17. ナノカーボン

17.4 デバイス応用

3月17日 13:30〜18:45  会場:B2

17p-B2 - 1〜20

  • 1半導体的グラフェンのバリスティック電子輸送特性神戸大工1,JST CREST2 土屋英昭1,2,細川博司1,迫龍太郎1,長谷川直実1,小川真人1
  • 2グラフェンネットワークによるバンドギャップの制御(4)北大量集センター1,大日本印刷2 鄒 柳民1,閻 子威1,小西敬太1,法元盛久2,陽 完治1
  • 3ダイヤモンドライクカーボントップゲート絶縁膜によるグラフェンチャネルFETのチャネルドーピング制御東北大・通研1,JST-CREST2,東北大・多元研3 ○(P)鷹林 将1,2,楊  猛3,小川修一3,高桑雄二3,末光眞希1,2,末光哲也1,2,尾辻泰一1,2
  • 4ゲート制御されたP-I-N接合を有するグラフェンナノリボン素子産総研GNC1,産総研ICAN2,物材機構MANA3 中払 周1,飯島智彦2,小川真一2,宮崎久生3,黎 松林3,塚越一仁3,佐藤信太郎1,横山直樹1
  • 5バイオセンシングに向けた化学修飾によるグラフェンへの影響阪大産研 ○(M1)岡本翔伍,大野恭秀,前橋兼三,井上恒一,松本和彦
  • 6酸化グラフェン薄膜電界効果トランジスタの作製とセンサー応用阪大院工応物1,阪大産研2 倉本一輝1根岸良太1,大野恭秀2,前橋兼三2,松本和彦2,小林慶裕1
  • 7グラフェンナノリボンによる赤外光検出東大生産研1,東大ナノ量子機構2,JST さきがけ3 荒井美穂1,大貫雅広1,増渕 覚1,2,町田友樹1,2,3
  • 8多層グラフェンからの電界放出のTEM及びFEMによる研究名大院工 中久保一也,安坂幸師,中原 仁,齋藤弥八
  • 9スパッタアモルファスカーボンの熱処理により成膜した多層グラフェン配線産総研 佐藤元伸,高橋 慎,中野美尚,村上 智,川端章夫,二瓶瑞久,横山直樹
  • 10サファイア基板上にCVD法で作製したグラファイト薄膜の電気特性日本工大 亀田伸大,武内 峻,鈴木敏正
  •  休憩 16:00〜16:15
  • 11300mmウェハ対応ナノカーボン合成プロセス開発(1)LEAP 西出大亮,松本貴士,伊東 伴,山崎雄一,北村政幸,渡邉勝仁,佐久間尚志,梶田明広,酒井忠司
  • 12300mmウエハ対応ナノカーボンCMPプロセス開発(1)超低電圧デバイス技術研究組合 伊東 伴,西出大亮,松本貴士,片桐雅之,斎藤達朗,和田 真,渡邉勝仁,佐久間尚志,梶田明広,酒井忠司
  • 13特徴抽出による自己組織的ナノチューブ薄膜の伝導パス評価産総研 ○(PC)大森滋和,斎藤 毅,湯村守雄,飯島澄男
  • 14導電型原子間力顕微鏡を用いたCNTネットワークの抵抗分布測定名大工1,名大VBL2 柞山公佑1,沖川侑揮1,大野雄高1,岸本 茂1,2,水谷 孝1
  • 15導電性AFMプローブを用いたCNTと金属の接触抵抗の評価早大理工1,名大エコトピア科学研2 稲葉優文1,大原一慶1,落合拓海1,東松直哉2,平岩 篤1,楠美智子2,川原田洋1
  • 16超臨界流体を用いたPt-Au合金ナノ微粒子/カーボンナノウォール(CNWs)複合材料の作成名大院工1,名城大理工2,NUエコ・エンジニアリング3 堀部剛良1,三ツ口真司2,加納浩之3,近藤博基1,石川健治1,平松美根男2,関根 誠1,堀  勝1
  • 17カーボンナノウォールを用いた電気化学測定における大気圧プラズマ表面修飾の効果名学1,名城大2 渡邊 均1,前田貴文2,近藤博基1,平松美根男2,関根 誠1,堀  勝1
  • 18カーボンオニオンを用いた電気二重層キャパシタ電極の作製および評価東工大機物 渡部 純,平田 敦
  • 19PZT薄膜によるカーボンナノチューブ片持ちはりの励振大阪府立大 駕田達哉,吉仲 淳,片岡翔吾,廣島成哉,有江隆之,秋田成司
  • 20カーボンナノチューブ複合紙を用いた人工物メトリクス認証応用横国大院工 ○(M1)山本一貴,大矢剛嗣

