分科内シンポジウム

素子間信号伝達構造界面の物理化学,その現状と今後

13. 半導体A(シリコン)

3月17日 13:30〜17:10  会場:A5

17p-A5 - 1〜8

  • 1はじめに:本分科内シンポジウムの意義(10分)産総研 小川真一
  • 2集積回路における信号伝送技術の基礎と今後の展望(30分)東工大 松澤 昭
  • 3走査電子顕微鏡下機械試験により評価されたLSI配線の局所付着強度(30分)名古屋工業大学1,科学技術振興機構2,慶應大学3,富士通研究所4,日本電子5 神谷庄司1,2,宍戸信之1,2,佐藤 尚1,2,小岩康三1,2,大宮正毅2,3,西田政弘1,2,鈴木貴志4,中村友二4,野久尾毅2,5,長澤忠広2,5
  • 4Si貫通ビア電極周辺における局所歪構造の分析名古屋大工1,東大工2,富士通研3 中塚 理1,北田秀樹2,金永ソク2,水島賢子3,中村友二3,大場隆之2,財満鎭明1
  • 5光配線に向けた超小型光回路における光損失(30分)NTT MI研 板橋聖一,山田浩治,土澤 泰,渡辺俊文
  •  休憩 15:25〜15:40
  • 6メタル直下のグラフェン電子輸送特性の理解とコンタクト抵抗への影響(30分)東大院工 長汐晃輔,鳥海 明
  • 7有機トランジスタへのコンタクト形成(30分)物材機構1,理研2,JST-CREST3 三成剛生1,2,Peter Darmawan1,塚越一仁1,3
  • 8金属原子ワイヤーとコンダクタンス(30分)筑波大数理 木塚徳志