²，兵庫県立大院工^{3 ○（M2）}朴　正敏¹，後藤田文也¹，中嶋誠二³，金島　岳¹，奥山雅則²
• 5 イオンビームスパッタ法を用いたBiFeO₃薄膜の作製とその評価兵庫県大工¹，阪大院基礎工^{2 ○}辻田陽介¹，茅原智志¹，中嶋誠二¹，藤澤浩訓¹，朴　正敏²，金島　岳²，奥山雅則²，清水　勝¹
• 6 Characteristics of Mn-doped BiFeO₃ films formed on bottom LaNiO3/Pt(111) and SrRuO₃/Pt(111) electrodes by rf-sputtering東京工業大学¹，富士通研究所^{2 ○}金　正桓¹，舟窪　浩¹，杉山芳弘²，石原　宏¹
• 7 Pt,LaNiO₃,SrRuO₃を電極として用いたCrドープBiFeO₃薄膜の強誘電性、絶縁性の評価東工大総理工 ^○（M2）古川　晋，金　正恒，舟窪　浩，石原　宏
• 8 Chemical Solution Deposition法によるPr，Mn二元素置換BiFeO₃薄膜の作製と評価金沢大工¹，金沢大院自然²，東京理科大^{3 ○}中井裕和¹，橋本卓也¹，寺内裕紀²，中嶋宇史³，川江　健²，岡村総一郎³，森本章治²
•  休憩　15:30～15:45
• 9 第一原理計算によるBiCoO3の正方晶起源の研究富士フイルム ^○奥野幸洋，坂下幸雄
• 10 巨大正方歪みを有する(1-x)BiFeO₃-xBiCoO₃薄膜の作製と評価京大化研 ^○（D）中村嘉孝，河合正徳，東　正樹，島川祐一
• 11 X線回折によるBi_1.1Fe_0.9Co_0.1O₃ 薄膜の結晶特性評価京工繊院工芸¹，ブルカー・AXS²，阪大院基礎工^{3 ○}野田　実^1,3，斎藤啓介²，Nguyen Truong Tho³，山下　馨^1,3，奥山雅則³
• 12 BiFeO₃エピタキシャル薄膜の強誘電特性に対する格子不整合歪の影響大阪府立大院・工 ^○（M2）氏本勝也，吉村　武，藤村紀文
• 13 マルチフェロイックBiFeO₃-BaTiO₃薄膜の作製と評価名大エコトピア研 ^○坂本　渉，伊藤裕矢，守谷　誠，余語利信
• 14 エピタキシャルBi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃系薄膜の正方晶性制御東工大¹，ブルカーAXS²，上智大^{3 ○（DC）}安井伸太郎¹，矢澤慶祐¹，山田智明^1,2，森岡　仁^1,2，内田　寛³，舟窪　浩¹
• 15 BiFeO₃-Bi(Ti,Mg)O₃薄膜のその場レーザー光照射による結晶化兵工技セ¹，阪府大工^{2 ○}泉　宏和¹，氏本勝也²，吉村　武²，藤村紀文²
• 16 PLD法によるBi₁Nd_0.05Fe_0.97Mn_0.03O₃/Pt/CoFe₂O₄積層膜の作製と強誘電・強磁性特性の評価金沢大院自然¹，東北大院工²，東京理科大³，物材機構⁴ 胡　　潔¹，^○川江　健¹，永沼　博²，中嶋宇史³，寺内裕紀¹，金　兌映⁴，安藤康夫²，岡村総一郎³，森本章治¹
• 17 Pr, Mn ニ元素置換BiFeO₃薄膜の低温物性評価金沢大院¹，石川高専^{2 ○}野村幸寛¹，寺内祐紀¹，川江　健¹，山田　悟²，森本章治¹
• 18 磁性強誘電体YMnO₃薄膜のネール点近傍における強誘電性分極反転ダイナミクス阪府大院工¹，学振^{2 ○（DC）}前田和弘^1,2，吉村　武¹，藤村紀文¹

