17. ナノカーボン

15a-A3 - 1〜45

• 1Pt触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長：成長温度依存性名城大理工¹，産総研^{2 ○}福岡直也¹，水谷芳裕¹，近藤弘基¹，丸山隆浩¹，成塚重弥¹，飯島澄男^1,2
• 2プラズマCVD成長単層カーボンナノチューブのカイラリティ分布に対する水素ラジカルの効果東北大院工 ^○村越幸史，加藤俊顕，金子俊郎，畠山力三
• 3ダブルレーザーアブレーション法による単層カーボンナノチューブ合成東理大理¹，東理大院²，日大理工^{3 ○}石井宏治¹，金木邦英²，岩田展幸³，山本　寛³，矢島博文¹
• 4SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ成長における昇温速度の影響名城大理工 ^○石黒祐樹，榊原　聡，伊藤宏晃，矢嶋孝敏，成塚重弥，丸山隆浩
• 5マイクロ波プラズマCVDによるイオン注入形成FeクラスターからのCNTの低温成長神奈川大理 谷地田剛介，刈部真里，^○星野　靖，斎藤保直，中田穣治
• 6Hot-wire CVD法を利用したCNT薄膜の合成岐阜高専¹，豊橋技科大² 飯田民夫¹，^○中村康史¹，山田彬文¹，加藤和久¹，須田善行²
• 7シリコンナノチェインのカーボンコーティング制御とジュール加熱によるカーボンのナノチューブ形成阪大院理 小峯拓也，^○河野日出夫
• 8微細構造Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜へのエピタキシャルグラフェン形成東北大通研¹，東北大院工²，JASRI/SPring-8³，弘前大理工^{4 ○}井出隆之¹，川合祐輔²，宮下英俊²，半田浩之¹，吹留博一¹，小嗣真人³，大河内拓雄³，遠田義晴⁴，木下豊彦³，末光眞希¹
• 9回転エピ成長3C-SiC(111)/Si(110)の表面化学結合状態東北大通研¹，JST/CREST²，原子力機構³，高輝度光科学センター⁴，東北大金研^{5 ○}三本菅正太¹，阿部峻佑¹，高橋良太¹，今泉　京¹，半田浩之¹，吉越章隆³，小嗣真人^2,4，大河内拓雄⁴，木下豊彦^2,4，伊藤　峻⁵，吹留博一¹，末光眞希^1,2
• 10カーボンコーターによるグラファイト薄膜の作製東理大理¹，東洋大理工^{2 ○}大兼俊貴¹，加藤幹大¹，小林達也¹，原子　進¹，小室修二²，趙　新為¹
• 11塗布を用いたグラファイト薄膜の作製3先端デバイス研究部門¹，東理大理²，東洋大理工^{3 ○}加藤幹大^1,2，大兼俊貴^1,2，小林達也²，原子　進^1,2，小室修二³，趙　新為^1,2
• 12エチレンを用いたガスソースＭＢＥによるグラフェン成長NTT物性研 ^○前田文彦，日比野浩樹
• 13CVD法による窒素ドープグラフェンの作製京工繊大¹，和大^{2 ○}鴨井　督¹，中村　純¹，木曽田賢治²，蓮池紀幸¹，播磨　弘¹
• 14液体酸素中でのグラファイト薄膜の電気伝導度II中央大理工 ^○根間裕史，早舩祥平，長谷川淳一，若林淳一
• 15サファイア基板上でのNi触媒結晶化過程に与える熱処理の効果名城大 ^○山内洋哉，鬼頭佑典，成塚重弥，丸山隆浩
• 16球状マイクロ波プラズマCVD装置を用いたグラフェンの成長京都工繊大 ^○田路翔一，林　康明，宮脇芳博
• 17MBE法によるSiCナノファセット表面へのグラフェン成長九大工¹，東大物性研^{2 ○}梶原隆司¹，高木勝也¹，田中　悟¹，吉澤俊介²，中辻　寛²，小森文夫²
• 183C-SiC(111)/Si(111)薄膜上グラフェンの電子構造の評価東北大¹，CREST/JST²，原子力機構^{3 ○}猪俣州哉¹，高橋良太¹，半田浩之¹，今泉　京¹，吹留博一¹，末光眞希^1,2，寺岡有殿³，吉越章隆³
• 19鉄内包カーボンナノチューブの磁気特性三重大院工 ^○長田　篤，佐藤英樹，中村峻介，金子哲也，藤原裕司
• 20親水化処理したスロット基板へのCNT埋め込みに関する検討早大理工¹，吉田機械興業^{2 ○（M2）}宮崎祐介¹，福田晃士¹，宇高勝之¹，高島　正²
• 21電界による金属型・半導体型CNTの分離機構TASC¹，NEC²，産総研^{3 ○}二瓶史行^1,2，佐々木扶紗子¹，斎藤　毅³，井原和紀^1,2
