6. 薄膜・表面

6.5 表面物理・真空

9月12日 会場:PB1
ポスターセッション
ポスター掲示時間9:30〜11:30

12a-PB1 - 1〜21

  • 1Si(113)表面上におけるK吸着構造のSTM観察横国大院工 ○(M1)成重卓真,大野真也,田中正俊
  • 2入射電子線の局在プラズモン励起による非弾性散乱理論東大院工 市川昌和
  • 3PDP用保護膜の不純ガスによる影響の評価パナソニック1,阪大2,物質・材料研究機構3 森田幸弘1,2,寺内正治1,吉野恭平1,辻田卓司1,2,中山貴仁1,岩本章伸1,山内康弘1,山内 泰3,西谷幹彦1,2
  • 4PDPの低電圧化に向けた保護膜材料の解析パナソニック1,阪大2 辻田卓司1,2,寺内正治1,中山貴仁1,岩本章伸1,森田幸弘1,2,西谷幹彦1,2,北川雅俊2
  • 5HOPG上に形成したLi 薄膜の電子構造広大放射光1,マツダ 技研2 Galif kutluk1,仲武昌史1,有田将司1,住田弘祐2,生天目博文1,谷口雅樹1
  • 6ナノクラスター形成によるSi(110)表面再構成構造の変化原研先端基礎1,原研量子ビーム2 ○(P)横山有太1,山崎竜也2,朝岡秀人1,2
  • 7基板のヤケが光学薄膜の特性に与える影響2東海大院工1,シンクロン2 中山 俊1,室谷裕志1,高橋智明1,奥田 良1,松本繁治2,本田博光2
  • 8Fe表面腐食の第一原理計算による研究富山大情セ1,富山大理工2 布村紀男1,砂田 聡2
  • 9SrTiO3上Niクラスターのエピタキシーと特性評価物材機構 田中美代子
  • 10Si/Ag(111)の表面形態のSTM観察芝浦工大 稲瀬陽介,柴田和宏,弓野健太郎
  • 11基板の表面粗さがTiO2光学薄膜に与える光散乱への影響4東海大1,シンクロン2 原田敏憲1,奥田 良1,室谷裕志1,松本繁治2,本多博光2
  • 12X線反射率法による多層膜表面解析の改良神戸大研基セ 藤居義和
  • 13X線反射率測定による電気化学成長の時分割観察KEK-PF1,東京学芸大2,近畿大3 Wolfgang Voegeli1,松下 正1,荒川悦雄2,矢野陽子3
  • 14Si(100)表面での水素吸着/脱離に関する研究:残された課題とは山形大工1,九州工大工2 成田 克1,稲永征司2,並木 章2
  • 15UVオゾンによるSiおよび極薄Si酸化膜上の酸化膜成長産総研計測標準 東 康史,黒河 明,藤本俊幸
  • 16Ni(111)面上に形成した単層及び2層グラフェンのLEEDによる構造解析九大院総理工 佐々木均,水野清義
  • 17可視光透過性超撥水膜の耐久性向上慶大院理工 上村 渉,白鳥世明
  • 18光電子分光法による希薄磁性半導体GaGdAsの電子状態評価香川大工1,香川大教育2 舩城 央1,佐伯有三2,南 武志2,宇田雄気1,松本翔太郎1,宮川勇人1,高橋尚志2,小柴 俊1
  • 19気体飽和水溶液と接したシリコン基板界面における気体層の形成埼玉大1,Univ. of Twente2 篠崎良平1,中林誠一郎1,吉川洋史1,James Seddon2,Detlef Lohse2
  • 20Ne固体表面上に凝縮した水とメタンの光化学反応学習院大 武隈真一,山川紘一郎,三浦 崇,荒川一郎
  • 21低温銅表面に物理吸着した水素の吸着等温線学習院大 清水英行,伊野瀬奈々,三浦 崇,荒川一郎

