特別シンポジウム

15a-F11 - 1〜8

• 1窒化物半導体における特異構造の理解と制御 【はじめに】（10分）三重大院工 ^○平松和政
• 2窒化物半導体の特異ナノ構造制御とデバイス展開（30分）上智大理工¹，上智ナノテク研究センター^{2 ○}岸野克巳^1,2，江馬一弘^1,2，菊池昭彦^1,2，野村一郎^1,2
• 3InGaNナノワイヤにおける内部量子効率の発光波長依存性豊田高専¹，山口大院理工²，名大院工^{3 ○}室谷英彰¹，安藤浩哉¹，塚本武彦¹，杉浦藤虎¹，山田陽一²，田畑拓也³，本田善央³，山口雅史³，天野　浩³
• 4光取りだし効率に及ぼすInGaN-LED のコーン形状マスク層の屈折率依存性山口大 ^○（M1）三好清太，内田聡充，山根啓輔，岡田成仁，只友一行
•  休憩　10:40〜10:55
• 5極性混在AlN上へのAlGaN量子ドット状キャリア局在構造立命館大R-GIRO ^○武内道一，黒内正仁，黄　恩淑，青柳克信
• 6窒化サファイア基板上LPE-AlN膜の回転ドメインとその単一化東北大多元研¹，住友金属鉱山^{2 ○}安達正芳¹，高杉茉里¹，杉山正史²，田中明和²，福山博之¹
• 74H-SiC (1120) 基板上に成長した4H-AlN/4H-GaN超格子のTEM観察京大工¹，京大光電子理工セ^{2 ○}金子光顕¹，上田俊策¹，奥村宏典¹，木本恒暢^1,2，須田　淳¹
• 8原子層へテロ構造制御による窒化物発光デバイス新領域の開拓（30分）理研 ^○平山秀樹
•  昼食　12:10〜13:30

15p-F11 - 1〜11

• 1高In組成InGaN実用化にむけて（30分）名大院工・赤崎記念研究センター ^○天野　浩
• 2MOVPE成長中におけるX線その場観察測定を用いたGaInNの緩和過程の観察名城大・理工¹，名大・赤崎記念研究センター^{2 ○（P）}飯田大輔¹，杉山　徹¹，近藤保成¹，曽和美保子¹，松原大幸¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,2
• 3窒化物半導体結晶の特異構造形成を理解するためのX線によるその場観察装置の開発名大 ^○田渕雅夫，益田征典，安西孝太，鞠　光旭，二木浩之，森　康博，渕　真悟，竹田美和
• 4HVPE法AlN成長におけるボイドを用いた歪み・転位低減技術（30分）三重大院工 ^○三宅秀人，平松和政
• 5非平衡パルス励起制御を用いた特異構造の導入法の開発（30分）東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}藤岡　洋^1,2
•  休憩　15:30〜15:45
• 6r面サファイア加工基板上{11-22}GaN成長における転位ブロッキングトクヤマ¹，山口大院理工^{2 ○}古家大士^1,2，岡田成仁²，只友一行²
• 7サファイア基板上での窒化膜形成初期過程に関する量子論的アプローチ三重大院工 ^○秋山　亨，斉藤康高，中村浩次，伊藤智徳
• 8非極性Ｍ面InGaN/GaNヘテロ構造における格子傾斜とすべり面パナソニック¹，高輝度光科学研究セ^{2 ○}吉田俊治¹，横川俊哉¹，今井康彦²，木村　滋²
• 9近接場分光による局在・輻射・非輻射再結合ダイナミクスの評価（30分）京大院工 ^○川上養一，船戸　充，金田昭男
• 10フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価（30分）東北大多元研¹，筑波大電物工^{2 ○}秩父重英¹，羽豆耕治¹，石川陽一¹，古澤健太郎¹，上殿明良²
• 11GaN系へテロ界面構造の特徴とその評価（30分）北大量エレ研 ^○橋詰　保