6. 薄膜・表面

11a-PA1 - 1〜25

• 1NiO-ReRAMにおける動作電圧ばらつきの原因究明鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○}緒方涼介¹，木下健太郎^1,2，吉原幹貴¹，岸田　悟^1,2
• 2HfO₂-CB-RAMにおけるフィラメントの形成機構鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○}長谷川祥¹，木下健太郎^1,2，鶴田茂之¹，片田直伸¹，岸田　悟^1,2
• 3ペロブスカイト酸化物系ReRAMにおける水素イオン移動による抵抗変化鳥取大¹，TEDREC^{2 ○}野津武志¹，木下健太郎^1,2，花田明紘¹，三浦寛基¹，岸田　悟^1,2
• 4二元系遷移金属酸化物ReRAMにおけるリセットスイッチング特性鳥取大¹，TEDREC^{2 ○}森山拓洋¹，木下健太郎^1,2，小石遼介¹，岸田　悟^1,2
• 5上部電極を有するTEMその場観察ReRAM試料における電気特性評価北大院情報 ^○工藤昌輝，大野裕輝，浜田弘一，有田正志，高橋康夫
• 6低電流スイッチングするAFM探針/TiO₂/Ti積層膜の構造解析産総研GNC¹，JASRI/SPring-8^{2 ○}二瓶瑞久¹，中野美尚¹，高橋　慎¹，小嗣真人²，大河内拓雄²，室隆桂之²，横山直樹¹
• 7擬正方晶BiFeO3/Ca1-xCexMnO3/ YAlO3 ヘテロ接合の作製とその不揮発デバイス機能産総研¹，CNRS-Thales^{2 ○}山田浩之^1,2，Vincent Garcia²，S. Fusil²，Karim Bouzehouane²，Eric Jacquet²，Manuel Bibes²，A. Barthélémy²
• 8SrFeO₂薄膜における輸送特性の基板依存性東大院理¹，JST-CREST²，KAST^{3 ○}片山　司¹，近松　彰^1,2，廣瀬　靖^1,2,3，福村知昭^1,2，長谷川哲也^1,2,3
• 9固相エピタキシー法による高品質EuTiO₃(100)薄膜の合成東大院理¹，KAST²，JST-CREST^{3 ○}島本憲太^1,3，廣瀬　靖^1,2,3，中尾祥一郎^2,3，福村知昭^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3
• 10分光エリプソメトリーを用いたPr_1-xCa_xMnO₃薄膜の解析京都大工 ^○山田昌樹，Tingting Xu，中村敏浩
• 11スパッタSiC膜を用いた抵抗変化型MISメモリ東京農工大院工 ^○小松辰実，須田良幸
• 124H-SiC基板を用いた不揮発性メモリ東京農工大院工 ^○山田有季乃，須田良幸
• 13次世代太陽電池に向けた(Ag,Cu)₂O薄膜の光学特性の検討東理大 総研/理工 ^○山下貴史，石田　淳，杉山　睦
• 14電気化学堆積法による(111) Pt上Cu₂O薄膜成長阪府大院工 ^○佐藤俊祐，芦田　淳，吉村　武，藤村紀文
• 15可視光透過型太陽電池に向けたZnO薄膜の作製と評価東理大理¹，東洋大理工^{2 ○}田中翔太¹，小畑　努¹，呉麻美子¹，原子　進¹，小室脩二²，趙　新為¹
• 16アモルファス酸化ニオブの光吸収特性と分子軌道計算による電子状態評価香川高専¹，岡山大^{2 ○}桟敷　剛¹，岡野　寛¹，難波徳郎²，紅野安彦²
• 17気相PLA法によるBi3+ドープ型CaWO4薄膜の作製と発光特性の評価電通大院,情報理工 ^○伊藤喜浩，チャオキョン チュウ，永井　豊，田中勝己
• 182スパッタ源反応性スパッタ法による光触媒用TiO₂薄膜の斜め入射堆積II東京工芸大(院) ^○（DC）安田洋司，北原直人，星　陽一
• 19軟X線分光によるFe-doped TiO2薄膜の電子構造東理大理¹，物構研²，LBNL³ 臼井勝哉¹，松本雅至¹，井上智弘¹，奥村哲平¹，坂井延寿²，組頭広志²，Per-Anders Glans³，Jinghua Guo³，^○樋口　透¹
• 20酸素ラジカルを用いて作製したTiO_2-δスパッタ薄膜の電子構造東理大理¹，物構研² 島津雄一¹，奥村哲平¹，中山　創¹，坂井延寿²，組頭広志²，^○樋口　透¹
• 21スパッタ法により作製したSc-doped TiO2薄膜の構造と電気特性東理大¹，物構研^{2 ○}井上智弘¹，冨山和哉¹，坂井延寿²，組頭広志²，樋口　透¹
• 22Sc-doped SrTiO3 スパッタ薄膜におけるドープ量及び膜厚効果東理大理¹，物構研^{2 ○（B）}加藤裕之¹，奥村哲平¹，坂井延寿²，組頭広志²，樋口　透¹
• 23液相レーザーアブレーション法を用いたSrTiO3微粒子の作製と評価電通大院 情報理工 ^○居　　超，チャオキョン チュウ，永井　豊，田中勝己
• 24Mn添加酸化亜鉛薄膜半導体の構造と磁気2東理大理¹，東洋大理工²，日本原子力研究開発機構^{3 ○}岡本純平¹，原子　進¹，小室修二²，平尾法恵³，趙　新為¹
• 25RF-DC結合形スパッタ法により作製されたAZO薄膜の温度特性新潟大 ^○富口祐輔，名越克仁，清水英彦，岩野春男，川上貴浩，福嶋康夫，永田向太郎，坪井　望，野本隆宏

