7. ビーム応用

7.4 ナノインプリント

9月12日 13:30〜17:30  会場:C3

12p-C3 - 1〜15

  • 1熱インプリントにおけるレジスト中での応力解析(II)大府大工 西倉直紀,塩津隆弘,安田雅昭,川田博昭,平井義彦
  • 2二層レジストによるリフトオフ用ナノインプリントプロセスの開発大阪府大院工 野間隼史,川田博昭,安田雅昭,平井義彦
  • 3異なる分子鎖長の離型剤を混合して成膜した離型膜の離型特性の評価兵庫県立大1,JST-CREST2 ○(B)若葉 瞳1,2,岡田 真1,2,伊吉就三1,2,春山雄一1,2,松井真二1,2
  • 4動的滑落法を用いたUVナノインプリントレジストとF-SAMの相互作用評価兵庫県立大1,AIST2,JST-CREST3,JSPS4 知念美佳1,3,姜 有志1, 3, 4,岡田 真1, 3,春山雄一1, 3,廣島 洋2, 3,松井真二1, 3
  • 5フッ素系添加剤含有UVナノインプリントレジスト離型特性の添加剤濃度依存性兵庫県立大1,ダイセル2,JST-CREST3 ○(B)大山貴弘1,3,岡田 真1,3,伊吉就三1,3,春山雄一1,3,湯川隆生2,三宅弘人2,松井真二1,3
  • 6破壊力学に基づく離型メカニズムの考察(II)大阪府立大1,JST-CREST2 西野朋季1,2,藤川仙大1,2,川田博昭1,2,平井義彦1,2
  • 7最表面に自発的に無機化層を形成するナノインプリントフィルムの開発日本曹達 熊澤和久,芝田大幹,木村信夫
  • 8UVナノインプリント薄膜における重合効率の膜厚依存性評価兵庫県立大院1,ダイセル2,東洋合成工業3,産総研4,JST-CREST5 澤田陽平1,5,三宅弘人2,大幸武司3,岡田 真1,5,伊吉就三1,5,春山雄一1,5,廣島 洋4,5,松井真二1,5
  •  休憩 15:30〜15:45
  • 9短時間ゲル-ナノインプリント法によるナノパターン形成とその評価奈良先端大1,JST-CREST2 荒木慎司1,堀田昌宏1,2,石河泰明1,2,浦岡行治1,2
  • 10溶融微細転写プロセスによる高アスペクト比ナノパターンの成形‐パターンサイズが転写挙動に及ぼす影響‐日本製鋼所 内藤章弘,越智昭太,古木賢一,伊東 宏,焼本数利
  • 11光反応性高分子液晶上に作製した段差構造パターンの配向性兵県大高度研1,兵県大工2,AIST3,長岡技科大4 岡田 真1,西岡江美2,近藤瑞穂2,江本顕雄3,佐々木友之4,春山雄一1,小野浩司4,川月喜弘2,松井真二1
  • 12HSQ転写パターンを用いたPSL粒子の自己整列兵庫県立大1,JSPS2 ○(D)姜 有志1,2,高橋 亮1,福岡隆夫1,内海裕一1,岡田 真1,春山雄一1,松井真二1
  • 13ポーラスアルミナを用いた光ナノインプリント法によるマイクロ流路パターンの形成とDNA分離デバイスへの応用首都大都市環境1,神奈川科学技術アカデミー2 柳下 崇1,2,山本 孟1,益田秀樹1,2
  • 14ナノポーラスシリコンの室温インプリント加工によるテラヘルツ帯ワイヤグリッド偏光子作製神戸大工 鎌田 威,今北健二,藤井 稔,林 真至
  • 15In-line型離型処理を適用したシートナノインプリントによるパターン連続転写日立日立研 長谷川満,荻野雅彦,宮内昭浩