6. 薄膜・表面

13a-PB2 - 1〜20

• 1p型超ナノ微結晶ダイヤモンド/アモルファスカーボン混相膜の電気伝導特性に及ぼす水素化の効果九大 ^○片宗優貴，大曲新矢，吉武　剛
• 2Bドープによるナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜中のダイヤモンド結晶の成長促進効果九大 ^○片宗優貴，大曲新矢，吉武　剛
• 3高濃度ホウ素ドープした(001)微斜面基板上のホモエピタキシャルCVDダイヤモンド層の特性評価阪大院工 ^○森玲央奈，毎田　修，伊藤利道
• 4ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド積層構造におけるμmオーダーで相互に分離された縮退p型領域からの正孔拡散阪大院工 ^○市川大地，毎田　修，伊藤利道
• 5高濃度ホウ素ドープ縮退ダイヤモンド単結晶CVD薄膜におけるキャリア輸送特性の水素プラズマ照射時間依存性阪大院工 ^○九鬼知博，毎田　修，伊藤利道
• 6線状核発生領域の細線化によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング^{2 ○（M1）}野崎元太¹，児玉英之¹，鈴木一博²，河野省三¹，澤邊厚仁¹
• 7SiON膜を用いたダイヤモンドMOSダイオードの電気的特性金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，CREST(JST)^{3 ○}辻　直貴¹，井上晃宏¹，徳田規夫^1,2,3，山崎　聡^2,3，猪熊孝夫¹
• 8燐ドープCVDダイヤモンド薄膜におけるオーミック電極形成と高機能化阪大院工 ^○多田周平，毎田　修，伊藤利道
• 9ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの規則配列作製早大理工¹，物材機構²，原子力機構³，ウルム大⁴，産総研⁵，筑波大^{6 ○}小松原彰¹，寺地徳之²，堀　匡寛¹，熊谷国憲¹，田村崇人¹，大島　武³，小野田忍³，山本　卓³，Christoph Müller⁴，Boris Naydenov⁴，Liam McGuinness⁴，Fedor Jelezko⁴，谷井孝至¹，品田賢宏⁵，磯谷順一⁶
• 10単結晶CVDダイヤモンド層を用いた位置敏感検出器構造の検討阪大院工 ^○勝本健太，毎田　修，伊藤利道
• 11CVDダイヤモンド薄膜上に形成した電極の局所的特性に関するケルビンフォース顕微鏡による大気中評価阪大院工 ^○大島　光，毎田　修，伊藤利道
• 12Arのマイクロ波放電フローによるC₂H₂の解離励起反応長岡技科大工 ^○津留紘樹，山元愛弓，甲把理恵，伊藤治彦
• 13ArのECR放電による有機シランの分解反応-水素化アモルファス炭化ケイ素薄膜の形成長岡技科大工¹，テキサス大²，兵庫県立大³ 鬼束さおり¹，^○甲把理恵¹，岡田亘太郎¹，Roacho Robinson²，鈴木常生¹，齋藤秀俊¹，新部正人³，神田一浩³，伊藤治彦¹
• 14Arのマイクロ波放電フロー中でのヘキサメチルジシランの分解を用いたa-SiC_ｘ:H 膜の形成長岡技科大工 ^○熊倉基起，斎藤秀俊，伊藤治彦
• 15高周波プラズマCVDによる高窒素含有a-CN_x:H薄膜の形成長岡技科大工 ^○津田哲平，櫻井一貴，岡田亘太郎，齋藤秀俊，伊藤治彦
• 16分子動力学を用いた鉄基板上のDLC成長シミュレーション三重大 ^○井口綾佑，河村貴宏，鈴木泰之
• 17有機シランの間欠供給を用いた高周波プラズマCVD法によるSi添加DLC薄膜の作製弘前大院理工 ^○中澤日出樹，鎌田亮輔，奥野さおり
• 18アモルファス窒化炭素薄膜の光誘起体積変化防大材料 ^○原田人萌，青野祐美，田村尚之，岩崎千尋，北沢信章，渡邉芳久
• 19マイクロ波プラズマCVDによる窒化炭素合成における基板依存性岐阜高専¹，豊田高専²，岐阜工業技術研³，豊橋技科大^{4 ○}高橋侑佑¹，鵜木武人¹，羽渕仁恵²，細野幸太³，滝川浩史⁴
• 20Si基板に窒化炭素膜を液相合成する際の電圧印加極性の影響東海大院総合理工¹，東海大産業工²，東海大³，東海大開発工^{4 ○}東　幹晃¹，清田英夫²，黒須楯生³，千葉雅史⁴

