6. 薄膜・表面

13a-PB1 - 1〜12

• 1感光性材料による誘電体膜の形成芝浦工大工 ^○山口正樹，西川宏之
• 2Eu添加SBTの薄膜化に関する検討金沢工大院 ^○吉田翔一，廣岡賢太郎，橋本直也，得永嘉昭，堀邉英夫，會澤康治
• 3VDF/TrFE共重合体薄膜の超高電場下における分極反転機構東理大理¹，小林理研^{2 ○}石井　肇¹，中嶋宇史¹，古川猛夫²，岡村総一郎¹
• 4P(VDF-TrFE)薄膜の圧電特性評価大阪府立大院 ^○谷地宣紀，吉村　武，藤村紀文
• 5六方晶YMnO₃ 薄膜の光誘起電流II大阪府立大 ^○奥村優太，藤村紀文，吉村　武，芦田　淳
• 6BiFeO₃-CoFe₂O₄/La-SrTiO₃コンポジット薄膜の微構造と表面磁気応答東理大¹，東北大^{2 ○}曽根圭太¹，伊藤正樹¹，永沼　博²，宮崎孝道²，中嶋宇史¹，岡村総一郎¹
• 7化学溶液法により作製したBiFeO₃薄膜のメスバウア･スペクトルと電気特性静理大¹，東理大^{2 ○}田中清高¹，塚本美徳¹，岡村総一郎²，吉田　豊¹
• 8BiFeO₃エピタキシャル薄膜におけるLa置換の効果阪府大工 ^○若園佳佑，川原祐作，氏本勝也，吉村　武，藤村紀文
• 9金属/(Bi,Pr)(Fe,Mn)O₃/SiO₂/p-Si構造の電気特性に対する上部電極の影響金沢大院自然¹，金沢大理工^{2 ○}瀬戸佑一郎¹，野村幸寛¹，広瀬宗一郎²，川江　健²，森本章治²
• 10(Bi,Pr)(Fe,Mn)O₃/SrTiO₃/B添加ダイヤモンド積層構造の疲労特性評価金沢大院自然¹，金沢大理工²，東理大理³，物材機構^{4 ○}川崎寛樹¹，木下昂洋²，野村幸寛¹，川江　健²，中嶋宇史³，徳田規夫²，高野義彦⁴，岡村総一郎³，森本章治²
• 11反強誘電体PbZrO₃薄膜のリーク電流特性東理大・理 ^○大塚尚之，中嶋宇史，岡村総一郎
• 12強誘電体MEMS振動発電素子の動作特性の解析大阪府大工¹，大阪府立産技研^{2 ○}吉村　武¹，宮渕弘樹¹，村上修一²，藤村紀文¹

