17. ナノカーボン

16a-A3 - 1〜11

• 1脂肪酸混合Fe-LB膜による垂直配向CNT本数密度制御千葉大工¹，トヨタ自動車²，電気通信大^{3 ○}奈良龍太¹，今泉吉明³，竹澤章裕¹，長谷川茂樹²，村田成亮²，串田正人¹
• 2Fe/SiO₂型コアシェル粒子を触媒とした垂直配向CNTの成長千葉大院工¹，電気通信大²，トヨタ自動車^{3 ○}川崎浩平¹，鴨宮宗近¹，今泉吉明²，長谷川茂樹³，村田成亮³，串田正人¹
• 3ガリウムイオン照射シリコン基板からのカーボンナノチューブ成長東京理科大 ^○梅谷聡太，加藤大樹，本間芳和，橋本　巖
• 4ナノダイヤモンドからのカーボンナノチューブ合成における成長時間依存性阪大院 ^○郡山翔二，藤本一輝，根岸良太，小林慶裕
• 5Ni/Fe/Al積層触媒を用いたCNT合成におけるNiの効果高知工科大院¹，高知工科大ナノテク研^{2 ○（M1）}小路紘史¹，針谷　達¹，新田紀子²，古田　寛^1,2，八田章光^1,2
• 6シリコン酸化物に埋め込んだ金属の粒子化東理大理 ^○大泉由紀子，西見大樹，山田一希，加藤大樹，本間芳和
•  休憩　10:30〜10:45
• 7メタルフリー熱CVD法によるリチウムイオン電池負極用シリコン粒子の処理三重大院工 ^○小塩　明，Bach Duc Cuong，鈴木健太郎，菊池理世，小海文夫
• 8多層カーボンナノコイルの層数を決めるCVD条件の検討豊橋技科大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス^{4 ○}SiewLing Lim¹，杉岡由基¹，米村泰一郎¹，須田善行¹，田上英人¹，滝川浩史¹，植　仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴
• 9Sn触媒蒸気供給CVDによって合成したカーボンナノコイルの初期成長の観察豊橋技科大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス^{4 ○}石井裕一¹，杉岡由基¹，米村泰一郎¹，須田善行¹，田上英人¹，滝川浩史¹，植　仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴
• 10CO₂レーザアブレーション中の雰囲気ガスの最適化によるカーボンナノホーン集合体の構造制御NEC¹，AIST²，名大³，名城大^{4 ○}弓削亮太¹，湯田坂雅子²，當山清彦¹，山口貴司³，飯島澄男⁴，眞子隆志¹
• 11走査プローブ顕微鏡によるカーボンナノウォールの初期成長過程の解明名大院工¹，名城大理工^{2 ○}近藤博基¹，安田幸司¹，牧原克典¹，宮崎誠一¹，平松美根男²，関根　誠¹，堀　　勝¹
•  昼食　12:00〜13:30