6.5 表面物理・真空

9月12日 13:30〜18:30  会場:C12

12p-C12 - 1〜18

  • 1金属偏析予測システムSurfSeg物質・材料研究機構 吉武道子
  • 2第一原理計算によるCu(111)表面-塩基分子の分子指紋の解析阪大・産研 田中裕行,川合知二
  • 3プラズマ処理による金属酸化物前駆体を用いたテクスチャ構造の形成リンテック 永縄智史,近藤 健
  • 4Ge(100)-2×1表面に対する酸素分子の初期吸着確率の並進運動エネルギーによる変化原子力機構1,筑波大院数物2,兵県大院物質理学3 吉越章隆1,岡田隆太1,2,寺岡有殿1,3,神農宗徹1,3,山田洋一2,佐々木正洋2
  • 5Ge(111)-c(2×8)表面の飽和酸化膜におけるGe3+成分の並進運動エネルギーによる変化原子力機構1,筑波大院数物2,兵県大院物質理学3 ○(D)岡田隆太1,2,吉越章隆1,寺岡有殿1,3,神農宗徹1,3,山田洋一2,佐々木正洋2
  • 6Ti吸着によるSi(001)表面酸化促進反応の解析横浜国大1,佐賀大シンクロトロン2 大野真也1,安部壮祐1,高橋和敏2,鎌田雅夫2,田中正俊1
  •  休憩 15:00〜15:15
  • 7ルチルTiO2(110)上に担持したAuナノ粒子の触媒活性化機構I立命館大理工1,九州大工2 光原 圭1,田上正崇1,松田太志1,Visikovskiy Anton2,城戸義明1
  • 8ルチルTiO2(110)上に担持したAuナノ粒子の触媒活性化機構II立命館大理工1,九州大工2 光原 圭1,田上正崇1,松田太志1,Visikovskiy Anton2,城戸義明1
  • 9湿度制御雰囲気下でのGeO2/Ge構造のXPS観測:吸着水がGe3dスペクトルに与える影響阪大院工1,バークレー国立研2 有馬健太1,村 敦史1,秀島伊織1,細井卓治1,渡部平司1,Zhi Liu2
  • 10Si高指数面熱酸化過程における温度依存性の解析 II横国大工1,原子力機構2,産総研3 安部壮祐1,大野真也1,兼村瑠威1,吉越章隆2,寺岡有殿2,尾形祥一1,安田哲二3,田中正俊1
  • 11STM/STSによるLixCoO2単結晶表面観察東北大WPI-AIMR1,理研2,東北大融合研3,島根大4 岩谷克也1,湊 丈俊2,3,三好清貴4,竹内 淳4,金 有洙2,一杉太郎1
  • 12BRAESプロファイルの入射電子エネルギー依存性大同大工1,東北大多元研2 堀尾吉已1,高桑雄二2,小川修一2
  • 13仕事関数のEUPSによる評価への分析室内の汚染の影響産総研 計測フロンティア 富江敏尚,石塚知明
  • 14MnAs初期成長のGaAs(001)基板表面再構成依存性東工大院理工 平岡聖啓,加来 滋,吉野淳二
  •  休憩 17:15〜17:30
  • 15反応条件下におけるAu/TiO2触媒の表面・界面構造阪大産研1,阪大院理2,産総研ユビキタス3,首都大東京4 ○(D)桑内康文1,2,吉田秀人1,秋田知樹3,春田正毅4,竹田精治1
  • 16低温CO酸化触媒Au/TiO2界面に成長するTi1-xO2ピラー東工大院理工1,東工大院総理工2,CREST, JST3 田中崇之1,3,佐野健太郎1,炭屋亜美2,安藤雅文1,高柳邦夫1,3
  • 17Pd30Au70(111)表面の電子状態と水素との反応性東大生研 ディー ウェン,小倉正平,深田啓介,福谷克之
  • 18Si基板上エピタキシャルb-FeSi2ナノドットの積層技術開発阪大院基礎工1,PRESTO-JST2 五十川雅之1,中村芳明1,2,吉川 純1,竹内正太郎1,酒井 朗1