8. プラズマエレクトロニクス

12a-E1 - 10〜15

• 10Hを含むプラズマによるSi基板ダメージ構造とその回復プロセスについての検討京大院工¹，ソニー² 中久保義則¹，松田朝彦¹，深沢正永²，鷹尾祥典¹，^○江利口浩二¹，辰已哲也²，斧　高一¹
• 11容量性結合アルゴンプラズマによるp-GaNエッチングダメージ徳島大院工¹，兵庫県大高度研²，中部大総工研³，日亜化学^{4 ○}川上烈生¹，新部正人²，中野由崇³，小西将士¹，森　祐太¹，小高拓也²，白濱達夫¹，山田哲也¹，富永喜久雄¹，向井孝志⁴
• 12MEMS応用のためのチタンDRIE技術の開発新潟大工¹，立山マシン²，富山県工業技術センター³ 山田悠貴¹，田村卓也¹，浅地豊久²，人母　岳²，鍋澤浩文³，^○安部　隆¹
• 13H₂ plasma etching of poly-Si film by using pulse power supply名工大¹，岩谷産業^{2 ○}Kenji Hashimoto¹，Kazuya Tada¹，Shinji Yasui¹，Toshiki Manabe²，Kunihiko Koike²
• 14軟Ｘ線吸収分光法によるTiO2薄膜のエッチングダメージの解析兵庫県大高度研¹，徳島大院工²，中部大総工研^{3 ○}新部正人¹，小高拓也¹，川上烈生²，小西将士²，森　祐太²，富永喜久雄²，中野由崇³
• 15誘導結合HBrプラズマ中Br原子の出現質量分析名大工¹，名大プラズマナノ研^{2 ○}大池　匠¹，藤井良隆¹，豊田浩孝^1,2

13a-E3 - 1〜12

• 1プラズマからの紫外線照射によるSiN_x:H/Si界面準位生成ソニー¹，名大院工^{2 ○}深沢正永¹，松谷弘康¹，本多孝好¹，宮脇雄大²，近藤祐介²，竹田圭吾²，近藤博基²，石川健治²，関根　誠²，南　正樹¹，上澤史且¹，堀　　勝²，辰巳哲也¹
• 2COSガスケミストリーによる有機膜エッチングTokyo Electron ^○高場裕之，松岡弘憲，小山紘司，松本直樹，大竹浩人，佐々木勝
• 3第一原理電子状態計算による中性粒子ビーム生成メカニズムの解析VIみずほ情報総研¹，BEANS研究所²，フジクラ³，東大⁴，東北大^{5 ○}渡辺尚貴¹，大塚晋吾¹，岩崎拓也¹，小野耕平¹，入江康郎¹，植木真治²，額賀　理³，杉山正和^2,4，久保田智広^2,5，寒川誠二^2,5
• 4C5F8および C5HF7の励起解離名大 ^○林　俊雄，石川健治，関根　誠，堀　　勝
• 5AlGaAs系フォトニック結晶作製に向けたエッチングマスクに関する研究阪大院工 ^○栂野裕二，北林佑太，石川史太郎，近藤正彦
•  休憩　10:15〜10:30
• 6Fin-FETゲートエッチングにおける基板バイアス周波数の影響日立中研 ^○上林雅美，小藤直行，根岸伸幸
• 7｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  ３次元原子スケールセルモデルによる表面ラフネス形成機構の解明：酸素添加依存性京大院工 ^○津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
• 8プラズマエッチングにおけるゲートダメージ層形成機構の数値解析阪大工 ^○（D）溝谷浩平，磯部倫郎，浜口智志
• 9Effect of Film Properties and Plasma Sources on Nitride Etching CharacteristicsTokyo Electron ^○鰐渕美子，高場裕之，大竹浩人，佐々木勝
• 10SiFx⁺イオン照射によるSi, Si₃N₄およびSiO₂エッチング反応解析阪大院工 ^○（D）伊藤智子，唐橋一浩，浜口智志
• 11分子動力学法によるSi/Cl，Si/Brビームエッチング表面反応解析：イオン入射エネルギー・角度と中性ラジカルフラックス比依存性京大院工 ^○中崎暢也，津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
• 12I-V characteristics and chemical composition of Pr_1-xCa_xMnO₃ etched in plasmas京都工芸繊維大工¹，京都大工^{2 ○}石田拓也¹，高橋和生¹，中村敏浩²

13p-E1 - 1〜4

ENGLISH SESSION

• 1Relationship between Ion Energy and Highly Selective SiO₂ Etching Characteristics using C₅HF₇ GasNagoya Univ.¹，ZEON CORP.^{2 ○}Yudai Miyawaki¹，Yusuke Kondo¹，Keigo Takeda¹，Hiroki Kondo¹，Ishikawa Kenji¹，Azumi Ito²，Hirikazu Matsumoto²，Makoto Sekine¹，Masaru Hori¹
• 2Mechanism of Etching and Generating Active Species in CH_xF_y PlasmaNagoya Univ. ^○Yusuke Kondo，Yudai Miyawaki，Keigo Takeda，Hiroki Kondo，Kenji Ishikawa，Toshio Hayashi，Makoto Sekine，Masaru Hori
• 3Impact of Last Reactor Condition to Radical Density in Subsequent H2/N2 plasma and its ControlNagoya University¹，JST-CREST²，Osaka University³，Kyushu University^{4 ○}Toshiya Suzuki¹，Arkadiusz Malinowski¹，Keigo Takeda^1,2，Hiroki Kondo¹，Kenji Ishikawa¹，Yuiti Setsuhara^2,3，Masaharu Shiratani^2,4，Makoto Sekine^1,2，Masaru Hori^1,2
• 4Properties of GaAs surface by ion irradiation of chlorineNagoya Univ.¹，Osaka Univ.^{2 ○}Jongyun Park¹，Takuya Takeuchi¹，Jiadong Cao¹，Kenji Ishikawa¹，Yuichi Setsuhara²，Keigo Takeda¹，Hiroki Kondo¹，Makoto Sekine¹，Masaru Hori¹
•  5〜13　14:30〜17:00（8.5 Plasma Nanotechnology）
•  14〜18　17:00〜18:15（8.3 Plasma Deposition and Surface Treatment）

