特別シンポジウム

15p-E1 - 1〜11

• 1イントロダクトリトーク（5分）高知工科大総研 ^○山本哲也
• 2デバイス製造用シリコンウェーハ中の原子空孔と軽元素不純物：物性と機能制御（30分）新潟大超域 ^○金田　寛
• 3パワーデバイス用シリコンウエハの技術動向：キャリア寿命制御（30分）千葉工大工 ^○山本秀和
• 4Si結晶中の高濃度δドーピング層Bi不純物のレーザアニール法を用いた光学的・電気的活性化物材機構¹，筑波大院数物²，東大院総合³，産総研^{4 ○（D）}村田晃一^1,2，安武裕輔³，日塔光一¹，坂本邦博⁴，深津　晋³，三木一司^1,2
• 5ダイヤモンドの光伝導におけるアクセプタ／ドナー相互作用（30分）物材機構 ^○小出康夫
•  休憩　14:55〜15:05
• 6希土類添加半導体に発現する協働的な発光機能制御（30分）阪大院工 ^○藤原康文
• 7GaAsエピタキシャル界面への窒素のデルタドーピングと高均一発光特性（30分）神戸大院工 ^○喜多　隆，原田幸弘
• 8光反応による金属酸化物膜の電気・光特性制御（30分）産総研 ^○土屋哲男，中島智彦，篠田健太郎
• 9EuTiO₃薄膜の欠陥導入に基づく強磁性（30分）京大院工 ^○田中勝久，藤田晃司
• 10酸化亜鉛における価電子状態制御：局在状態と非局在状態（30分）高知工科大総研 ^○山本哲也，宋　華平，牧野久雄
• 11クロージングトーク（5分）阪大院工 ^○藤原康文