5. 光エレクトロニクス

19a-E - 1～11

• 1 面発光レーザ微小化に向けた量子構造混晶化の膜質依存性東工大精研 ^○牛尾拓也，宮本智之
• 2 屈折率差サブ波長格子を用いた多波長面発光レーザアレイの波長域拡大東工大精研¹，カリフォルニア大バークレー校^{2 ○}今村明博¹，顧　暁冬¹，Vadim Karagodsky²，Bala Pesala²，Connie Chang-Hasnain²，小山二三夫¹
• 3 高屈折率差サブ波長格子を用いた面発光レーザの波長トリミング東工大精研 ^○顧　暁冬，今村明博，小山二三夫
• 4 マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長トリミング東工大精研 ^○佐野勇人，中田紀彦，松谷晃宏，小山二三夫
• 5 マイクロマシン構造を用いたアサーマル面発光レーザの多波長集積化の検討II東工大精研 ^○中田紀彦，佐野勇人，松谷晃宏，小山二三夫
•  休憩　10:15～10:30
• 6 Tunable Hollow Waveguide Laser with 66-nm Tuning Range東工大精研¹，カリフォルニア大^{2 ○}Kumar Mukesh¹，Chase Chris²，Karagodsky Vadim²，Sakaguchi Takahiro¹，Koyama Fumio¹，Chang-Hasnain Connie²
• 7 InGaAs/GaAs量子ドットによるコム状多波長発生光源の開発情報通研¹，青学大^{2 ○}山本直克¹，赤羽浩一¹，川西哲也¹，外林秀之^1,2
• 8 波長1um帯高速成長InGaAs量子ドットレーザの低閾値化首都大東京¹，情通機構^{2 ○}中村拓也¹，赤羽浩一²，山本直克²，川西哲也²，菅原宏治¹
• 9 GaAs_1-xBi_xファブリ・ペローレーザの発振波長の低温度依存性京都工繊大電子システム ^○富永依里子，尾江邦重，吉本昌広
• 10 高純度GaAsのフォトルミネセンスと補償比の相関関係Chubu University ^○まどう　すだん かやすた，どるが　ぱるさだ さぷこた，松浪育生，高橋　誠，脇田紘一
• 11 高信頼性638 nmブロードエリア半導体レーザ三菱電機高周波光デバイス ^○西田武弘，島田尚往，由川　真，元田　隆，小野健一，宮下宗治，八木哲哉，島　顕洋
•  昼食　12:00～13:00

19p-E - 1～18

• 1 1.3μm帯AlGaInAs系DFB-LDの25Gbps低電流直接変調動作三菱電機 ^○境野　剛，瀧口　透，佐久間仁，綿谷　力，柳楽　崇，鈴木大輔，青柳利隆，石川高英
• 2 1.3 μm帯InAs/GaAs高密度量子ドットレーザの25 Gbps直接変調富士通研究所¹，富士通²，QDレーザ³，技術研究組合光電子融合基盤技術研究所⁴，東大ナノ量子機構⁵，東大先端研^{6 ○}田中　有^1,2,3,4，石田　充⁵，高田　幹⁵，宋　海智¹，中田義昭^1,3，山本剛之^1,2,4，西　研一³，山口正臣³，菅原　充³，荒川泰彦^5,6
• 3 端面発光型AlGaInAs/InPレーザの端面温度低減住友電工伝送デバイス研¹，住友電工解析研^{2 ○}市川弘之^1,2，生駒暢之¹
• 4 AlGaInAs/InP 埋め込みヘテロ構造レーザにおける再成長界面品質のサーマルクリーニング依存性東工大電気電子工学専攻¹，東工大電気電子工学科²，東工大量子ナノ^{3 ○}瀧野祐太¹，白尾瑞基¹，佐藤孝司²，西山伸彦^1,2，荒井滋久^1,2,3
• 5 横方向電流注入レーザの変調特性東工大量子ナノ¹，東工大電電^{2 ○}奥村忠嗣^1,2，近藤大介^1,2，伊藤　瞳^1,2，李　承勲^1,2，高橋大佑^1,2，西山伸彦²，荒井滋久^1,2
• 6 AlGaInAs量子井戸活性層を有する長波長帯レーザトランジスタ変調効率の構造依存性東工大 電電¹，東工大　量エレ^{2 ○}白尾瑞基¹，李　承勲¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 7 GaNAsトンネル注入量子井戸レーザの設計及び動作解析東工大精研 ^○（D）比嘉康貴，松崎真也，反町幹夫，宮本智之
• 8 AlGaInAs-InP SQW レーザのしきい値電流密度の応力依存性Chubu University, Japan ^○（D）Durga Prasad Sapkota，Madhu Sudan Kayastha，Koichi Wakita
• 9 チャープ回折格子-リング共振器結合レーザの低消費電力波長可変動作住友電工伝送デバイス研 関　守弘，^○福田智恵，藤井康祐，小山健二，平塚健二，村田道夫，加藤隆志
•  休憩　15:15～15:30
• 10 THz波発生用AlGaAs量子井戸リッジ型2波長集積DBRレーザ阪大院工 石田秀直，^○上向井正裕，伊藤　明，栖原敏明
• 11 光フィルタリングと光フィードバックによる半導体レーザーの雑音低減電通大電子¹，情通機構^{2 ○}宮川　雄¹，和田一尭¹，笠井克幸²，張　　贇¹，岡田佳子¹，渡辺昌良¹
• 12 選択的反導波クラッド層を設けたリッジ型半導体レーザー立命大・理工 ^○（B）桂川大也，沼居貴陽
• 13 反導波クラッド層を設けたリッジ型半導体レーザーの溝幅依存性立命館大 ^○松原　礼，沼居貴陽
• 14 水平方向カップリング型屈折率分布をもつリッジ型半導体レーザー立命大院・理工 ^○（M1）柴　国偉，沼居貴陽
• 15 プロトン注入クラッド層をもつ水平横モード／キャリア分離閉じ込めリッジ型半導体レーザー立命大院・理工 ^○（M1）加藤大季，沼居貴陽
• 16 1xN型アクティブMMI構造による単一波長レーザー発振に向けた基礎検討九大 ^○（M2）日隈康裕，三富崇平，袁　智鵬，藤田智彰，浜本貴一
• 17 ペルチェ動作量子カスケード・レーザの低電流域での相対強度雑音立命大¹，浜ホト中研^{2 ○}片岡　誉¹，森本恭弘¹，古田　峻¹，笠原健一¹，藤田和上²，秋草直大²，枝村忠孝²
• 18 LP-MOVPEによる選択成長とダブルキャップ法およびバッファ層組成変化を用いた広帯域量子ドットLEDの作製上智大学 ^○川島史裕，鈴木勇介，井上朋紀，下村和彦