13p-E2 - 6〜21

•  1〜5　13:30〜14:45（8.3 プラズマ成膜･表面処理）
• 6クラスタープラズマによるコーティング除去技術福岡工技センター ^○池田健一
• 7中性粒子ビームエッチングモデルと加工形状解析(2)みずほ情報総研¹，数理システム²，BEANSプロジェクト 3D BEANSセンター³，東大⁴，東北大^{5 ○}大塚晋吾¹，渡辺尚貴¹，岩崎拓也¹，小野耕平¹，入江康郎¹，望月俊輔²，杉山正和^3,4，久保田智広^3,5，寒川誠二^3,5
• 8中性粒子ビームエッチングの加工形状シミュレーション (3)数理システム¹，みずほ情報総研²，BEANSプロジェクト³，東北大⁴，東大^{5 ○}望月俊輔¹，渡辺尚貴²，大塚晋吾²，岩崎拓也²，小野耕平²，入江康郎²，三輪和弘³，久保田智弘^3,4，杉山正和^3,5，寒川誠二^3,4
• 9中性粒子ビームによるシリコンエッチング（６）東北大¹，BEANS²，みずほ情報総研³，東大^{4 ○}久保田智広^1,2，三輪和弘²，アルタンスック バトナサン¹，大塚晋吾³，渡辺尚貴³，岩崎拓也³，小野耕平³，杉山正和^2,4，寒川誠二^1,2
• 10塩素中性粒子ビームによるAlGaN/GaNヘテロ構造のダメージフリーエッチング東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，東大生研³，JST-CREST^{4 ○}田村洋典^1,4，太田実雄^3,4，藤岡　洋^3,4，寒川誠二^1,2,4
•  休憩　16:00〜16:15
• 11中性粒子ビームによる低損傷・高選択比SiNゲートスペーサーエッチング東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，IBMワトソン研^{3 ○}中山大樹¹，和田章良¹，久保田智広¹，Moritz Haass³，Robert Bruce³，Ryan Martin M.³，Nicholas Fuller³，寒川誠二^1,2
• 12フォトニック結晶作製を目的とした高Al組成AlGaAs深掘ドライエッチング阪大院工 ^○（M2）北林佑太，望月雅也，石川史太郎，近藤正彦
• 13希ガスイオン照射による水酸化マグネシウムのスパッタ率測定阪大工¹，産総研²，パナソニック^{3 ○（DC）}幾世和将¹，吉村　智¹，木内正人^{1, 2}，寺内正治³，西谷幹彦^{1, 3}，浜口智志¹
• 14メタノールプラズマ中のイオン照射によるCoFeB エッチング反応(2)阪大院工 ^○唐橋一浩，伊藤智子，浜口智志
• 15固体ソース高圧力ドライエッチング法による太陽電池向け結晶シリコンの表面処理阪大院工 ^○大参宏昌，梅原弘毅，垣内弘章，安武　潔
• 16ビーム表面相互作用分子動力学(MD)シミュレーションにおける基板熱緩和過程の解析阪大院工 ^○（M1）三宅啓太，溝谷浩平，磯部倫郎，浜口智志
• 17C₅HF₇ガスプラズマによるArFフォトレジストの表面ラフネス形成の低減機構名大¹，日本ゼオン^{2 ○（M2）}浅野高平¹，宮脇雄大¹，竹田圭吾¹，近藤博基¹，石川健治¹，伊東安曇²，松本裕一²，関根　誠¹，堀　　勝¹
• 18高温における窒化ガリウム（GaN）のエッチング機構（3）名大院工¹，JST-CREST²，名工大工^{3 ○}米谷亮祐¹，陳　　尚¹，曹　佳棟¹，Michael Liu¹，石川健冶¹，竹田圭吾^1,2，近藤博基¹，関根　誠^1,2，江川孝志³，天野　浩¹，堀　　勝^1,2
• 19二周波容量結合型プラズマへのDCバイアス重畳によるSiC膜に対する高選択比絶縁膜エッチング名大¹，東京エレクトロン宮城^{2 ○}古室達也¹，竹田圭吾¹，石川健治¹，関根　誠¹，大矢欣伸²，近藤博基¹，堀　　勝¹
• 20GaNにおけるプラズマダメージのラジカル修復（３）名大院工¹，NUエコ・エンジニアリング²，名工大^{3 ○（M1）}Zecheng Liu¹，陳　　尚¹，盧　　翌¹，米谷亮祐¹，石川健治¹，加納浩之²，竹田圭吾¹，近藤博基¹，関根　誠¹，江川孝志³，堀　　勝¹，天野　浩¹
• 21Ga系化合物半導体のプラズマエッチングに関する研究名大院工 ^○（M1）曹　佳棟，米谷亮祐，朴　鐘胤，盧　　翌，陳　　尚，石川健治，関根　誠，堀　　勝