17.4 デバイス応用

3月18日 9:00〜12:45  会場:B2

18a-B2 - 1〜14

  • 1グラフィティックカーボン挿入電極CNT-FET の障壁高さの見積もり名大1,名大VBL2 玉置聖人1,岸本 茂1,2,大野雄高1,水谷 孝1
  • 2嫌気環境システムを利用したAl-CNTFETにおけるn-型特性の評価名大工1,名大VBL2 ○(PC)石井 聡1,2,玉置聖人1,岸本 茂1,2,大野雄高1,水谷 孝1
  • 3High-κ絶縁膜を用いたドット浮遊ゲート構造CNTメモリの特性向上阪大産研 藤井雄介,大野恭秀,前橋兼三,井上恒一,松本和彦
  • 4イオンゲルを用いた高性能半導体SWCNTトランジスタ東北大理1,早大先進2,PRESTO3,首都大理4,東大工5 ○(DC)蓬田陽平1,竹延大志2,3,柳 和宏4,岩佐義広5
  • 5柔軟で透明性なオールカーボン薄膜トランジスタ名大工1,アアルト大2 ○(P)孫 東明1,Marina Y. Timmermans2,Antti Kaskela2,Albert G. Nasibulin2,岸本 茂1,水谷 孝1,Esko I. Kauppinen2,大野雄高1
  • 6液相プロセスで作製したカーボンナノチューブ薄膜トランジスタにおける界面活性剤の影響産総研ナノシステム1,JST CREST2 ○(PC)清水麻希1,2,藤井俊治郎1,2,劉 華平1,2,伊藤靖浩1,2,田中丈士1,片浦弘道1,2
  • 7カーボンナノチューブ複合紙を用いた「ペーパートランジスタ」の開発横国大 河村祐介,林 俊介,新出由弥,大矢剛嗣
  •  休憩 10:45〜11:00
  • 8誘電泳動法による半導体CNT薄膜トランジスタの作製高知工大 ○(M1)戸田達也,古沢 浩,古田 守,川原村敏幸
  • 9金ナノ粒子修飾単層カーボンナノチューブによる赤外光太陽電池東北大院工 畠山力三,李 永峰,兒玉宗一郎,金子俊郎
  • 10p型とn型単層カーボンナノチューブで形成した太陽電池の特性東北大院工 兒玉宗一郎,李 永峰,金子俊郎,畠山力三
  • 11単層カーボンナノチューブ-シリコンヘテロ接合太陽電池の光電変換機構の解明京大エネ理工研1,日立造船2,JST さきがけ3 小澤大知1,平岡和志2,宮内雄平1,3,毛利真一郎1,松田一成1
  • 12半導体特性単層カーボンナノチューブ薄膜を用いた太陽電池の作製および特性評価(II)法大院工1,法大生命科学2 庄司真雄1,関根亮典2,伊藤寿之2,緒方啓典1,2
  • 13カーボンナノチューブを用いた塗工型色素増感太陽電池の開発横国大工 辻 雅也,杉山誠一,大矢剛嗣
  • 14カーボンナノチューブ複合紙を電極に用いた色素増感型太陽電池横国大院工 杉山誠一,辻 雅也,大矢剛嗣