15. 結晶工学

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• 1シリコン結晶中の空孔形成エネルギー：２つの論文の批判的紹介東北大金研¹，物材機構^{2 ○}末澤正志¹，飯島嘉明¹，深田直樹²，米永一郎¹
• 2シリコン結晶中の点欠陥と自己拡散東北大金研¹，物材機構^{2 ○}末澤正志¹，飯島嘉明¹，深田直樹²，米永一郎¹
• 3CZ-Si 結晶育成界面を想定した，Si 単結晶表面における原子空孔・格子間 Si の挙動解析岡山県立大情報工院¹，岡山県立大情報工^{2 ○}神山栄治¹，末岡浩治²
• 4Si結晶中点欠陥の形成・活性化エンタルピーに与える圧力の効果岡山県大情報工¹，岡山県大院情報系工^{2 ○}末岡浩治¹，神山栄治²，仮屋崎弘昭²
• 5Si結晶中の砒素-原子空孔複合体に関する第一原理計算岡山県大院情報系工¹，岡山県大情報工^{2 ○（M1）}岩崎剛士¹，末岡浩治²
• 6シリコン結晶中における水素-ドーパント間の長距離相互作用岡山県立大情報工院¹，岡山県立大情報工^{2 ○}神山栄治¹，末岡浩治²
• 7一軸性応力印加によるSi中Pd-H₃欠陥の対称性の研究岡山大院自然 ^○阿部　直，下江功一，上浦洋一，山下善文，石山　武
•  休憩　15:15〜15:30
• 8Si結晶中の低濃度炭素の赤外吸収測定(IV)10¹⁴/cm³台の測定と技術移転東京農工大工¹，トヨタ自動車²，システムズエンジニアリング³，東レリサーチ⁴，大阪府立大産学官^{5 ○}井上直久^1,5，後藤安則²，渡邉　香³，関　洋文⁴，河村裕一⁵
• 9シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（２）極低炭素濃度結晶の照射と熱処理東京農工大工¹，トヨタ自動車²，東レリサーチ³，システムズエンジニアリング⁴，大阪府立大⁵，熊本電波高専^{6 ○}井上直久^1,5，後藤安則²，関　洋文³，菅谷孝夫⁴，河村裕一⁵，大山英典⁶
• 10P偏光ブルースター角入射遠赤外分光によるSiウェーハ中のリン、ボロンの定量コバレントマテリアル ^○梁瀬佳旗，白井　宏
• 11Si(110)/(100)接合界面の界面構造解析岡山県大院情報工¹，コバレントシリコン^{2 ○（D）}仮屋崎弘昭¹，青木竜彦²，泉妻宏治²，末岡浩治¹
• 12第一原理計算によるSi(110)/(100)接合界面のゲッタリング評価(3)岡山県大院情報工¹，コバレントシリコン^{2 ○（D）}仮屋崎弘昭¹，青木竜彦²，泉妻宏治²，末岡浩治¹
• 13SiGe薄膜中の貫通転位運動に対するSbドープの影響岡山大院自然 ^○松永拓也，船木　透，種本　寛，山下善文，石山　武，上浦洋一
• 14窒素雰囲気中高温長時間熱処理によりシリコン中に発生する析出物富士電機¹，横国大工^{2 ○}中澤治雄¹，荻野正明¹，寺西秀明¹，栗林秀直¹，高橋良和¹，羽深　等²
• 15n-ZnO/p-Si 3D Heterojunctions Solar Cells in Si Holey Arrays物材機構 ^○Xiaomei Zhang，Dmitri Golberg，Yoshio Bando，Naoki Fukata
• 16X-線分光学による希薄磁性半導体GaGdNにおける窒素空格子点の同定阪大産研¹，千葉大融合科学^{2 ○}江村修一¹，安倍大治郎¹，小出明広²，藤川高志²，Divasigamani Krishnamurthy¹，朝日　一¹
• 17Ce:YAG結晶化ガラス蛍光体における蛍光寿命のCe濃度依存性高知高専¹，新居浜高専²，徳島大³，阪大^{4 ○}宮田　剛¹，朝日太郎²，中山　享²，水野孝彦³，岩田哲郎³，荒木　勉⁴