20a-E - 1～11

• 1100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの高感度化三菱電機　波光電 ^○竹村亮太，中路雅晴，鈴木大輔，綿谷　力，佐久間仁，柳楽　崇，青柳利隆，石川高英
• 2 低バイアス動作を特徴とする高効率・広帯域フォトダイオードの提案NTTフォトニクス研究所¹，NTTエレクトロニクス^{2 ○}吉松俊英¹，村本好文¹，児玉　聡¹，古田知史¹，重川直輝¹，横山春喜¹，石橋忠夫²
• 3 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PDの熱解析三菱電機 ^○板倉成孝，酒井清秀，石村栄太郎，中路雅晴，青柳利隆，平野嘉仁
• 4 InGaAs/GaAsSb type II 量子井戸を用いた非冷却近赤外2次元センサアレイ住友電工¹，大阪府大^{2 ○}三浦広平¹，森　大樹¹，永井陽一¹，稲田博史¹，猪口康博¹，河村裕一²
• 5 紫外・真空紫外検出器の特性評価II　-窒化物半導体材料等の透過率・反射率-産総研計測標準¹，福井大工²，ALGAN^{3 ○}齋藤輝文¹，尾崎恭介²，澤井　駿²，人羅俊実³，福井一俊²，齊藤一朗¹
•  休憩　10:15～10:30
• 6 0.18um CMOSプロセスによるSi APDの高速化の検討金沢大自然研 ^○（M2）高松英輝，丸山武男，飯山宏一
• 7 Ge-Geウェハの常温接合-真空度とArビーム照射時間の影響-東京大学¹，NICT^{2 ○}倉山竜二¹，日暮栄治¹，王　英輝¹，須賀唯知¹，土井靖生¹，澤山慶博¹，寳迫　巌²
• 8 GaNへの不純物拡散三菱電機 ^○白水達也，塩沢勝臣，柳生栄治
• 9 シリコン導波路内の高次ストークス光発生における実効モード断面積の伝播方向依存性東大院総合（駒場） ^○（D）田名網宣成，深津　晋
• 10 8:1集積型SOAゲートスイッチのポート間利得偏差低減富士通 ^○田中信介，鄭　錫煥，植竹理人，山崎　進，森戸　健
• 11 高効率・高温動作コラムナ量子ドット光増幅器富士通¹，PETRA²，富士通研³，QDレーザ⁴，東大ナノ量子機構⁵，東大生産研⁶，東大先端研^{7 ○}関口茂昭^1,2，安岡奈美^1,2，奥村滋一^1,2，河口研一³，江部広治¹，森戸　健^1,2，菅原　充⁴，荒川泰彦^5,6,7