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• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  ドメイン構造の異なるCVDグラフェンの成長とその特性九大院総理工¹，九大先導研²，重慶大学³，NTT物性基礎研^{4 ○}小川友以¹，胡　宝山^2,3，Carlo Orofeo¹，辻　正治^1,2，池田賢一¹，水野清義¹，日比野浩樹⁴，吾郷浩樹^1,2
• 2アミロイド線維を用いたグラフェンナノリボンの作製TIMS¹，筑波大数理^{2 ○}植木竜一^1,2，梶原裕哉^1,2，高井英輔²，志喜屋惟²，富田峻介²，白木賢太郎²，山田洋一²，藤田淳一^1,2
• 3樟脳による大面積グラフェン膜の低温CVD成長Chubu Univ. ^○（PC）Golap Kalita，Hideo Uchida，Koichi Wakita，Masayoshi Umeno
• 4酸化グラフェンを原料とする大面積グラフェンの作製東大院理¹，東大院新領域^{2 ○}田中弘成¹，小幡誠司²，斉木幸一朗^1,2
• 5酸化グラフェン還元過程のリアルタイムXPS観察：ヒドラジン処理効果東北大¹，Rutgers Univ.²，原研³，秋田高専⁴，産総研⁵，Imperial College London^{6 ○}渡辺大輝¹，小川修一¹，山口尚人²，穂積英彬¹，江田剛輝²，C. Mattevi²，吉越章隆³，石塚眞治⁴，寺岡有殿³，山田貴壽⁵，M. Chhowalla^2,6，高桑雄二¹
• 6化学気相成長条件における単層酸化グラフェン還元・構造回復機構の検討阪大 ^○（B）楠本太郎，平野博紀，根岸良太，小林慶裕
• 7酸化グラフェンを用いたPd(111)上でのグラフェンの低温合成東大院新領域¹，東大院理^{2 ○}小幡誠司¹，田中弘成²，斉木幸一朗^1,2
• 8金属中拡散・析出によるアモルファスBNからのホワイトグラフェン（h-BN極薄膜）の作製NTT物性基礎研 ^○鈴木　哲，日比野浩樹
• 9ホワイトグラフェン（h-BN極薄膜）のCVD成長の基板依存性NTT物性研 ^○鈴木　哲，日比野浩樹
• 10グラフェン / 六方晶窒化硼素ハイブリッドシートのCVD合成名大院理 ^○（M2）加門慶一，宮田耕充，前田枝里子，佐々木祐生，北浦　良，篠原久典
• 11アルコールCVDによるグラフェン直接成長とケミカルドーピング静大工¹，静大工研²，電研^{3 ○（B）}酒井千陽¹，中村篤志³，天明二郎^2,3
• 12シリコン酸化膜上へのグラフェン直接合成と成長機構東北大院工 ^○加藤俊顕，畠山力三
• 13乱層構造グラフェン電界効果トランジスタのキャリア輸送特性阪大院工応物¹，阪大産研^{2 ○}根岸良太¹，大野恭秀²，前橋兼三²，松本和彦²，小林慶裕¹
•  休憩　16:45〜17:00
• 14Cu双晶表面を用いた自己組織化的グラフェンリボン成長産総研GNC¹，富士通研^{2 ○}林賢二郎¹，佐藤信太郎¹，池田　稔²，金田千穂子²，横山直樹¹
• 15PE-CVD法により作製した窒素ドープグラフェンのFET特性東大院理¹，東大院新領域^{2 ○}寺澤知潮¹，小幡誠司²，斉木幸一朗^1,2
• 16多結晶Ni基板上でのシングルドメイングラフェン成長その場観察早大先進理工¹，NTT物性基礎研²，物材機構³，大阪電通大^{4 ○（DC）}小田原玄樹¹，日比野浩樹²，中山七緒¹，新畑智幸¹，大谷茂樹³，大島忠平¹，鈴木雅彦⁴，安江常夫⁴，越川孝範⁴
• 17原子散乱分光法を用いたエピタキシャル金属薄膜上グラフェン評価パナソニック ^○能澤克弥，松川　望，豊田健治，吉井重雄
• 18水分量がグラフェン成長に与える効果大阪府立大工 ^○山本真裕，安野裕貴，有江隆之，秋田成司
• 19触媒金属ファセットを起点とする低温グラフェン成長超低電圧デバイス技術研究組合 ^○山崎雄一，和田　真，北村政幸，片桐雅之，佐久間尚志，齋藤達朗，磯林厚伸，鈴木真理子，坂田敦子，梶田明広，酒井忠司
• 20ヘテロエピタキシャル銅薄膜上での単層グラフェンの成長-大ドメイン化と成長メカニズム-九州大先導研¹，九州大工²，九州大院総理工^{3 ○}河原憲治¹，田上翔太²，小川友以³，辻　正治¹，吾郷浩樹¹
• 21マイクロ波プラズマCVD法によるグラフェンのロール・トゥ・ロール合成産総研/TASC ^○山田貴壽，石原正統，長谷川雅考，飯島澄男

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• 1グラフェンのグレインサイズ、方位の成長条件依存性産総研GNC ^○山田綾香，林賢二郎，八木克典，原田直樹，佐藤信太郎，横山直樹
• 2ステップ・テラス構造の違いによるサファイア基板上のグラフェン成長の選択性横国大工 ^○斉藤昂介，飯田祐介，塚本貴広，山崎憲慈，荻野俊郎
• 3Ar雰囲気での加熱による微傾斜SiC表面上のグラフェン成長NTT物性研¹，長岡技科大²，九大^{3 ○}日比野浩樹¹，宗高大和^1,2，井上仁人^1,3，高村真琴¹，影島博之¹
• 44H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンの表面ラフネスと層数均一性との相関徳島大工¹，NTT物性基礎研^{2 ○}田尾拓人¹，呉　龍錫¹，岩本　篤¹，井口宗明¹，奥村俊夫¹，杉村晶史¹，永瀬雅夫¹，日比野浩樹²
• 5SiC(0001)上グラフェン成長初期C凝集過程の第一原理計算による検討NTT物性研¹，九大院工²，九大応力研^{3 ○}井上仁人^1,2，影島愽之¹，寒川義裕³，柿本浩一³
• 6SiC表面熱分解のin-situ RHEED観察九大工院 ^○（B）高木勝也，梶原隆司，田中　悟
•  休憩　10:30〜10:45
• 7SiC(000-1)表面熱分解グラフェン形成時のSi照射の影響九大院工 ^○チェンダー スレイ，田中　悟
• 84H-SiC(0001)上グラフェン成長へのSiフラックス照射効果関学大理工 ^○久津間保徳，牛尾昌史，吉井　新，玉井尚登，大谷　昇，金子忠昭
• 9パルスアークプラズマ蒸着によるSi(111)基板上グラフェン成長名工大 ^○伴野和也，藤田和久，ハレラム アリアル，江川孝志
• 10SiC-OI(SiC-on-Insulator)基板上へのグラフェン形成九州工大工¹，豊田合成^{2 ○}挾間健太¹，中尾　基¹，岩武泰徳²，宮崎　毅²
• 11熱CVDによるサファイア基板上グラフェン成長九州工大工¹，豊田合成^{2 ○}挾間健太¹，中尾　基¹，岩武泰徳²，宮崎　毅²