• 22ナフタレンジイミドによる単層カーボンナノチューブの金属半導体分離阪大院理¹，阪大院工^{2 ○}福森　稔¹，田中啓文¹，洪　　流¹，根岸良太²，小林慶裕²，田中大輔¹，小川琢治¹
• 23酸化グラフェン-プルシアンブルーナノコンポジット材料の作製東大院理¹，東大院新領域^{2 ○}田中弘成¹，小幡誠司²，斉木幸一朗^1,2
• 24透過型電子顕微鏡によるグラフェン清浄表面上物質の観察名大院理 ^○（M1C）佐々木祐生，北浦　良，宮田耕充，篠原久典，加門慶一，鈴木祥司
• 25ホットワイヤーCVD法により作製したカーボンナノウォールの電気的特性岐大工 ^○（M1C）坂野允彦，中西庸介，伊藤貴紀，藤井裕太，武永康平，伊藤貴司，野々村修一
• 26FeCl3ーグラファイト層間化合物の作製と評価日大理工 ^○市川博亮，高梨真治，岩田展幸，山本　寛
• 27窒素ドープ単層カーボンナノチューブの作製と光学的評価京工繊大工¹，和大教育^{2 ○}大下賢一¹，平田史彦¹，鴨井　督¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨　弘¹
• 28多角的評価に向けたカーボンナノチューブ宙空架橋構造の作製(3)京大院工¹，京大SACI²，阪大基礎工^{3 ○}池田尚弘¹，伊藤正尚¹，小林　圭²，宮戸祐治³，松重和美¹，山田啓文¹
• 29カーボンナノチューブの電気伝導特性に及ぼす局所ひずみ場の影響東北大工 ^○（M2C）大西正人，鈴木　研，三浦英生
• 30高分解能光電子分光によるCNT/SiC 界面バンドアライメントの研究名城大理工¹，分子研^{2 ○}榊原悟史¹，丸山隆浩¹，成塚重弥¹，山根宏之²，小杉信博²
• 31架橋多層グラフェンナノリボンにおける電荷数の温度依存性東工大電気電子¹，東工大院理工電子物理²，東工大量子ナノ研セ^{3 ○（B）}新留　彩¹，福田裕樹²，小田俊理³，内田　建²
• 324H-SiC{0001}エピタキシャルグラフェンのフェムト秒近赤外過渡吸収分光関学大理工 ^○重政英史，吉井　新，牛尾昌史，久津間保徳，大谷　昇，金子忠昭，玉井尚登
• 334H-SiC(0001)上グラフェンへのIII族原子表面吸着機能関学大理工 ^○（B）芦田晃嗣，山本悠馬，林　将大，牛尾昌史，大谷　昇，金子忠昭
• 34微細加工を用いたカーボンナノチューブ歪印加素子開発およびエネルギーバンドギャップ変調観測慶大¹，物材機構^{2 ○（M1）}森　達也¹，津谷大樹²，牧　英之¹
• 35カーボンナノチューブガスセンサへのカイラリティ効果九大シス情 ^○中野道彦，藤岡将広，渡邉英明，小牟禮弘樹，末廣純也
• 36多層カーボンナノチューブ応用二次元圧力分布センサの試作評価東北大工 ^○鈴木　研，鈴木悠介，川上浩司，大西正人，三浦英生
• 37半導体性単層カーボンナノチューブを利用した化学センサ芝浦工大工 ^○星野達也，六車仁志
• 38カーボンナノチューブと電子伝達媒介物質を用いる酵素センサ動作の低電位化芝浦工大工 ^○井上貴博，星野達也，六車仁志
• 39グルコース脱水素酵素とカーボンナノチューブおよび電子伝達媒介物質を用いるバイオセンサ-夾雑物質影響の低減化芝浦工大工 ^○岩瀬佑介，関口慎一朗，星野達也，六車仁志
• 40カーボンナノチューブピラーアレイからの電界放出における電子放出サイトの面内分布三重大院工¹，名大院工² 春木一夫¹，^○佐藤英樹¹，大原一馬¹，齋藤弥八²
• 41カーボンナノチューブ複合紙構成ナノチューブの配向制御と特異的電気特性横国大院工 ^○藤塚祐己，大矢剛嗣
• 42カーボンナノチューブ複合紙を用いた電磁シールドの理論解析横国大院工¹，KJ特殊紙^{2 ○}樋渡寛信¹，伊藤我子¹，寺島良幸²，玉川祐基²，渋谷昌彦²，海野朋行²，大矢剛嗣¹
• 43カーボンナノチューブ複合紙を用いた電磁波シールド横国大工¹，KJ特殊紙^{2 ○（B）}伊藤我子¹，樋渡寛信¹，寺島良幸²，玉川祐基²，渋谷昌彦²，海野朋行²，大矢剛嗣¹
• 44グラフェンを電極としたn型FETの溶液塗布法による作製と評価埼玉大院理工¹，東大院新領域²，三菱ガス化学^{3 ○}菅沼洸一¹，斉木幸一朗²，後藤拓也³，上野啓司¹
• 45新しいself-align技術を用いた超高速グラフェントランジスタ東北大工 ^○朴　君昊，鄭　明鎬，全　春日，吹留博一，吉田智弘，末光哲也，尾辻泰一，末光眞希