13p-C12 - 1〜21

• 1熱処理α-Al₂O₃(11＼overline{2}0)基板を用いたエピタキシャルダイヤモンド成長青学大¹，トウプラスエンジニアリング²，並木精密宝石^{3 ○}先崎孝志¹，児玉英之¹，水崎壮一郎¹，鈴木一博²，古滝敏郎³，河野省三¹，澤邊厚仁¹
• 2球型共振構造のMPCVDを用いたダイヤモンド(111)ホモエピタキシャル成長金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，CREST(JST)^{3 ○}森本隆介¹，辻　直貴¹，徳田規夫^1,2,3，小倉正彦^2,3，山崎　聡^2,3，猪熊孝夫¹
• 3熱フィラメントCVD装置を用いて形成されたSi表面炭化層の評価東海大工¹，東海大開発工^{2 ○}春田憲一¹，木村英樹¹，千葉雅史²
• 4単結晶ダイヤモンド・マイクロマシニングの研究物質材料研究機構 ^○廖　梅勇，Liwen Sang，池田直樹，井村将隆，小出康夫
• 5ウェット酸化によるダイヤモンド(111)表面の酸素終端化金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，CREST/JST^{3 ○}神谷昇吾¹，徳田規夫^1,2,3，牧野俊晴^2,3，竹内大輔^2,3，山崎　聡^2,3，猪熊孝夫¹
• 6ダイヤモンド半導体/金属ショットキー接合の高温特性名大院工 ^○河本圭太，植田研二，宗宮　嵩，浅野秀文
• 7高濃度Pドープn型ダイヤモンド半導体／電極へのNイオン注入の効果筑波大¹，産総研²，CREST^{3 ○}松本　翼^1,2,3，加藤宙光^2,3，小倉政彦^2,3，竹内大輔^2,3，牧野俊晴^2,3，大串秀世^2,3，山崎　聡^1,2,3
• 8高濃度キャリアの電界制御を目指した強誘電体薄膜／ダイヤモンド接合の作製物材機構¹，北京工科大^{2 ○}小出康夫¹，Guang-chao Chen²，廖　梅勇¹，井村将隆¹
•  休憩　15:00〜15:15
• 9高濃度NO2ガスを用いた様々な面方位をもつ水素終端ダイヤモンド表面へのホールドーピングNTT物性基礎研¹，佐賀大院工² 佐藤寿志¹，^○嘉数　誠²
• 10Al₂O₃パッシベーションにより熱的安定化したNO₂吸着・水素終端ダイヤモンドFETのドレイン電流の増大NTT物性研¹，佐賀大院工^{2 ○}平間一行¹，佐藤寿志¹，原田裕一¹，山本秀樹¹，嘉数　誠^1,2
• 11水素終端ダイヤモンド表面における原子層堆積(ALD) Al2O3膜のパッシベーション効果早大 ^○齊藤達也，大長　央，平岩　篤，川原田洋
• 12分子線エピタキシー(MBE)法によるAlN膜を用いた水素終端ダイヤモンド表面のパッシベーション早大理工 ^○小野和子，横山悠樹，鹿又龍介，宇都宮大起，袴田知宏，平岩　篤，川原田洋
• 13水素終端ダイヤモンド表面伝導層の高温熱安定性早大理工 ^○袴田知宏，横山悠樹，鹿又龍介，宇都宮大起，小野和子，平岩　篤，川原田洋
• 14n型ダイヤモンド半導体の選択成長法を用いた横型接合FET東工大¹，産総研エネルギー技術研究部門²，CREST(JST)³，ALCA(JST)^{4 ○}都築康平¹，加藤宙光^2,3，牧野俊晴^2,3，小倉政彦^2,3，竹内大輔^2,3，大串秀世^2,3，星野雄斗¹，岩崎孝之^1,3,4，山崎　聡^2,3，波多野睦子^1,3,4
•  休憩　16:45〜17:00
• 15ダイヤモンドSchottky-pnダイオードの電気特性のn層膜厚依存性産総研エネ部門¹，CREST/JST²，筑波大^{3 ○}牧野俊晴^1,2，加藤宙光^1,2，竹内大輔^1,2，小倉政彦^1,2，桑原大輔^1,2,3，松本　翼^1,2,3，大串英世^1,2，山崎　聡^1,2,3
• 16ダイヤモンド深紫外線LEDのメサ構造による発光スペクトルの変化筑波大¹，産総研エネ部門²，CREST/JST³，物材機構^{4 ○}桑原大輔^1,2,3，牧野俊晴^2,3，小泉　聡^3,4，加藤宙光^2,3，竹内大輔^2,3，小倉政彦^2,3，松本　翼^1,2,3，大串秀世^2,3，山崎　聡^1,2,3
• 17ダイヤモンドの負性電子親和力を応用した真空パワースイッチ(2)産総研エネ¹，ALCA(JST)²，CREST(JST)³，筑波大^{4 ○}竹内大輔^1,2,3，牧野俊晴^1,2,3，加藤宙光^1,2,3，小倉政彦^1,2,3，大串秀世^1,2,3，山崎　聡^1,2,3,4
• 18Ibダイヤモンドからの電流注入による電子放出筑波大¹，産総研²，CREST(JST)³，ALCA(JST)⁴，国際基督教大^{5 ○}工藤唯義^1,2,3，竹内大輔^2,3,4，岡野　健⁵，山崎　聡^1,2,3
• 19超伝導ダイヤモンド(111)薄膜における格子伸長と転移温度早大¹，物材機構^{2 ○}古閑三靖¹，栗原槙一郎¹，鹿又龍介¹，坪井秀俊¹，知京豊裕²，高野義彦²，山口尚秀²，平岩　篤¹，川原田洋¹
• 20窒素‐空孔中心がドープされた同位体制御¹²Cダイヤモンド超薄膜の作製と光学特性評価慶大理工¹，東大先端研²，産総研ダイヤモンド研究ラボ^{3 ○}大橋康平¹，富澤周平¹，早瀬潤子¹，伊藤公平¹，石川豊史²，渡邊幸志³，鹿田真一³
• 21ダイヤモンド中の単一NV中心における電荷状態の電気的制御阪大院基礎工¹，産総研エネ部門²，Stuttgart大^{3 ○}土井悠生¹，牧野俊晴²，加藤宙光²，小倉政彦²，竹内大輔²，大串秀世²，山崎　聡²，Jorg Wrachtrup³，三輪真嗣¹，鈴木義茂¹，水落憲和¹