13p-C10 - 1〜19

• 1「薄膜・表面分科内招待講演」（30分）
  第一原理計算及び現象論による非鉛圧電材料の圧電特性解析キヤノン¹，東工大^{2 ○}三浦　薫¹，今永俊治¹，舟窪　浩²
• 2分子動力学法によるCoFe2O4/BaTiO3界面の解析九工大 松本　要，山根政博，糸永汐里，^○山本浩貴
• 3マグネタイト薄膜の低温における誘電分散東大物性研 ^○高橋竜太，三隅　光，Mikk Lippmaa
• 4BiFeO₃エピタキシャル薄膜の格子歪みが圧電特性におよぼす影響阪府大工 ^○川原祐作，氏本勝也，吉村　武，藤村紀文
• 5BiFeO₃エピタキシャル薄膜のドメイン構造が圧電特性におよぼす影響大阪府立大院・工 ^○（D）氏本勝也，吉村　武，藤村紀文
• 6磁場中90^ooff-axis PLD法による多結晶BiFeO₃薄膜の作製と評価阪大院基礎工¹，阪大ナノサイエンスデザイン教育センター²，兵庫県大工^{3 ○}jungmin park¹，中嶋誠二³，寒川雅之¹，金島　岳¹，奥山雅則²
•  休憩　15:15〜15:30
• 7(Bi, Pr)(Fe, Mn)O₃薄膜における分極飽和特性の面方位依存性金沢大院自然¹，金沢大理工^{2 ○（D）}野村幸寛¹，塚田祥賀¹，川江　健²，森本章治²
• 8(Bi, Pr)(Fe, Mn)O₃薄膜における誘電損失の活性化エネルギー評価金沢大院自然¹，金沢大理工^{2 ○}立居卓志¹，野村幸寛¹，野村圭介²，川江　健²，森本章治²
• 9RFプレーナマグネトロンスパッタ法を用いたエピタキシャルBiFeO₃薄膜の作製(II)兵庫県大工 ^○高田祐介，中嶋誠二，藤沢浩訓，小舟正文，清水　勝
• 10PLD法により作製した(1-x)BiFeO₃-xBiCoO₃薄膜の結晶構造および電気的特性東工大応セラ研 ^○北條　元，大沼　航，東　正樹
• 11化学溶液堆積法によるBa-Bi系ペロブスカイト薄膜の作製と特性評価上智大¹，東工大^{2 ○}金子祈之^1,2，安井伸太郎²，舟窪　浩²，内田　寛¹
• 12シリコン基板上に作製したビスマス基圧電体膜の特性評価東工大¹，産総研²，キヤノン^{3 ○（D）}及川貴弘¹，安井伸太郎¹，真鍋直人¹，小林　健²，渡邉隆之³，薮田久人³，三浦　薫³，舟窪　浩¹
• 13BaTiO₃-Bi(Mg,Ti)O₃-BiFeO₃薄膜の圧電特性東理大¹，産総研^{2 ○}伊藤正樹¹，三輪　俊¹，中嶋宇史¹，飯島高志²，岡村総一郎¹
•  休憩　17:15〜17:30
• 14LaNiO₃を下部電極に用いたSi基板へのパルスレーザー蒸着法による(Na_0.5K_0.5)NbO₃-BaZrO₃-(Bi_0.5Li_0.5)TiO₃薄膜の形成龍谷大¹，東大²，パナソニック先端研^{3 ○（M1）}中尾朋裕¹，深田正紀¹，山添誠司^1,2，和田隆博¹，足立秀明³
• 15単結晶誘電体ナノキューブ自己配列微小構造体の特性産総研 ^○三村憲一，加藤一実
• 16二段階MOCVDによるZnOナノロッドの作製と強誘電体ナノロッドへの応用(II)兵庫県大・工 ^○小林千晃，藤沢浩訓，中嶋誠二，清水　勝
• 17非鉛圧電薄膜(K,Na)NbO₃を用いたMEMSデバイス作製及び評価京大院工¹，神大院工²，日立電線^{3 ○}黒川文弥¹，神野伊策²，横川隆司¹，小寺秀俊¹，堀切文正³，柴田憲治³，三島友義³
• 18c軸単一配向SrBi₄Ti₄O₁₅,CaBi₄Ti₄O₁₅薄膜MIMダイオードの電気伝導特性京工繊工芸¹，上智大理工²，東工大物創^{3 ○}田原直也¹，河原英彰¹，内田　寛²，山下　馨¹，舟窪　浩³，野田　実¹
• 19高速かつ多値記憶可能な60 nm強誘電体ゲートトランジスタパナソニック先端研¹，東工大^{2 ○}金子幸広¹，西谷　雄¹，上田路人¹，徳光永輔²，辻村　歩¹