12a-C13 - 1〜11

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  (Nd,Sm)NiO₃電気二重層トランジスタの動作特性産総研¹，JST-CREST²，東大院総合³，JSTさきがけ⁴，東大院工⁵，理研CERG^{6 ○}浅沼周太郎^1,2，向　平華^1,2，山田浩之¹，佐藤　弘¹，井上　公^1,2，赤穗博司^1,2，澤　彰仁^1,2，上野和紀^3,4，川崎雅司^5,6，岩佐義宏^5,6
• 2TiO₂基板上のマイクロスケールVO₂薄膜における巨大金属‐絶縁体ドメイン配列制御と電気伝導特性評価阪大産研 ^○上田大貴，高見英史，川谷健一，神吉輝夫，田中秀和
• 3Al₂O₃(0001)基板上のVO₂ナノワイヤーにおける多値金属-絶縁体相転移阪大産研 ^○（D）高見英史，川谷健一，上田大貴，藤原宏平，神吉輝夫，田中秀和
• 4ストレス誘起M2相VO2薄膜の電子状態と相転移特性東海大院工¹，GREMAN, UMR 7347 CNRS^{2 ○}渡部　智¹，シュルズ モハメッド¹，沖村邦雄¹，坂井　穣²
• 5ICP支援スパッタ法によるTi/Si(100)上へのVO2薄膜の低温成長東海大 ^○シュルズ モハメッド，沖村邦雄
• 6V_1-xW_xO₂ (0≤x≤0.067)薄膜における圧力誘起絶縁体-金属相転移産総研¹，理研²，KEK物構研³，東大新領域⁴，東大工^{5 ○}渋谷圭介^{1, 2}，奥山大輔²，寺倉千恵子²，熊井玲児³，小林賢介³，田口康二郎²，有馬孝尚⁴，川崎雅司^{2, 5}，十倉好紀^{2, 5}
•  休憩　10:30〜10:45
• 7ペロブスカイト型強磁性絶縁体へのd⁰イオン置換効果東大物性研 ^○（P）原田尚之，高橋竜太，ミック リップマー
• 8ハーフメタル/Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ヘテロ構造の歪みとマルチフェロイック特性名大院工 ^○三宝勝利，小林耕平，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文
• 9SrFeO_x (x ≈ 2.8)薄膜の金属-絶縁体転移京大化研¹，JST-CREST^{2 ○}平井　慧¹，菅　大介¹，市川能也¹，島川祐一^1,2
• 10スピネルフェライト薄膜の作製と伝導性制御の試み東大院工 ^○高橋哲大，松原雄也，伊藤正人，川崎雅司，塚崎　敦
• 11遷移金属酸化物混晶におけるバンドギャップ狭帯化の起源東工大院理工¹，高エネ研²，JST-ALCA^{3 ○（M2）}増子尚徳¹，坂井延寿²，組頭広志²，大島孝仁¹，大友　明^1,3
•  昼食　12:00〜13:30

