7. ビーム応用

16p-B5 - 1〜14

• 1触媒反応環境下におけるPt/CeO₂の構造阪大産研¹，阪大院理²，首都大東京^{3 ○}吉田秀人¹，桑内康文^1,2，河野日出夫²，春田正毅³，竹田精治¹
• 2CO酸化反応環境下における金ナノ粒子触媒の形態変化阪大産研¹，阪大院理²，首都大東京^{3 ○}吉田秀人¹，内山徹也²，桑内康文^1,2，春田正毅³，竹田精治¹
• 3環境セル電子顕微鏡における隔膜の膜厚最適化名大院工¹，名大エコトピア²，近大理工^{3 ○（M1）}崔　子鵬¹，美浦拓也¹，川崎忠寛¹，丹司敬義²，松谷貴臣³
• 4低電子線照射TEMシステムを用いた酸化モリブデン内包カーボンナノチューブの構造解析II阪大院工¹，産総研^{2 ○（DC）}佐川隆亮¹，富樫　渉¹，秋田知樹²，高井義造¹
• 5ステージスキャンと収差補正TEMを用いた歪マッピング東芝ナノアナリシス ^○上杉文彦
• 6電子エネルギー損失分光法によるリチウムの定量測定に関する検討産総研ユビキタス ^○秋田知樹，橘田晃宜，香山正憲
• 7大気非暴露分析手法によるリチウムイオン二次電池活物質構造解析日産アーク ^○馬場輝久，柏有理子，権田まゆみ，近藤由紀，川本宇子，北野律子，浅田敏広，荒尾正純
•  休憩　15:15〜15:30
• 8過渡EBICを用いた多結晶Siにおける少数キャリア寿命分布の測定法の開発名大¹，豊田工大² 櫛田拓也¹，^○田中成泰¹，松田洋樹¹，丹司敬義¹，大下祥雄²
• 9走査電子顕微鏡内フォギング電子が形成する絶縁体薄膜表面電位分布の測定大工大工 ^○大谷　優，長田　明，小原康寛，小寺正敏
• 10走査電子顕微鏡内の絶縁体薄膜表面電位分布のビーム電流依存性大工大工 ^○（M1）長田　明，大谷　優，小原康寛，小寺正敏
• 11走査電子顕微鏡におけるフォギング電子電流の測定とシミュレーション大工大工 ^○小原康寛，大谷　優，長田　明，小寺正敏
• 12分子動力学法による有機高分子材料の電子線照射損傷の解析大阪府大院工 荒木康誠，酒井裕史，^○安田雅昭，川田博昭，平井義彦
• 13Arイオン照射によるZrO₂の損傷JFEテクノリサーチ¹，物質・材料研究機構^{2 ○}石原竹比虎¹，橋本　哲¹，槇石規子¹，島内　優¹，田沼繁夫²
• 14TOF二次イオン質量分析のための非破壊的イオンビーム照射位置決め法工学大院工 ^○藤岡幸平，坂本哲夫