14a-C10 - 1〜11

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  熱応力を導入した(Na,Bi)TiO₃-BaTiO₃エピタキシャル薄膜の結晶構造と圧電特性パナソニック 先端研 ^○田中良明，張替貴聖，上田路人，足立秀明，藤井映志
• 2熱処理したP(VDF/TrFE)薄膜の赤外吸収スペクトルの外部電場効果早大院先進理工 ^○高嶋健二，古川行夫
• 3融解状態を経て形成されたVDF/TeFE共重合体薄膜における強誘電特性・微構造の結晶化条件依存性東理大理¹，小林理研^{2 ○}中川佑太¹，石井　肇¹，中嶋宇史¹，古川猛夫²，岡村総一郎¹
• 4Fabrication of Organic Ferroelectric Thin Film Transistors on Paper SubstratesUniv. of Seoul ^○Byung Eun Park，Kyung Eun Park
• 5クロコン酸薄膜の電気特性評価東工大総理工¹，建国大^{2 ○}高山和朗¹，石原　宏²，大見俊一郎¹
•  休憩　10:15〜10:30
• 68インチPZT薄膜の形成における結晶化温度の影響大日本印刷¹，NMEMS技術研究機構²，産総研^{3 ○}瓜生敏史^1,2，小林　健^2,3，善見誠一^1,2，藤本興治^1,2，鈴木浩助¹，伊藤寿浩^2,3，前田龍太郎^2,3
• 7圧電MEMS上テトラPZT薄膜の圧電特性に電圧印加が与える影響産総研¹，東工大^{2 ○}小林　健¹，牧本なつみ¹，前田龍太郎¹，及川貴弘²，和田亜由美²，舟窪　浩²
• 8ゾルゲル成膜テトラPZT薄膜への電圧印加によるc軸配向性の向上産総研¹，東工大²，ブルカーAXS^{3 ○}牧本なつみ¹，小林　健¹，前田龍太郎¹，及川貴弘²，和田亜由美²，森岡　仁³，舟窪　浩²
• 9放射光 X 線を用いた(111)/(11-1)配向菱面体晶エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃膜の 電場印加による非分極軸ドメインスイッチングのその場観察東工大院¹，名大²，JASRI/SPring-8³，NIMS/SPring-8^{4 ○}江原祥隆¹，安井伸太郎¹，及川貴弘¹，白石貴久¹，山田智明²，今井康彦³，田尻寛男³，坂田修身⁴，舟窪　浩¹
• 10PLD法を用いたエピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃ナノロッドの成長過程の観察とその強誘電及び圧電特性名大¹，JST²，東工大³，NIMS/SPring-8^{4 ○}山田智明^1,2，中村健太郎¹，田中秀典³，江原祥隆³，安井伸太郎³，及川貴弘³，坂田修身⁴，舟窪　浩³，吉野正人¹，長崎正雅¹
• 11動的測定法によるPZT薄膜の非線形誘電率測定東北大通研 ^○平永良臣，長　康雄
•  昼食　12:00〜13:00

14p-C10 - 1〜7

• 1「薄膜・表面分科内招待講演」（30分）
  強誘電体薄膜の挑戦大阪府立大 ^○藤村紀文，吉村　武
• 2c軸配向MBi₄Ti₄O₁₅ (M: Sr, Ca)膜における誘電特性の温度依存性東工大物創¹，上智大理工^{2 ○（D）}木村純一¹，松島正明¹，内田　寛²，舟窪　浩¹
• 3ペロブスカイト型酸窒化物ATaO₂N(A=Sr,Ca)エピタキシャル薄膜の誘電特性東大院理¹，KAST²，JST-CREST³，東大院工⁴，東大生研⁵，UTTAC^{6 ○（D）}岡　大地^1,2，廣瀬　靖^1,2,3，伊藤誠二⁴，森田　明⁴，松崎浩之⁴，福谷克之⁵，石井　聡⁶，笹　公和⁶，関場大一郎⁶，長谷川哲也^1,2,3
• 4PFMを用いた強誘電体薄膜の圧電変位量の定量評価兵庫県大工 ^○瀬戸翔太，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水　勝
• 5様々な降温条件におけるPbTiO₃膜中のドメイン形成のその場観察防衛大¹，高知工大²，東工大^{3 ○}松岡将史¹，西出正道¹，田井丈嗣¹，金　鎭雄¹，島　宏美¹，河東田隆²，舟窪　浩³，西田　謙¹，山本　孝¹
• 6顕微ラマン分光法を用いたPbTiO₃薄膜の歪成分評価防衛大¹，高知工大²，東工大^{3 ○（DC）}西出正道¹，松岡将史¹，田井丈嗣¹，金　鎭雄¹，河東田隆²，宇津木覚³，舟窪　浩³，島　宏美¹，西田　謙¹，山本　孝¹
• 7AFMを用いたPbTiO₃ナノ島の分極量の評価(II)兵庫県大工 ^○井川将志，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水　勝