5. 光エレクトロニクス

12a-PA3 - 1〜28

• 1周期分極反転構造を付した非線形光学結晶の吸収係数測定II東大新領域¹，東大工^{2 ○}渡部恭平¹，森脇成典²，三尾典克^1,2
• 2信号搬送波抽出による位相感応増幅器のインライン動作NTTフォトニクス研究所 ^○梅木毅伺，竹ノ内弘和，遊部雅生
• 3KTN光スキャナのレンズ効果を利用した解像点数増大NTTフォトニクス研¹，NTTアドバンステクノロジ^{2 ○}佐々木雄三¹，岡部勇一¹，上野雅浩¹，坂本　尊¹，豊田誠治¹，小林潤也¹，八木生剛²，長沼和則²
• 4ミリ波帯無線信号のためのダブルアンテナ電極電気光学変調器阪大院基礎工 ^○高武直弘，村田博司，岡村康行
• 55層対称構造プラズモニック導波路へのスロットアンテナアレイの作製阪大院基礎工¹，情報通信研究機構² 尾崎常祐¹，^○村田博司¹，川西哲也²，岡村康行¹
• 6変調メタルスリットアレイを利用した光波の位相制御岡山県立大　情報工¹，阪大レーザ研² 徳田安紀¹，^○坂口浩一郎¹，焼山祐也²，高野恵介²，福嶋丈浩¹，萩行正憲²
• 7時空変換法による可視･赤外信号の双方向波長変換龍谷大理工 木村裕喜，中村慎吾，^○斉藤光徳
• 8多くのスロットを有するSi細線光導波路の解析II摂南大理工¹，北里大医療衛生²，クオンタムフェーズラボラトリー^{3 ○}大家重明 ¹，梅田徳男 ²，張　吉夫 ³
• 9スロット導波路によるSi吸収波長帯での伝搬解析金沢大院電子情報 ^○森野久康，丸山武男，飯山宏一
• 10HfO₂添加石英系超高Δ導波路の光学特性NTTフォトニクス研究所 ^○伊東雅之，阿部　淳，森　　淳，井藤幹隆
• 11SOI導波路プロセス(V) - 光集積回路に向けたEBリソグラフィ技術の確立-産総研¹，PECST²，PETRA^{3 ○}堀川　剛^1,2，平山直紀^1,2，高橋博之^2,3，埜口良二^1,2，山岸雅司^1,2
• 12多結晶シリコン導波路における導波損失と抵抗率の改善産総研¹，PETRA²，PECST^{3 ○}堀川　剛^1,3，高橋正志^1,3，藤方潤一^2,3，野口将高^2,3，赤川武志^2,3
• 13ArF液浸露光を用いたシリコンフォトニクスデバイスの作製誤差制御PECST¹，PETRA²，産総研ナノデバイス^{3 ○}高橋博之^1,2，関　三好^1,3，外山宗博^1,3，志村大輔^1,2，越野圭二^1,3，横山信幸^1,3，大塚　実^1,3，杉山曜宣^1,3，石塚栄一^1,3，佐野　作^1,3，堀川　剛^1,3
• 14フォトニック結晶作製における電子ビーム露光条件依存性広島大ナノデバイス ^○（M1）原田祥典，雨宮嘉照，横山　新
• 15表面プラズモン共鳴をベースとしたシリコン光変調器の試作広島大ナノデバイス研 ^○田部井哲夫，横山　新
• 16縦列p/n 接合型Si マッハツェンダ光モジュレータの改良広島大ナノデバイス・バイオ研 ^○古谷竜一，雨宮嘉照，福山正隆，横山　新
• 17SiGe cap層を用いた差動対MSM型Ge受光素子フォトニクス･エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構¹，技術研究組合光電子融合基盤技術研究所²，産総研³，東大生産研^{4 ○}三浦　真^1,2，野口将高^1,2，藤方潤一^1,2，岡本大典^1,2，堀川　剛^1,3，荒川泰彦^1,4
• 18Si細線導波路を用いた光共振器型屈折率センサー早大¹，沖電気工業^{2 ○}入川寛之¹，大岡　隆¹，岡山秀彰^1,2，中島啓幾¹
• 19MMIカプラを用いた導波路型光トリプレクサの設計芝浦工大院理工 ^○（M2）川崎孝恭，横手亮介，横井秀樹
• 20ストリップ装荷導波路による非相反放射モード変換型光アイソレータの設計芝浦工大院理工 ^○高木宏治，横井秀樹
• 21Si導波層を有する磁気光学導波路実現のための感光性接着剤を用いたボンディング芝浦工大院理工¹，東工大院理工^{2 ○}市島紀彦¹，妙圓薗勇¹，横井秀樹¹，庄司雄哉²，水本哲弥²
• 22感光性接着剤による半導体レーザと光非相反素子の集積化芝浦工大院理工 ^○妙圓薗勇，市島紀彦，横井秀樹
• 23偏光分離機能をもつAWGを用いた波長選択スイッチNTTフォトニクス研 ^○渡辺俊夫，妹尾和則，小湊俊海，大庭直樹
• 24低Q値共振器をもつ偏光双安定VCSELのスイッチングパワー離調特性奈良先端大物質 ^○（M2）川畑将志，片山健夫，池田和浩，河口仁司
• 25Compact Bragg Reflector Waveguide Modulator with Ultra-low Driving Voltage below 0.5 V東工大 ^○顧　暁冬，島田敏和，清水翔貴，松谷晃宏，小山二三夫
• 26光トライオードによる負帰還光増幅器の雑音抑制特性近大院総合理工 ^○藤川祐真，シャフィック モハマド，前田佳伸
• 27InPとAl₂O₃パッシベーションによるInGaAsP細線導波路の損失改善東大院工¹，住友化学^{2 ○}一宮佑希¹，横山正史¹，市川　磨²，秦　雅彦²，竹中　充¹，高木信一¹
• 28ロイドのミラー干渉を利用した半導体レーザと光ファイバの結合系岡山県立大 ^○福嶋丈浩，坂口浩一郎，徳田安紀

