シンポジウム

15a-F6 - 1〜6

• 1基礎研究が拓くポストスケーリング（5分）JST ^○佐藤勝昭
• 2光配線LSI実現に向けたGeナノ光電子集積回路の開発（30分）東大院工¹，JSTさきがけ^{2 ○}竹中　充^1,2，高木信一¹
• 3量子ドットを用いた単電荷・スピン・光機能融合デバイス（30分）東大ナノ量子機構¹，東大生研²，JSTさきがけ³，上智理工^{4 ○}中岡俊裕^1,2,3,4，田村悠悟^1,2，渡邉克之^1,2，熊谷直人^1,2，宮澤俊之^1,2，太田泰友^1,2，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 4ワイドギャップ半導体中の単一常磁性発光中心による量子情報素子（30分）阪大基礎工¹，さきがけ^{2 ○}水落憲和^1,2
• 5ナノ構造制御した光生成磁束量子デバイスの創製（30分）阪大レーザー研¹，JSTさきがけ^{2 ○}川山　巌^1,2
• 6最先端研究開発支援プロジェクト「グリーンナノエレクトロニクスのコア技術開発」（40分）産業技術総合研究所 ^○横山直樹
•  昼食　11:45〜13:00

15p-F6 - 1〜9

• 1窒化物半導体新領域開拓に向けての材料技術最近の展開（40分）立命館大R-GIRO¹，工学院大工²，立命館大理工³，ソウル大WCU^{4 ○}名西やすし^1,4，山口智広²，王　　科¹，荒木　努³，Yoon Euijoon⁴
• 2極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能（30分）東北大金研¹，JSTさきがけ²，東大新領域^{3 ○}片山竜二^1,2，松岡隆志¹，福原裕次郎³，角田雅弘³，窪谷茂幸³，尾鍋研太郎³
• 3オンチップ光配線用窒化物基板の創製とシステム熱設計支援 -固体ソース溶液成長法によるAlN単結晶の作製-（30分）九大応研¹，JST さきがけ^{2 ○}寒川義裕^{1, 2}
• 4ワイドギャップ酸化物における界面機能開発（30分）東工大応セラ研¹，科学技術振興機構^{2 ○}須崎友文^1,2
•  休憩　15:10〜15:25
• 5Magnetoresistance and spin-transfer torque in magnetic tunnel junctions（40分）産総研¹，IEEE Distinguished Lecturer^{2 ○}湯浅新治^1,2，薬師寺啓¹，久保田均¹，福島章雄¹，安藤功兒¹
• 6Si系半導体ナノ構造を基礎とした単一電子スピントランジスタの開発 〜 Si-MOSFET 構造における電気的スピン注入・検出技術 〜（30分）九大院シス情¹，JST・さきがけ^{2 ○}浜屋宏平^1,2
• 7ワイドギャップ強磁性半導体デバイス（30分）東大理¹，JSTさきがけ^{2 ○}福村知昭^1,2
• 8サーモエレクトロニクスを指向した基礎材料の開発（30分）筑波大数理¹，JSTさきがけ^{2 ○}小林　航^1,2
• 9クロージングトーク（10分）東工大量子ナノ研セ ^○小田俊理