12p-C13 - 1〜20

• 1アルミニウム自然酸化膜を用いたナノギャップReRAM上智大理工 ^○宮邉　徹，中岡俊裕
• 2ナノスケール抵抗変化メモリにおける周辺環境との熱力学的相互作用の重要性阪大産研¹，建国大^{2 ○}長島一樹¹，柳田　剛¹，金井真樹¹，岡　敬祐¹，Bae Ho Park²，川合知二^1,2
• 3ユニポーラ・バイポーラ抵抗変化メモリ現象におけるサイズ効果阪大産研¹，建国大^{2 ○}柳田　剛¹，長島一樹¹，岡　敬祐¹，金井真樹¹，Park Bae Ho²，川合知二^1,2
• 4BiFeO₃薄膜を用いた強誘電抵抗変化メモリの動作特性産総研 ^○（PC）福地　厚，山田浩之，澤　彰仁
• 5HfO₂-CB-RAM のフィラメント物性鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○}鶴田茂之¹，木下健太郎^1,2，長谷川祥¹，福原貴博¹，岸田　悟^1,2
• 6水素イオン移動型ReRAMの抵抗変化特性鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○}三浦寛基¹，木下健太郎^1,2，花田明紘¹，野津武志¹，岸田　悟^1,2
• 7PtとNbドープSrTiO3薄膜からなるショットキー接合の電流-電圧特性京大化研¹，JST-CREST^{2 ○（M2）}清水卓也¹，菅　大介¹，島川祐一^1,2
• 8Rh置換Fe₂O₃薄膜の作製と近赤外域における光電特性東大工 ^○関　宗俊，山原弘靖，田畑　仁
• 93次元ナノテンプレートPLD法による(Fe,Zn)₃O₄エピタキシャルナノ細線の創製阪大産研 ^○服部　梓，藤原康司，田中秀和
• 10(La,Pr,Ca)MnO₃極微ナノウォール細線構造における磁気抵抗効果阪大産研 ^○藤原康司，服部　梓，藤原宏平，田中秀和
• 11(Fe,Zn)₃O₄エピタキシャル薄膜を用いた電界効果トランジスタ構造の構築阪大産研 ^○市村昂士，藤原宏平，櫛崎貴吉，神吉輝夫，田中秀和
•  休憩　16:15〜16:30
• 12金微粒子の表面プラズモンによるVO2金属-絶縁体相転移の誘起理研¹，日立マクセルエナジー²，北大電子研^{3 ○}島崎勝輔^1,2，玉木(渡邉)亮子¹，田中拓男^1,3
• 13無限層構造LaNiO₂薄膜へのAサイト置換ドーピング京大化研¹，JST-CREST^{2 ○}市川能也¹，島川祐一^1,2
• 14格子整合したSrRuO₃における薄膜構造の膜厚依存性京大化研¹，JST-CREST^{2 ○}菅　大介¹，麻生亮太郎¹，倉田博基^1,2，島川祐一^1,2
• 15二重ペロブスカイトSrLaVRuO₆の作製と磁気・伝導特性名大院工 ^○善戝良介，松島宏行，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文
• 16La_0.7Sr_0.3MnO₃/Ba_0.7Sr_0.3TiO₃/Fe₂CrSi構造のマルチフェロイック特性名大院工 ^○川田浩憲，小林耕平，鈴木亮祐，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文
• 17六方晶YMnO₃強誘電体薄膜の光応答東大院理¹，KAST²，JST-CREST^{3 ○}相澤和樹¹，廣瀬　靖^1,2,3，中尾祥一郎^2,3，近松　彰^1,3，福村知昭^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3
• 18SrMnO_3-δエピタキシャル薄膜の酸素欠損に伴う構造変化東大新領域¹，東大生研²，東大総研³，名大工^{4 ○}小林俊介¹，溝口照康²，柴田直哉³，幾原雄一³，山本剛久^1,3,4
• 19La_２NiMnO₆薄膜の極性東大物性研¹，東大工²，物質・材料研究機構^{3 ○}高橋竜太¹，大久保勇男^2,3，北村未歩²，尾嶋正治²，Mikk Lippmaa¹
• 20PLD法によるMott絶縁体Mn酸化物薄膜のエピタキシャル成長富士電機¹，理研CERG²，物材機構³，東大先端研⁴，東大工^{5 ○}荻本泰史^1,2，小川直毅²，宮野健次郎^3,4，十倉好紀^2,5

