7. ビーム応用

12p-C10 - 1〜16

• 1スカンジウム酸化物で修飾したタングステン(100)面からの電子放射香川高専通信¹，室工大工^{2 ○}川久保貴史¹，中根英章²
• 2電子ビーム誘起堆積三極構造Ptナノ電子源からの縞状電子放出パターンの観測(II)阪大極限センター ^○北山智久，阿保　智，若家冨士男，高井幹夫
• 3ガラス基板上酸化チタンナノ構造のパターニング阪大極限センター ^○中谷卓央，若家冨士男，阿保　智，高井幹夫
• 4Morphology and compositional control of ion-induced Au and Ag incorporated CNFs grown at room temperature and their field emission properties.名工大¹，マレーシア工科大^{2 ○（D）}Yaakob Yazid¹，Yusop Zamri^1,2，知里高橋¹，Kalita Golap¹，靖彦　林¹，眞幸種村¹
• 5UNCD膜からの電界電子放出沖縄高専 ^○前蔵貴行，比嘉勝也
• 6苛酷環境に曝された転写モールド法導電性セラミックエミッタアレイの表面物性静岡大電研 ^○佐野恭央，中本正幸，文　宗鉉，鈴木謙太
• 7直立薄膜電子源の電子放出特性産総研 ^○吉田知也，西　　孝，長尾昌善
• 8大電力パルススパッタリング法による電子源作製の圧力依存性産総研¹，成蹊大^{2 ○}吉田知也¹，中野武雄²，長尾昌善¹，神田信子¹，西　　孝¹，大崎　壽¹
•  休憩　15:30〜15:45
• 9絶縁層に酸化アルミニウム層を挿入した窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイの高温動作特性京大・院工 ^○安友佳樹，大上　航，後藤康仁，辻　博司
• 10遷移金属窒化物フィールドエミッタアレイの電子放出特性の切片傾き解析京大院工 ^○後藤康仁，辻　博司
• 11ゲルマニウム負イオン注入石英ガラスのFEA低速電子による発光京大院工¹，シャープ基盤技研^{2 ○}辻　博司¹，坂田　彬¹，宮川　豪¹，安友佳樹¹，洗　暢俊^{1, 2}，後藤康仁¹
• 12nc-Si MOS冷陰極の光応答性八戸工大工¹，静大電研²，阪大極限センター^{3 ○}嶋脇秀隆¹，根尾陽一郎²，三村秀典²，若家冨士男³，高井幹夫³
• 13光励起型カーボンナノチューブ電界放出電子源アレイ東北大工¹，μSIC²，WPI^{3 ○}田中雄次郎¹，宮下英俊²，江刺正喜³，小野嵩人¹
• 14ダイヤモンドPINダイオード型NEA電子源を利用した真空スイッチの10kV動作における電力利得確認産総研エネ¹，ALCA(JST)²，CREST(JST)³，筑波大^{4 ○}竹内大輔^1,2,3，牧野俊晴^1,2,3，加藤宙光^1,2,3，小倉政彦^1,2,3，大串秀世^1,2,3，大橋弘通^1,2,3，山崎　聡^1,2,3,4
• 15レーザ励起によるLiTaO₃からの電子放出とX線源への応用(III)阪大極限センター ^○（M2）中浜弘介，加賀英一，木佐俊哉，阿保　智，若家冨士男，高井幹夫
• 16電子ビーム読み出しX線イメージングの基礎研究静大電研 ^○根尾陽一郎，鈴木隆嗣，青木　徹，三村秀典