シンポジウム
薄膜・表面物理分科会企画「軽元素ワイドギャプ薄膜のヘテロエピタキシャル成長と高機能化界面」
3月15日 13:30〜16:40 会場：F5
15p-F5 - 1〜6
- 1はじめに - 軽元素ワイドギャプ薄膜のヘテロエピタキシャル成長と高機能化界面（10分）物質・材料研究機構 ○寺地徳之
- 2ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長（40分）トウプラスエンジニアリング1，青学大理工2 澤邊厚仁2，○鈴木一博1
- 3Si基板上への立方晶SiCヘテロエピ成長のメカニズム（40分）産総研 ○石田夕起
- 休憩 15:00〜15:10
- 4窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造: 結晶成長とデバイス応用（40分）NTT物性研1，佐賀大院工2 ○平間一行1，谷保芳孝1，嘉数 誠2
- 5III族窒化物/SiCのヘテロエピタキシャル成長とデバイスへの展開（40分）京大院・工 ○須田 淳
- 6まとめ（10分）産業技術総合研究所 ○山崎 聡
