シンポジウム

11p-C9 - 1〜10

• 1酸化物ヘテロ界面における高移動度二次元電子（30分）東大院工 ^○小塚裕介
• 2酸化物ショットキー接合における界面ダイポール制御とメタルベーストランジスタの作製（30分）東大新領域¹，SLAC Stanford Univ.^{2 ○}矢嶋赳彬^1,2，疋田育之²，蓑原誠人²，Christopher Bell²，Harold Hwang²
• 3酸化物量子井戸構造による強相関電子の量子閉じこめ（30分）東大院工¹，東大放射光機構²，東大院理³，JSTさきがけ⁴，KEK-PF^{5 ○}吉松公平¹，堀場弘司^1,2，吉田鉄平³，藤森　淳³，尾嶋正治^1,2，組頭広志^1,4,5
• 4VO₂ナノ構造を用いた強相関電子相ドメイン制御と新奇ナノ物性発現（30分）阪大産研 ^○神吉輝夫，田中秀和
•  休憩　15:30〜15:45
• 5マンガン酸化物薄膜におけるナノスケール相分離の観測と創製（30分）理研 CMRG & CERG ^○中村優男
• 6有機金属原料を用いたMBEによる超高純度遷移金属酸化物薄膜の合成理研 CMRG¹，東大工²，理研 CERG^{3 ○}高橋　圭¹，松原雄也^2,3，川崎雅司^1,2,3，十倉好紀^1,2,3
• 7電場誘起による絶縁体酸化物表面の二次元超伝導（30分）東大院総合¹，JSTさきがけ^{2 ○}上野和紀^1,2
• 8電気二重層ゲートによる強相関酸化物の電子相制御（20分）産総研¹，JST-CREST²，華東師範大³，東大院総合⁴，JSTさきがけ⁵，東大院工⁶，理研CERG^{7 ○}浅沼周太郎^1,2，向　平華³，山田浩之¹，佐藤　弘¹，井上　公^1,2，赤穗博司^1,2，澤　彰仁^1,2，上野和紀^4,5，川崎雅司^6,7，岩佐義宏^6,7
• 9VO₂における電界誘起バルク相転移（20分）理研-CERG/CMRG¹，産総研²，電中研³，東大工^{4 ○}中野匡規¹，渋谷圭介^1,2，奥山大輔¹，畑野敬史¹，小野新平^1,3，川崎雅司^1,4，岩佐義宏^1,4，十倉好紀^1,4
• 10電界効果によるマンガン酸化物薄膜における電荷、スピン、軌道秩序スイッチング（20分）理研 CERG&CMRG¹，富士電機²，電中研³，物材機構⁴，東大先端研⁵，東大物工^{6 ○}畑野敬史¹，盛　志高¹，荻本泰史^1,2，小川直毅¹，中野匡規¹，小野新平^1,3，宮野健次郎^4,5，川崎雅司^1,6，岩佐義宏^1,6，十倉好紀^1,6