シンポジウム
15p-F3 - 1〜10
- 1はじめに - 3D原子イメージング技術の新展開(10分)奈良先端大学 ○大門 寛
- 2光電子回折分光法と立体原子写真による元素・層・サイト依存状態解析(30分)奈良先端大物質創成1,JASRI2 ○松井文彦1,前島尚行1,松井公佑1,松下智裕2,大門 寛1
- 3蛍光X線ホログラフィーの薄膜試料への展開(30分)東北大学 ○林 好一
- 4電子回折イメージング(30分)北大・工 ○郷原一寿
- 53D local structure analysis of relaxor ferroelectrics by X-ray fluorescence holographyJapan Atomic Energy Agency1,東北大金研2,広島市大3,USTB4,SFU5,Hiroshima Inst. Tech.6,兵庫県大7 ○Wen Hu1,林 好一2,八方直久3,大和田謙二1,Jun Chen4,Zuo-Guang Ye5,細川伸也6,高橋正光1,7
- 休憩 14:55〜15:10
- 6X線CTR散乱を用いた表面及び界面の原子イメージング(30分)東大物性研 ○高橋敏男
- 7光電子・逆光電子ホログラフィーと先端原子像再生アルゴリズム(30分)JASRI1,奈良先端大2,堀場3,東北大4 ○松下智裕1,松井文彦2,大門 寛2,上坂彰朗3,林 好一4
- 8光電子ホログラフィーと蛍光X線ホログラフィーの相補利用:強磁性半導体薄膜の測定例から(30分)広島市大情報 ○八方直久
- 9Fe2O3結晶を使用した蛍光X線ホログラムの計測・解析法に関する研究SPpring-8/JASRI1,広島市立大2,広島工大3,東北大/金研4 ○岡田京子1,松下智裕1,依田芳卓1,大端 通1,櫻井吉晴1,八方直久2,細川伸也3,林 好一4
- 10蛍光X線ホログラフィー法による希薄磁性半導体ZnSnAs2:Mn薄膜のMn置換サイトの解析長岡技科大1,東北大2,広島市立大3,広島工大4,JAEA5,JASRI6 ○(M2)山神圭太郎1,林 好一2,内富直隆1,八方直久3,竹原祐紀3,細川伸也4,Wen Hu5,鈴木基寛6