13a-C13 - 1〜11

• 1金属/誘電体(Ag/ZnO)多層膜(MDM)透明導電性材料の熱処理効果上智大・理工¹，上智大ナノテクノロジー研究センター^{2 ○}白崎慎也¹，田仲晃基¹，西　大紀¹，菊池昭彦^1,2
• 2フレキシブルデバイス応用を目指したZnOセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性大阪工大ナノ材料マイクロデバイス研究センター ^○木村祐太，孫　　屹，前元利彦，佐々誠彦，井上正崇
• 3(CoZn)O/ZnO構造における分極変調効果と2次元電子系の形成東大院工¹，JSTさきがけ²，電中研³，理研ASI^{4 ○}塚崎　敦¹，柴田直哉^1,2，幾原雄一¹，小野新平³，寺倉千恵子⁴，小塚裕介¹，永長直人^1,4，十倉好紀^1,4，川崎雅司^1,4
• 4MOD法により作製したWO3ナノ構造制御と光触媒反応の基板依存性名工大 ^○（M2）猪子絵梨，山内　翔，矢野　航，廣芝伸哉，市川　洋
• 5WO₃光触媒の結晶性、粒径制御によるアセトアルデヒド分解速度の向上東芝マテリアル ^○福士大輔，佐藤　光，日下隆夫，片岡好則，小林薫平
• 6WO₃可視光応答型光触媒への金属酸化物、金属触媒添加による活性の向上東芝マテリアル ^○福士大輔，佐藤　光，日下隆夫，片岡好則，小林薫平
• 7可視光応答型光触媒WO₃の消臭･抗菌性の評価東芝マテリアル ^○佐藤　光，福士大輔，日下隆夫，片岡好則，小林薫平
•  休憩　10:45〜11:00
• 8光化学堆積SnO₂薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作名工大 ^○（D）敖登宝楽爾，森口幸久，市村正也
• 9酸化物ＴＦＴ用低温工程Plastic基板技術ETRI ^○Byounggon Yu，Sang-Hee Ko Park，OhSang Kwon，Min Ki Ryu，Jae-Eun Pi，Chi-Sun Hwang
• 10CaF₂薄膜を用いたMgO材料の吸湿性評価龍谷大院理工¹，兵庫工技セ^{2 ○}岡　威樹¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹
• 11磁場分布可変型対向スパッタによる傾斜型組成薄膜作製の検討山口大工 ^○諸橋信一，岸本堅剛，碓井圭太，高木史博，原田直幸
•  昼食　12:00〜13:30

