シンポジウム

15p-B3 - 1〜11

• 1イントロダクトリートーク：ナノワイヤ研究の進展と動向（10分）北大情報科学研究科 ^○本久順一
• 2InAsナノワイヤの回路応用（30分）上智大理工¹，デュースブルグ・エッセン大^{2 ○}和保孝夫¹，Werner Prost²
• 3Si基板上III-V族化合物半導体ナノワイヤの成長と応用（30分）名大院工 ^○山口雅史，白　知鉉，田畑拓也，中川慎太，本田善央，天野　浩
• 4IV族半導体ナノワイヤの成長と不純物ドーピング（30分）神戸大・工・電気電子¹，パナソニック^{2 ○}藤井　稔¹，川島孝啓²，斉藤　徹²
• 5自己触媒ＶＬＳ法によるInP-InAsヘテロ構造ナノワイヤの結晶成長NTT物性基礎研 ^○症　国強，舘野功太，後藤秀樹，寒川哲臣
•  休憩　14:55〜15:15
• 6III族窒化物半導体ナノワイヤ/量子ドットのMOCVD結晶成長と光学特性（30分）東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}有田宗貴¹，ギヒョン チェ²，荒川泰彦^1,2
• 7近赤外発光デバイス向けInP系ナノワイヤの形成（30分）富士通研¹，ルンド大^{2 ○}河口研一^1,2，Magnus Heurlin²，David Lindgren²，Magnus Borgström²，Lars Samuelson²
• 8発光素子用ビィルディングブロックとしてのZnOナノ結晶（30分）九大システム情報 ^○岡田龍雄，中村大輔
• 9計算科学から見た半導体ナノワイヤの形成機構（30分）三重大院工 ^○秋山　亨
• 10Ge(110)-16x2及びSi(110)-16x2 単一ドメイン表面をテンプレートとした分子ナノワイヤー作製筑波大物工¹，マヒドール大²，原子力機構^{3 ○}山田洋一¹，アサウィン スィンサップ²，横山有太³，朝岡秀人³，佐々木正洋¹
• 11総合討論（15分）阪大 ^○柳田　剛