7. ビーム応用

7.6 イオンビーム一般

9月12日 会場:PB9
ポスターセッション
ポスター掲示時間16:00〜18:00

12p-PB9 - 1〜6

  • 1イオンマイクロビームプローブによる大気中微粒子顕微蛍光分光・イメージング技術の開発原研高崎 ○(PC)加田 渉,横山彰人,江夏昌志,佐藤隆博,神谷富裕
  • 2低速電子線励起発行のためのゲルマニウム負イオン注入石英ガラス京大院工1,シャープ基盤技研2 宮川 豪1,辻 博司1,坂田 彬1,安友佳樹1,洗 暢俊1,2,後藤康仁1
  • 3透明材料表面へのナノ構造形成と導電性付与名工大院工 土屋琢磨,中森弘明,岡部邦吉,Subramanian Munisamy,林 靖彦,種村眞幸
  • 4液体中イオンビーム照射による物質堆積理研 小林知洋,池田時浩,荻原 清,山崎泰規
  • 5高品位β-FeSi2薄膜作製に適した基板表面処理条件の検討茨城大1,原子力機構2 ○(M1C)濱本 悟1,山口憲司2,北條喜一2
  • 6酸素クラスターイオンビーム援用蒸着法によるZnOx薄膜の作製京大光・電子理工セ 福島大貴,竹内光明,龍頭啓充,高岡義寛

7.6 イオンビーム一般

9月13日 9:00〜17:00  会場:C3

13a-C3 - 1〜11

  • 1デュアルレーザー支援真空エレクトロスプレーの特性山梨大医工1,山梨大クリーン2 二宮 啓1,リーチュイン チェン1,境 悠治2,平岡賢三2
  • 2集束クラスターイオンを用いた直行加速飛行時間型SIMS分析京大院工1,JST-CREST2 中川駿一郎1,瀬木利夫1,2,青木学総1,2,松尾二郎1,2
  • 3MeV-SIMSイメージング用静電型四重極レンズの開発京大院工1,JST-CREST2 志戸本祥1,瀬木利夫1,2,青木学聡1,2,松尾二郎1,2
  • 4imaging, cells, boron , SIMS, lateral resolutionQuantum Sc. Eng. Center, Kyoto Univ.1,Grad. Sch. Agric. Life Sc., Tokyo Univ.2 ○(PC)Matthieu Py1,Miyuki Takeuchi2,Toshio Seki1,Takaaki Aoki1,Jirou Matsuo1
  • 5シングルイベント三次元TOF-RBSの時間分解能評価阪大極限センター 濱田靖久,阿保 智,若家冨士男,高井幹夫
  •  休憩 10:15〜10:30
  • 6ヘリウムビームを用いたTOF-ERDAのための窒素弾性反跳断面積の測定若狭湾エネ研1,京大院工2 安田啓介1,土田秀次2,間嶋拓也2
  • 7静電型分析器を用いたTOF-ERDAによる極浅原子分布分析技術の開発阪大極限センター 李  沛,堀内英完,阿保 智,若家冨士男,高井幹夫
  • 8N2運動エネルギー誘起Al(111)窒化膜の773 K以下における熱変性日本原子力研究開発機構1,兵庫県立大2,東北大多元研3,筑波大4 神農宗徹1,2,寺岡有殿1,2,高岡 毅3,岡田隆太4,岩井優太郎1.2,吉越章隆1,米田忠弘3
  • 9イオンビーム照射成膜による(0001)配向ScAlN薄膜の極性制御と極性反転構造の実現名工大1,熊本高専2 ○(D)鈴木雅視1,柳谷隆彦1,小田川裕之2
  • 10RFマグネトロンスパッタ法における基板へのイオン照射を用いた c軸配向ZnO薄膜の極性制御同志社大1,名工大2,熊本高専3 生駒 遼1,柳谷隆彦2,高柳真司1,鈴木雅視2,小田川裕之3,松川真美1
  • 11テトラデカンから生成した多原子分子イオンビームの固体表面照射効果京大光電子理工セ 今中浩輔,竹内光明,龍頭啓充,高岡義寛
  •  昼食 12:00〜13:30

13p-C3 - 1〜13

  • 1「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
    イオンマイクロビームによるテフロン表面の三次元微細加工・造形
    原子力機構1,理研2 喜多村(小川)茜1,佐藤隆博1,江夏昌志1,神谷富裕1,小林知洋2
  • 2MeV級及びkeV級のイオンビームの特性を利用したテフロンの三次元微細加工原子力機構1,理研2 ○(PC)喜多村(小川)茜1,佐藤隆博1,江夏昌志1,神谷富裕1,小林知洋2
  • 3プラズマイオン注入法を用いたポリ-L-乳酸ファイバーの表面改質東理大院1,理研2 ○(M2)竹中雅博1,田中俊行2,小林知洋2,水谷恭一郎2,山田あかり2,鈴木嘉昭2,土屋好司1,矢島博文1
  • 4ポリ乳酸へのイオン注入により形成した薄膜の細胞接着特性およびその応用理化学研究所1,東京理科大院2 ○(DC)田中俊行1,2,山田あかり1,水谷恭一郎1,鈴木嘉昭1,土屋好司2,矢島博文2
  • 5酸素モノマー・クラスターイオンビーム照射による高分子基板の表面改質京大光電子理工セ ○(M1)辻中 諒,古谷健悟,竹内光明,龍頭啓充,高岡義寛
  • 6ClF3クラスターイオンビームによる反応性エッチング京大院工1,岩谷産業2 瀬木利夫1,吉野 裕2,妹尾武彦2,小池国彦2,青木学聡1,松尾二郎1
  •  休憩 15:00〜15:15
  • 7反応性雰囲気ガス下での斜入射GCIB照射による表面構造変化兵庫県立大院 ○(M2)住江健介,豊田紀章,山田 公
  • 8ガスクラスターイオンビームによる磁性膜の低損傷加工兵庫県立大院工 藤本昌宏,木村 旭,山口明良,豊田紀章,山田 公
  • 9難エッチング材料のGCIBによるエッチング(I)兵県大院工1,東京エレクトロン2 ○(M1)山口明良1,日野浦諒1,豊田紀章1,原 謙一2,山田 公1
  • 10アセトンクラスターイオンビームの固体表面照射効果京大光電子理工セ 角元友樹,糸崎俊介,龍頭啓充,竹内光明,高岡義寛
  • 11多原子分子クラスターイオンのHOPG表面照射効果京大光電子理工セ 大村祐貴,龍頭啓充,竹内光明,高岡義寛
  • 12固体表面改質へ向けたイオン液体 EMI-BF4 イオンビームの特性評価京大 光・電子理工セ 竹内光明,濱口拓也,龍頭啓充,高岡義寛
  • 13イオン液体イオンビーム照射によるガラス基板の表面改質京大光電子理工セ ○(M1)濱口拓也,竹内光明,龍頭啓充,高岡義寛