15. 結晶工学

15.8 結晶評価,ナノ不純物・結晶欠陥

3月17日 13:30〜18:00  会場:F11

17p-F11 - 1〜17

  • 1シリコン結晶中の空孔形成エネルギー:2つの論文の批判的紹介東北大金研1,物材機構2 末澤正志1,飯島嘉明1,深田直樹2,米永一郎1
  • 2シリコン結晶中の点欠陥と自己拡散東北大金研1,物材機構2 末澤正志1,飯島嘉明1,深田直樹2,米永一郎1
  • 3CZ-Si 結晶育成界面を想定した,Si 単結晶表面における原子空孔・格子間 Si の挙動解析岡山県立大情報工院1,岡山県立大情報工2 神山栄治1,末岡浩治2
  • 4Si結晶中点欠陥の形成・活性化エンタルピーに与える圧力の効果岡山県大情報工1,岡山県大院情報系工2 末岡浩治1,神山栄治2,仮屋崎弘昭2
  • 5Si結晶中の砒素-原子空孔複合体に関する第一原理計算岡山県大院情報系工1,岡山県大情報工2 ○(M1)岩崎剛士1,末岡浩治2
  • 6シリコン結晶中における水素-ドーパント間の長距離相互作用岡山県立大情報工院1,岡山県立大情報工2 神山栄治1,末岡浩治2
  • 7一軸性応力印加によるSi中Pd-H3欠陥の対称性の研究岡山大院自然 阿部 直,下江功一,上浦洋一,山下善文,石山 武
  •  休憩 15:15〜15:30
  • 8Si結晶中の低濃度炭素の赤外吸収測定(IV)1014/cm3台の測定と技術移転東京農工大工1,トヨタ自動車2,システムズエンジニアリング3,東レリサーチ4,大阪府立大産学官5 井上直久1,5,後藤安則2,渡邉 香3,関 洋文4,河村裕一5
  • 9シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学(2)極低炭素濃度結晶の照射と熱処理東京農工大工1,トヨタ自動車2,東レリサーチ3,システムズエンジニアリング4,大阪府立大5,熊本電波高専6 井上直久1,5,後藤安則2,関 洋文3,菅谷孝夫4,河村裕一5,大山英典6
  • 10P偏光ブルースター角入射遠赤外分光によるSiウェーハ中のリン、ボロンの定量コバレントマテリアル 梁瀬佳旗,白井 宏
  • 11Si(110)/(100)接合界面の界面構造解析岡山県大院情報工1,コバレントシリコン2 ○(D)仮屋崎弘昭1,青木竜彦2,泉妻宏治2,末岡浩治1
  • 12第一原理計算によるSi(110)/(100)接合界面のゲッタリング評価(3)岡山県大院情報工1,コバレントシリコン2 ○(D)仮屋崎弘昭1,青木竜彦2,泉妻宏治2,末岡浩治1
  • 13SiGe薄膜中の貫通転位運動に対するSbドープの影響岡山大院自然 松永拓也,船木 透,種本 寛,山下善文,石山 武,上浦洋一
  • 14窒素雰囲気中高温長時間熱処理によりシリコン中に発生する析出物富士電機1,横国大工2 中澤治雄1,荻野正明1,寺西秀明1,栗林秀直1,高橋良和1,羽深 等2
  • 15n-ZnO/p-Si 3D Heterojunctions Solar Cells in Si Holey Arrays物材機構 Xiaomei Zhang,Dmitri Golberg,Yoshio Bando,Naoki Fukata
  • 16X-線分光学による希薄磁性半導体GaGdNにおける窒素空格子点の同定阪大産研1,千葉大融合科学2 江村修一1,安倍大治郎1,小出明広2,藤川高志2,Divasigamani Krishnamurthy1,朝日 一1
  • 17Ce:YAG結晶化ガラス蛍光体における蛍光寿命のCe濃度依存性高知高専1,新居浜高専2,徳島大3,阪大4 宮田 剛1,朝日太郎2,中山 享2,水野孝彦3,岩田哲郎3,荒木 勉4