8. プラズマエレクトロニクス

8.4 プラズマエッチング

3月17日 11:00〜18:45  会場:A7

17a-A7 - 1〜4

  • 24中性粒子ビームによるシリコンエッチング(5)東北大1,BEANS2,みずほ情報総研3,東京大4 久保田智広1,2,三輪和弘2,大塚晋吾3,渡辺尚貴3,岩崎拓也3,小野耕平3,杉山正和2,4,寒川誠二1,2
  • 25中性粒子ビームエッチングモデルと加工形状解析みずほ情報総研1,数理システム2,BEANS プロジェクト3D BEANS センター3,東大4,東北大5 大塚晋吾1,渡辺尚貴1,岩崎拓也1,小野耕平1,入江康郎1,望月俊輔2,杉山正和3,4,久保田智広3,5,寒川誠二3,5
  • 26中性粒子ビームエッチングの加工形状シミュレーション(2)数理システム1,みずほ情報総研2,BEANSプロジェクト3D BEANSセンター3,東北大4,東大5 望月俊輔1,大塚晋吾2,渡辺尚貴2,岩崎拓也2,小野耕平2,入江康郎2,久保田智弘3,4,杉山正和3,5,寒川誠二3,4
  • 27吸引プラズマによるSiおよびSiO2の加工中におけるエッチングガスの四重極質量分析産総研1,三友製作所2 高橋 賢1,堀江智之1,白山裕也2,横須賀俊太郎2,樫村健太2,林 明宏2,岩瀬千克2,新堀俊一郎2,徳本洋志1,内藤泰久1,清水哲夫1
  •  昼食 12:00〜13:30

17p-A7 - 1〜20

  • 1低エネルギーイオンビーム照射によるPMMAエッチングイールドの測定と水素プラズマ暴露のエッチングイールドへの影響阪大工1,産総研2 吉村 智1,塚崎泰裕1,杉本敏司1,木内正人1,2,浜口智志1
  • 2球構造PMMA-b-PMAPOSSからSi基板へのパターン転写プロセスの開発日立中研1,日立日研2 岩瀬 拓1,栗原 優1,平山義幸1,多田靖彦2,吉田博史2
  • 3オンウエハーモニタリングとシミュレーションの融合によるプラズマプロセス中の表面イオンシース形状と入射イオン軌道予測東北大1,みずほ情報総研2 荒木良亮1,久保田智広1,岩崎拓也2,小野耕平2,寒川誠二1
  • 4プラズマエッチングにおけるArFレジストLine-Edge-Roughness (LER) の側鎖構造依存性東北大1,三菱レイヨン2 上杉拓志1,岡田 健1,加藤圭輔2,安田 敦2,前田晋一2,寒川誠二1
  • 5中性粒子ビームエッチングによるGaNのダメージフリーエッチング(2) -エッチングガスの依存性-東北大1,東京大2,JST-CREST3 田村洋典1,久保田智広1,太田実雄2,3,藤岡 洋2,3,寒川誠二1,3
  • 6水素イオン入射によるシリコン中の増速酸化プロセスの入射エネルギー依存性阪大院工1,ソニー2 ○(M2)溝谷浩平1,磯部倫郎1,深沢正永2,辰巳哲也2,浜口智志1
  • 7「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
    GaN におけるプラズマダメージの水素ラジカル修復(2)
    名大院工1,NU-Eco2,愛工大3,名工大4 陳  尚1,盧  翌1,米谷亮祐1,石川健治1,竹田圭吾1,近藤博基1,加納浩之2,徳田 豊3,関根 誠1,江川孝志4,天野 浩1,堀  勝1
  • 8高温における窒化ガリウム(GaN)のエッチング機構(2)名大院工1,JST-CREST2,名工大工3 ○(M1)米谷亮祐1,陳  尚1,盧  翌1,石川健冶1,竹田圭吾1,2,近藤博基1,関根 誠1,2,江川孝志3,天野 浩1,堀  勝1,2
  • 9プラズマプロセス中における有機薄膜表面反応の実時間・その場観察電子スピン共鳴(ESR)解析(3)名大院工1,金沢工大2,JST-CREST3 鷲見直也1石川健治1,河野昭彦2,堀邊英夫2,竹田圭吾1,3,近藤博基1,関根 誠1,3,堀  勝1,3
  • 10ハイドロフルオロカーボンプラズマにおける絶縁膜の高選択エッチングメカニズムの解明名大1,JST-CREST2 古室達也1,竹田圭吾1,2,石川健治1,関根 誠1,2,近藤博基1,堀  勝1,2
  •  休憩 16:00〜16:15
  • 11メタノールプラズマ中のイオン照射によるFeCoB エッチング反応阪大院工原子分子センター 唐橋一浩,伊藤智子,浜口智志
  • 12フロロカーボンイオン照射におけるSiNx:H膜中の水素の含有率の違いによるエッチング反応への影響阪大院工1,ソニー2 ○(D)伊藤智子1,唐橋一浩1,深沢正永2,辰巳哲也2,浜口智志1
  • 13絶縁膜プラズマエッチングにおけるArFフォトレジストの表面モフォロジと化学結合変化の解析名大1,日本ゼオン2 ○(M1)浅野高平1,山本 洋1,宮脇雄大1,竹田圭吾1,近藤博基1,石川健治1,山崎敦代2,鈴木建文2,松本裕一2,関根 誠1,堀  勝1
  • 14プラズマレスSiケミカルドライエッチング手法の開発名大院工 田嶋聡美,石川健治,林 俊雄,堀  勝
  • 15分子動力学法を用いたSi/Clビームエッチング表面反応解析:イオン入射角度依存性と中性ラジカルフラックス依存性京大院工 中崎暢也,津田博隆,鷹尾祥典,江利口浩二,斧 高一
  • 16H2/N2プラズマ中のラジカル密度へ前のプロセスが与える影響名大院工1,JST-CREST2,阪大工3,九大シス情4 鈴木俊哉1,竹田圭吾1,2,近藤博基1,石川健治1,節原裕一2,3,白谷正治2,4,関根 誠1,2,堀  勝1,2
  • 17C5HF7ガスを用いたSiO2高選択エッチングの機構解明名大院工1,日本ゼオン2 宮脇雄大1,近藤祐介1,竹田圭吾1,近藤博基1,石川健治1,伊東安曇2,鈴木健文2,松本裕一2,関根 誠1,堀  勝1
  • 183次元原子スケールセルモデルによる表面ラフネス形成機構の解明:酸素添加依存性京大院工 津田博隆,鷹尾祥典,江利口浩二,斧 高一
  • 19SiエッチングにおけるO2、N2添加効果(II)名大1,アルバック2 林 俊雄1,石川健治1,関根 誠1,堀  勝1,河野明廣1,鄒 弘綱2
  • 20基本的なエッチングガスの電子物性名大1,アルバック2 林 俊雄1,石川健治1,関根 誠1,堀  勝1,河野明廣1,鄒 弘綱2