シンポジウム

15p-F10 - 1〜9

• 1はじめに（10分）宮崎大IRO ^○鈴木秀俊
• 2元素及び化合物半導体の格子歪と欠陥（40分）九州大学応力研 ^○柿本浩一，Bing Gao，中野　智，寒川義裕
• 3半導体材料局所領域における微細構造・歪のX線マイクロ回折評価（25分）阪大院基礎工¹，高輝度光科学研究セ^{2 ○}酒井　朗¹，吉川　純¹，中村芳明¹，今井康彦²，坂田修身²，木村　滋²
• 4ナノひずみ制御による超高密度InAs量子ドットの自己形成とそのデバイス応用（25分）電通大院情報理工　 ^○山口浩一
• 5半導体薄膜結晶のひずみを観る（25分）九大産学連携センター¹，九大総理工^{2 ○}桑野範之¹，桑原崇彰²
•  休憩　15:05〜15:20
• 6半導体とひずみ（40分）金沢工大 ^○上田　修
• 7X線ベリー位相効果を用いた新しい微小歪み評価法（25分）理研SPring-8センター ^○香村芳樹，澤田　桂，石川哲也
• 8放射光を用いたナノひずみのその場測定と制御（25分）原子力機構 ^○高橋正光
• 9透過型電子顕微鏡を用いた半導体デバイスの解析（25分）日本電子 ^○遠藤徳明，奥西栄治，近藤行人