13p-C13 - 1〜20

• 1Enhanced Mobility in self-buffered Anatase TiO₂ Grown at Low TemperatureUniv. of Tokyo¹，CREST-JST²，KAST^{3 ○（M2）}Thantip Krasienapibal¹，福村知昭^1,2,3，廣瀬　靖^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3
• 2アナターゼ型TaONエピタキシャル薄膜の物理特性II東大院理¹，KAST²，JST-CREST³，東大院工⁴，東大生研⁵，UTTAC^{6 ○}鈴木　温^1,2,3，廣瀬　靖^1,2,3，岡　大地^1,2,3，中尾祥一郎^2,3，松崎浩之⁴，福谷克之⁵，石井　聡⁶，笹　公和⁶，関場大一郎⁶，福村知昭^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3
• 3光触媒薄膜を用いたリソグラフィプロセスの開発II府大高専¹，豊橋技科大^{2 ○}中野瑞記¹，植村公亮¹，尾崎　亮¹，小松啄也¹，前田篤志¹，松田厚範²
• 4低比抵抗Alドープ ZnO(AZO)薄膜の成膜青学大理工 ^○草柳嶺秀，内田あずさ，岡　伸人，賈　軍軍，重里有三
• 5Off-axisスパッタ法による低比抵抗AZO, GZOの成膜青学大理工 ^○吉村　彩，籠谷幸広，岡　伸人，賈　軍軍，重里有三
• 6ITO陽極表面の酸素プラズマ処理条件による有機EL素子の動作特性の変化東京工芸大工¹，新潟大工^{2 ○}星　陽一¹，小林信一¹，内田孝幸¹，清水英彦²
• 7O₂、H₂O、 N₂、またはN₂O導入DCスパッタリング成膜アモルファスIn-Sn-Zn酸化物(a-ITZO)薄膜青学大理工¹，出光興産^{2 ○}鳥越祥文¹，的場竜樹¹，岡　伸人¹，賈　軍軍¹，川島絵美²，西村麻美²，笠見雅司²，矢野公規²，重里有三¹
• 8分光エリプソメトリによる多結晶ITO,アモルファスIZO薄膜の解析青学大¹，出光興産^{2 ○}佐藤里奈¹，岡　伸人¹，賈　軍軍¹，宇都野太²，海上　暁²，重里有三¹
• 9PbTiO3薄膜を用いた電気二重層トランジスタの作製と特性評価東大院工¹，理研CMRG²，理研CERG³，東大院総合^{4 ○}村井裕之¹，伊藤正人²，松原雄也³，小塚裕介¹，塚崎　敦¹，上野和紀⁴，岩佐義宏^1,3，川崎雅司^1,2,3
• 10Au/Nb:TiO₂(110)界面の光電子分光分析東工大応セラ研¹，東大院工²，高エネ研³，JSTさきがけ^{4 ○}高田真太郎¹，松本祐司¹，尾嶋正治²，組頭広志^2,3,4，坂井延寿³
•  休憩　16:00〜16:15
• 11SrTiO₃薄膜における陽イオン比変化に起因した欠陥構造の解析東大新領域¹，東大生産研²，東大総研³，名大工^{4 ○（M2）}水向祐樹¹，小林俊介¹，溝口照康²，柴田直哉³，幾原雄一³，山本剛久^1,3,4
• 12Nb:SrTiO₃(001)/電解質溶液界面での電流-電圧特性に及ぼす酸化還元処理効果東工大応セラ研 ^○（M2）三浦能裕，高田真太郎，松本祐司
• 13酸化物基板の最表面構造: その平坦化プロセス依存性東北大WPI-AIMR¹，JSTさきがけ^{2 ○}清水亮太¹，岩谷克也¹，大澤健男¹，白木　將¹，一杉太郎^1,2
• 14LaAlO₃/SrTiO₃(001)-(√13×√13) ヘテロ界面の形成初期過程観察東北大WPI-AIMR¹，JSTさきがけ^{2 ○}大澤健男¹，清水亮太¹，岩谷克也¹，白木　將¹，一杉太郎^1,2
• 15チタン酸リチウムエピタキシャル薄膜作製条件の検討東北大WPI-AIMR ^○熊谷明哉，清水亮太，高木由貴，大澤健男，鈴木　竜，白木　将，一杉太郎
• 16PLD法によるイオン伝導性Li_0.33La_0.56TiO₃エピタキシャル薄膜の作製物材機構GREEN¹，物材機構MANA²，物材機構^{3 ○}大西　剛^1,2,3，高田和典^2,3
• 17パルスレーザ堆積法によるLiTi₂O₄ 薄膜のエピタキシャル成長東工大院理工¹，JST-ALCA^{2 ○}横山耕祐¹，丹羽三冬¹，大島孝仁¹，大友　明^1,2
• 18熱処理雰囲気制御によるTiO₂薄膜FETの特性向上産総研 ^○（PC）大塚照久，島　　久，秋永広幸
• 19CVD法による低抵抗酸化チタン薄膜の成長II茨城大工 ^○石橋和洋，永塚正浩，塚本修平，山内　智
• 20光触媒チタンアパタイトの電気化学特性富士通研 ^○穴澤俊久，若村正人，N. F. Cooray，塚田峰春