14a-C12 - 1〜11

• 1触媒を用いたメタンの熱分解による非晶質炭素薄膜の作製電通大院情報理工 ^○西永泰隆，田中勝己，Cheow Keong Choo
• 2イソブタンを原料とした水素化アモルファスカーボンの成膜筑波大数理 ^○岡田匡人，櫻井岳暁，秋本克洋
• 3ECR-CVD法で合成したa-C:H膜の抵抗率長岡技大(院) ^○吉岡久志，大塩茂夫，戸田育民，齋藤秀俊
• 4水素化アモルファス炭素膜の色の定量化長岡技大(院)¹，堀場製作所²，兵庫県大³ 水口和也¹，^○吉岡久志¹，桜井正行²，神田一浩³，大塩茂夫¹，戸田育民¹，齋藤秀俊¹
• 5ECR-CVD法により合成した水素化アモルファス炭素膜の耐酸性長岡技大 ^○佐々木康志，大塩茂夫，戸田育民，齋藤秀俊
•  休憩　10:15〜10:30
• 6｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  テクスチャーDLC膜の作成東工大院¹，iMott^{2 ○（D）}高島　舞¹，神沢　圭¹，松尾　真²，松尾　誠²，岩本喜直²，大竹尚登¹
• 7軟X線照射によるDLC膜の物性変化兵庫県立大高度研 ^○（B）今井　亮，福田和弘，新部正人，岡田　真，松井真二，神田一浩
• 8機能性DLC膜の原子状酸素照射効果兵庫県立大高度研¹，神戸大^{2 ○}福田和弘¹，今井　亮¹，新部正人¹，藤本晋嗣²，横田久美子²，田川雅人²，神田一浩¹
• 9Characterization of PEDOT:PSS thin films prepared from thermally condensed formula doped with SWCNTShishu Univ.¹，JSPS²，Limoges Univ.³，JST-PRESTO^{4 ○（PC）}Gilles Banoukepa^1,2，Remi Antony³，Ratier Bernard³，市川　結^1,4
• 10Arのマイクロ波放電フロー中でのテトラメチルシランの解離励起反応解析長岡技科大工 ^○甲把理恵，山元愛弓，津留紘樹，伊藤治彦
• 11プラズマイオン注入・成膜法により作製したDLC-Si膜の摩擦特性金沢工院¹，金沢工大²，金沢工大高度材料科学研究開発センター^{3 ○}湯尾信也¹，西　宏規²，吉森裕平²，佐々木賢志¹，池永訓昭³，作道訓之²
•  昼食　12:00〜13:00

14p-C12 - 1〜6

• 1「薄膜・表面分科内招待講演」（30分）
  SPR現象を用いた液中でのアモルファス炭素系膜表面の状態検出東工大¹，長岡技大^{2 ○}赤坂大樹¹，齋藤秀俊²
• 2アモルファス窒化炭素薄膜の電気特性に及ぼす化学結合状態の影響防衛大 ^○田村尚之，青野祐美，北沢信章，渡邉芳久
• 3パルスSMP放電による電界放出用a-CNx:H膜の作製（II）静大電子研 ^○木下治久，田中純雄
• 4異なる作製方法によるDLC 膜の細胞親和性東京電機大¹，三共製作所²，ナノテック³，堀場製作所⁴，キングサウド大⁵，長岡技科大⁶，茨城大⁷，物質・材料研究機構^{8 ○}安田和正¹，木村洋裕¹，Azhim Azuran¹，増子貞光²，平塚傑工³，森山　匠⁴，Ali S.Alanazi⁵，斎藤秀俊⁶，尾関和秀⁷，深田直樹⁸，大越康晴¹，日比野麻衣¹，中森秀樹³，Nataliya Nabatova-Gabain⁴，櫻井正行⁴，平栗健二¹，福井康裕¹
• 5軸流血液ポンプ羽根車におけるフッ素ドープa-C:H膜の溶血低減効果電機大¹，ナノテック²，国循^{3 ○}大越康晴¹，本間章彦¹，平塚傑工²，平栗健二¹，住倉博仁³，舟久保昭夫¹，福井康裕¹
• 6光化学修飾による硫黄官能基化DLC膜の作製および金ナノ粒子固定産総研 ^○中村挙子，大花継頼