シンポジウム
11p-C6 - 1〜5
- 1ダイヤモンドにおける欠陥生成エネルギー論(30分)産総研ナノシステム1,CREST2 ○宮崎剛英1,2
- 2ダイヤモンドのn型ドーピング(35分)物材機構 ○小泉 聡
- 3ESRから見たダイヤモンド半導体デバイス(35分)産総研1,阪大2,筑波大3,JST-CREST4 ○山崎 聡1,3,4,水落憲和2,4
- 休憩 14:45〜15:05
- 4ダイヤモンド中の量子スピン状態(35分)慶大理工 ○伊藤公平
- 5高濃度ドープダイヤモンドのバンド構造とドーパント化学サイト(35分)岡山大院自然 岡崎宏之,村岡祐治,○横谷尚睦