16. 非晶質・微結晶

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• 1ゾル-ゲル法と転写によるプラスチックス表面への酸化物結晶薄膜の作製関西大化学生命工¹，関西大院理工^{2 ○}幸塚広光¹，福井隆文²，内山弘章¹，高橋　充¹，山野晃裕¹
• 2近赤外半導体レーザ光照射によるSi膜の転写メカニズムの解明広大院先端研 ^○酒池耕平，小林義崇，中村将吾，赤澤宗樹，池田弥央，東清一郎
• 3近赤外半導体レーザ光照射によるポーラスシリコンへのa-Si膜の転写と結晶成長制御広大院先端研 ^○中村将吾，酒池耕平，小林義崇，東清一郎
• 4アルミニウム誘起結晶化法による多結晶SiGe薄膜の検討東海大院工¹，都産技研^{2 ○}矢嶋正洋¹，中村　勲²，磯村雅夫¹
• 5固相成長により伝導型が異なる単結晶Si基板上に成長させた結晶ゲルマニウム薄膜に関する検討東海大院工¹，東海大工^{2 ○（M1）}山口智明¹，鈴木敦士¹，磯村雅夫²
• 6固相成長により面方位の異なるSi基板上に成長させた結晶ゲルマニウム薄膜に関する検討東海大院工¹，岐阜大院工^{2 ○}鈴木敦士¹，山口智明¹，ジュマ シャン チェ²，夏原大宗²，磯村雅夫¹，野々村修一²
• 7合成時の真空度によるNa内包Siクラスレートの結晶構造変化岐大工 ^○（PC）大橋史隆，杉山智哉，古橋昌充，小倉拓也，久米徹二，伴　隆幸，夏原大宗，野々村修一
• 8Siウェーハを用いたNa内包II型Siクラスレートの合成岐大工 ^○（B）岩井義樹，大橋史隆，新井紀貴，服部真嗣，姫野呂人，小倉拓也，伴　隆幸，久米徹二，夏原大宗，野々村修一
•  休憩　15:30〜15:45
• 9無水フッ酸エッチングによるシリコンナノ結晶の自然酸化膜の除去東工大量子ナノ研セ¹，東工大院理工^{2 ○}中峯嘉文^1,2，小寺哲夫¹，河野行雄¹，内田　建²，小田俊理¹
• 10ホスフィンの加熱タングステン上での触媒分解過程静岡大工¹，JST CREST^{2 ○}梅本宏信^1,2，西原裕心^1,2，石川卓末^1,2，山本慎吾¹
• 11ポテンシャル障壁構造での抵抗温度係数の計算東理大理工 ^○古川昭雄
• 12MgZnO系ポテンシャル障壁構造を用いた赤外線ボロメータ用薄膜材料の検討東理大院理工 井股風太，^○古川昭雄
• 13赤外線イメージセンサ用Si/Ge 積層膜の特性評価東理大理工 ^○木下潤一，鈴木啓祐，古川昭雄
• 14反応性RFスパッタ法により作製したIn_XGa_1-XN薄膜における電気的特性の基板温度依存性岐大工 ^○大橋史隆，片山竜一，日比野峻，加藤好徳，西脇啓介，伊藤貴司，野々村修一
• 15原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(IV)日大生産工 ^○駒崎洋文，浅野英輝，清水耕作
• 16酸化物半導体InGaZnO4/CuAlO2接合の作製と評価(III)日大生産工 ^○小野瀬匡彦，佐藤敏幸，北野幸樹，新妻清純，日秋俊彦，清水耕作