18a-TR - 1～11

• 1水熱合成法により形成されたPbTiO₃膜の構造に対する成膜温度の影響UBE 科学分析センター¹，山口大院理工^{2 ○}二井裕之^1,2，國重敦弘¹，中川浜三¹，小柳　剛²
• 2 CaF₂基板上の作製した菱面体組成エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃膜の結晶構造および強誘電特性東工大院¹，ブルカーAXS^{2 ○}江原祥隆¹，宇津木覚¹，中島光雅¹，森岡　仁^1,2，山田智明¹，舟窪　浩¹
• 3 SrTiO₃(001)傾斜基板へのPbTiO₃薄膜の作製兵庫県立大 ^○家根大彰，長副　亮，比企透雄，中嶋誠二，藤澤浩訓，清水　勝
• 4 自動ゾルゲル成膜装置を用いたPZT厚膜の成膜および評価東北大学工 ^○森脇政仁，川合祐輔，小野崇人，江刺正喜
• 5 水熱合成法を用いたエピタキシャルKNbO₃薄膜の方位制御東工大総理工 ^○榮西　弘，石河睦生，中島光雅，安井伸太郎，山田智明，黒澤　実，舟窪　浩
•  休憩　11:15～11:30
• 6 歪みエピタキシャル(Ba,Sr)TiO₃薄膜における誘電特性の配向依存性東工大¹，産総研^{2 ○}山田智明¹，多久和至¹，加茂嵩史¹，飯島高志²，舟窪　浩¹
• 7 電気泳動法による強誘電体BaTi₂O₅厚膜の作製と評価東理大理¹，産総研^{2 ○}西村和浩¹，島　宏美¹，李　鳳淵²，飯島高志²，中嶋宇史¹，岡村総一郎¹
• 8 易分解性前駆体を用いたBST誘電体膜のモフォロジーおよび電気特性制御三菱マテリアル中央研究所¹，三菱マテリアル三田工場^{2 ○}渡辺敏昭^1,2，桜井英章¹，曽山信幸²
• 9 PLD法で作製したBaTiO₃-Bi(Mg_0.5Ti_0.5)O_0.5エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性評価東工大院¹，山梨大²，産総研³，上智大⁴，東理大^{5 ○}田中秀典¹，山田智明¹，安井伸太郎¹，大和慶祐²，柏木悠太^3,5，岡村総一郎⁵，内田　寛⁴，和田智志²，飯島高志³，舟窪　浩¹
• 10 MBi₄Ti₄O₁₅ (M = Ca, Sr) 薄膜の高温誘電特性上智大理工¹，京都工繊院²，東工大物創³ 水谷佑樹¹，^○内田　寛¹，野田　実²，舟窪　浩³
• 11 インクジェット用強誘電体インクの安定性改善芝浦工大工 大場友裕，前田慎弥，^○山口正樹
•  昼食　13:00～14:00

18p-TR - 1～17

• 1 ゾルゲル法による酸化物チャネル薄膜トランジスタの作製東工大精研 ^○（M2）奥村優作，徳光永輔
• 2 IGZO-channel non-volatile memory TFTs with ferroelectric polymerP and I Lab, Tokyo Tech¹，ETRI²，Tokyo Tech³，Hitachi Ltd^{4 ○}Gwang Geun Lee¹，Sung Min Yoon²，Joo Won Yoon³，Yoshihisa Fujisaki⁴，Hiroshi Ishiwara³，Eisuke Tokumitsu¹
• 3 Au/BNFM/Nb:STO構造を用いたMFS型キャパシタの作製と評価金沢大院自然¹，金沢大工^{2 ○}ファラ　アシキン アリ¹，長田潤一²，野村幸寛¹，川江　健¹，森本章治¹
• 4 単結晶SrTiO₃をバッファ層に用いた強誘電体ゲートトランジスタの特性 II東工大総理工¹，ETRI^{2 ○}笠原直也¹，尹　聖民^1,2，馬淵貴也¹，井上和彦¹，石原　宏¹
• 5 ペンタセン上でのP(VDF-TrFE)スピンコーティングにおける特性劣化の溶液依存性東工大総理工¹，韓国電子通信研究院^{2 ○}馬淵貴也¹，尹　聖民^1,2，石原　宏¹
• 6 極薄P(VDF-TeFE)の作製とそのメモリFET応用阪大基礎工¹，阪大ナノサイエンスデザイン教育研究センター² 渡邊友浩¹，^○金島　岳¹，奥山雅則²
• 7 高分子強誘電体/有機半導体積層膜における強誘電スイッチング特性東理大理 ^○中嶋宇史，中村茉里香，古川猛夫，岡村総一郎
• 8 Electrical characteristics of p-ch Si MFIS-FETs using P(VDF-TrFE) thin films東工大¹，ETRI^{2 ○}尹　珠元¹，尹　聖民^1,2，石原　宏¹
•  休憩　16:00～16:15
• 9 (Bi_1.0Pr_0.10)(Fe_0.97Mn_0.03)O₃を用いたMFIS構造の作製と評価金沢大院自然¹，金沢大工^{2 ○}西岡直紀¹，橋本卓也²，猪阪直也¹，寺内裕紀¹，中井裕和²，川江　健¹，佐々木公洋¹，森本章治¹
• 10 PZT強誘電体キャパシタにおける多値メモリの安定性阪大院基礎工¹，阪大² Damian Nicastro¹，^○Dan Ricinschi¹，金島　岳¹，奥山雅則²
• 11 ZnO/PZT積層構造を用いた強誘電体メモリスタパナソニック先端研 ^○金子幸広，田中浩之，上田路人，藤井映志
• 12 分極機能型強誘電体ゲートTFTのデバイス特性評価阪府大工 ^○（D）福島匡泰，吉村　武，前田和弘，芦田　淳，藤村紀文
• 13 ZnOナノロッドをチャネルに用いた強誘電体ゲートトランジスタの作製(III)兵庫県大工 ^○納多真輝，鈴木泰斉，久利龍平，伊美泰徳，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水　勝
• 14 強誘電体ディスクリート媒体の作製とデータ記録に関する研究東北大通研 ^○隅山直樹，平永良臣，長　康雄
• 15 サーボ・トラッキング法を用いた強誘電体高密度記録東北大 ^○田中健巧，長　康雄
• 16 DRAM キャパシタ用多元素系高誘電率膜の開発広大RNBS ^○大和昌樹，吉川公麿
• 17 強誘電体薄膜センサへの応用へ向けたγ-Al2O3(001)選択エピタキシャル成長豊橋技科大工¹，豊橋技科大VBL²，JST-CREST^{3 ○}大石浩史¹，菅井隆博¹，小澤　学¹，赤井大輔²，石田　誠^1,3