14a-C13 - 1〜11

• 1Al/Fe₃O₄界面を用いた抵抗変化メモリの開発東大院工¹，東大放射光機構²，KEK-PF³，JST-さきがけ^{4 ○}中田耕次¹，豊田智史^1,2，尾嶋正治^1,2，組頭広志^1,3,4
• 2LuFe₂O₄薄膜における電界誘起抵抗スイッチングと非線形伝導阪大産研 ^○藤原宏平，田中秀和
• 3NiO薄膜を用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布京大院工 ^○堀江大典，西　佑介，岩田達哉，木本恒暢
• 4PtO_x/Nb:SrTiO₃ Schottky接合素子の抵抗変化特性村田製作所¹，阪大²，山梨大³，物質・材料研究機構^{4 ○}廣瀬左京^1,2，景山恵介¹，家木英治¹，古田朋大⁴，柳　　博³，小俣孝久²，吉川英樹⁴，大橋直樹⁴
• 5ツイスト接合バイクリスタルSrTiO₃(001)基板の抵抗スイッチング特性評価阪大院基礎工¹，阪大基礎工² 淺田遼太¹，Son Pham¹，Nishad Kokate²，吉川　純¹，^○竹内正太郎¹，中村芳明¹，酒井　朗¹
• 6Ti系電極を用いたSiリッチ酸化層の抵抗変化特性評価名大院工¹，広大院先端研^{2 ○}福嶋太紀¹，大田晃生²，牧原克典¹，宮崎誠一¹
•  休憩　10:30〜10:45
• 7Pt/Ta₂O₅/Pt, Pt３端子素子構造の試作とその動作物材機構¹，JST/CREST²，東大^{3 ○}王　ちぃ^1,2，伊藤弥生美^1,2，鶴岡　徹^1,2，山口　周^2,3，渡邉　聡^2,3，平本俊郎^1,2,3，長谷川剛^1,2，青野正和¹
• 8Ag/Ta2O5/Pt構造における量子化コンダクタンスとシナプス的な振る舞い物材機構¹，JST-CREST^{2 ○}鶴岡　徹^1,2，長谷川剛^1,2，寺部一弥¹，青野正和¹
• 9スパッタ法により作製されたTa₂O₅/TaO_x二層構造ReRAMのスイッチング特性の改善アルバック半電研 ^○福田夏樹，福寿和紀，菊池　真，堀田和正，西岡　浩，鄒　弘綱
• 10硫化銅ギャップ型原子スイッチによるシナプス動作物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点¹，カリフォルニア大ロサンゼルス校化学/生化学科²，カリフォルニア大カリフォルニア・ナノシステム研究所^{3 ○（PC）}Alpana Nayak¹，大野武雄¹，鶴岡　徹¹，寺部一弥¹，長谷川剛¹，James K. Gimzewski^2,3，青野正和¹
• 11ヨウ素デンプン反応を用いた抵抗変化型スイッチ・メモリ現象東海大工 ^○（M2）湯川類成，広瀬洋一
•  昼食　12:00〜13:00

14p-C13 - 1〜7

• 1可視光透過型太陽電池に向けたNiO薄膜のキャリア密度の制御東理大 総研/理工¹，東北大 多元研^{2 ○}川出大佑¹，石田　淳¹，渡辺遥翼¹，藁澤　萌¹，秩父重英²，杉山　睦¹
• 2可視光透過型太陽電池に向けたNiO薄膜の作製と評価3東理大理¹，東洋大理工^{2 ○}小畑　努¹，田中翔太¹，原子　進¹，小室修二²，趙　新為¹
• 3Cu₂Oシートを用いるヘテロ接合太陽電池の得られる特性に対するCu₂O上への成膜が及ぼす影響金沢工大 ^○宮田俊弘，西　祐希，池永訓昭，上田　修，南　内嗣
• 4各種の介在層を挿入して作製したAZO/Cu₂Oヘテロ接合太陽電池の光起電力特性金沢工大 OEDS R&D センター ^○西　祐希，阿部信也，宮田俊弘，南　内嗣
• 5Synthesis of Cu₂O films by Radical Oxidation for PV application静大電子工学研究所 ^○（P）Zhigang Zang，Nakamura Atsushi，Temmyo Jiro
• 6反応性スパッタリングにより形成したFe-O-N系薄膜の電気的特性東北大工 ^○小川由希子，安藤大輔，須藤祐司，小池淳一
• 7RFマグネトロンスパッタを用いた酸化物ナノアイランドの作製香川高専 ^○與田将士，桟敷　剛，岡野　寛