19a-TL - 1～11

• 1ナノインデンテーション法によるSi基板上のAl2O3薄膜の機械特性評価オミクロンナノテクノロジージャパン¹，産業技術総合研究所、計測標準研究分門^{2 ○}Thithi Lay¹，大川登志郎¹，北村陽嗣¹，吉原一紘¹，松林信行²，今村元康²，小島勇夫²
• 2 レーザードップラ変位計を用いたPZT薄膜の高周波圧電変位特性評価産業技術総合研究所 ^○李　鳳淵，飯島高志，福山誠司
• 3 幾何学的位相解析によるPbTiO₃薄膜90^。ドメインの局所歪み場解析東北大金研¹，東北大院工²，東工大院総理工^{3 ○}木口賢紀¹，今野豊彦¹，青柳健大²，宇津木悟³，山田智明³，舟窪　浩³
• 4 強誘電体薄膜の正圧電特性と振動発電素子への応用大阪府立大¹，府立産技総研^{2 ○（B）}宮渕弘樹¹，吉村　武¹，村上修一²，藤村紀文¹
• 5 エピタキシャルPZT薄膜における圧電すべり効果の配向依存性京大院工 ^○赤間健司，神野伊策，和佐清孝，小寺秀俊
•  休憩　10:15～10:30
• 6 配向制御したBaTiO₃膜の結晶構造および圧電特性評価京大院工 ^○今井英之，神野伊策，和佐清孝，小寺秀俊
• 7 パルスレーザー蒸着法によるSi基板上へのNaNbO₃薄膜の形成龍谷大理工 ^○深田正紀，山添誠司，和田隆博
• 8 PLD法による (Na_0.5K_0.5)NbO₃-BaZrO₃-(Bi_0.5Li_0.5)TiO₃非鉛圧電薄膜の作製龍谷大理工 ^○三好雄三，服部貴文，山添誠司，和田隆博
• 9 スパッタ法によるc軸配向(K,Na)NbO3薄膜の圧電特性日立電線 ^○柴田憲治，末永和史，渡辺和俊，堀切文正，野本　明，三島友義
• 10 c軸配向(K,Na)NbO3薄膜における結晶格子歪みと圧電特性の関係日立電線 ^○末永和史，柴田憲治，渡辺和俊，野本　明，堀切文正，三島友義
• 11 PLD法による(001), (110), (111)SrTiO₃基板へのAgNbO₃膜の作製龍谷大理工 ^○櫻井裕之，山添誠司，和田隆博