12p-C5 - 1〜18

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  QPM接着リッジ導波路を用いたCW励起光パラメトリック増幅物質・材料研究機構¹，早大先進理工²，住友大阪セメント^{3 ○}村中勇介^1,2，栗村　直^1,2，杉浦かおり^1,2，菊池清史^1,2，高　　磊^1,2，中島啓幾²，市川潤一郎³
• 2PPMgSLT結晶を用いた高効率光パラメトリック発振器の開発東北大学際センター¹，オキサイド^{2 ○}谷内哲夫¹，廣橋淳二²，古川保典²
• 3波型電極を用いた正負パルス電圧印加によるMgO:LiNbO₃短周期分極反転構造作製の検討阪大院工 ^○鈴木貴士，栖原敏明
• 4Ti:Eu共ドープLiNbO₃薄膜のフォトルミネッセンス強度の周期的増幅現象(II)中部大¹，山寿セラミックス^{2 ○}水野雄太¹，高橋　誠¹，大木戸貞夫¹，田橋正浩¹，脇田紘一¹，梶谷尚史²，倉知雅人²
• 5高次モード位相整合反転積層AlGaAs導波路型波長変換素子の設計と作製東大工¹，中央大理工^{2 ○}松下智紀¹，村上航規¹，原健二郎²，庄司一郎²，近藤高志¹
• 6KTN光偏向器のハイパワー光照射時の動作NTT-AT¹，NTT PH研² 菅井栄一¹，佐々木雄三²，米山幸司¹，小松貴幸¹，^○八木生剛¹，藤浦和夫¹，豊田誠治²，小林潤也²
• 7Si基板上PZT光導波路の作製と伝搬特性金沢大院 電子情報 ^○松本真輝，丸山武男，飯山宏一
• 8架橋性電気光学ポリマーをコア／クラッドとした光導波路の作製情通機構 ^○大友　明，青木　勲，山田俊樹，太田浩平，上田里永子，井上振一郎，照井通文
• 9ファイバ端面からのフレネル反射を用いた屈折率変化測定静岡大工 ^○冨木政宏，東　健太，坂田　肇
•  休憩　15:45〜16:00
• 10有機ＥＬ素子での表面プラズモン散乱による光増強特性(II)立命館大¹，物材機構^{2 ○}堀越友輔¹，川崎将吾¹，山崎　晃¹，笠原健一¹，池田直樹²，落合雅幸²，杉本喜正²
• 11有機蛍光体のEL、PLスペクトルの膜厚依存性立命館大 ^○川崎将吾，堀越友輔，山崎　晃，笠原健一
• 12低電力光配線のためのシングルモード導波路アレイＩＢＭ東京基礎研¹，IBMワトソン研^{2 ○}沼田英俊¹，平　洋一¹，ティモン バーヴィッチ²
• 13溝構造の導入によるポリマー熱光学スイッチの低消費電力化早大理工¹，GCS研究機構^{2 ○（M2）}湯澤元輝¹，保科貴之¹，小林久也¹，若松果奈¹，松島裕一²，宇高勝之¹
• 14i線露光法を用いた超低損失シリコン導波路スポットサイズ変換器産総研¹，PECST^{2 ○}武井亮平^1,2，鈴木政雄^1,2，面田恵美子^1,2，眞子祥子^1,2，亀井利浩^1,2，森　雅彦^1,2，榊原陽一^1,2
• 15アモルファスSiからなる積層型光回路の基礎検討(II)福井大院工¹，東洋大バイオナノ^{2 ○}遠藤　峻¹，齋木健太¹，吹留啓太¹，勝山俊夫¹，徳田正秀²，高木　均²，森田正幸²，伊藤嘉敏²，筒井　謙²，和田恭雄²
• 16ガスクラスターイオンビームによるシリコン導波路のトリミング東大院工¹，兵庫県立大^{2 ○（PC）}Jingnan Cai¹，住江健介²，豊田紀章²，石川靖彦¹，和田一実¹
• 17紫外線照射を用いた温度無依存シリコンスロットリング共振器の波長トリミング東工大電気電子工¹，東工大量子ナノエレクトロニクス研究センター^{2 ○（B）}豪志 サイファー¹，渥美裕樹¹，小田　学¹，JoonHyun Kang¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 18部分スロット共振器を有する一次元シリコンフォトニック結晶光導波路のバイオセンシング応用東大院工¹，NTT^{2 ○}荒木貴裕¹，Jingnan Cai¹，石川靖彦¹，和田一実¹，林　勝義²，堀内　勉²，岩崎　弦²，為近恵美²

13a-C5 - 1〜12

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  100 μm長以下で広帯域な10 Gb/s Si フォトニック結晶MZI型光変調器横国大･院工 ^○ホン グェン，新川瑞季，石倉徳洋，馬場俊彦
• 2等価回路モデル解析によるシリコンpin型光変調器の 高速駆動化の検討PETRA¹，PECST^{2 ○}馬場　威^1,2，秋山　傑^1,2，赤川武志^1,2，今井雅彦^1,2，臼杵達哉^1,2
• 3PIN型ダイオードを用いた作用長250umのシリコン変調器の50Gbps動作PETRA¹，産総研²，PECST^{3 ○}秋山　傑^1,3，馬場　威^1,3，今井雅彦^1,3，赤川武志^1,3，野口将高^1,3，斉藤恵美子^1,3，埜口良二^2,3，平山直紀^2,3，堀川　剛^2,3，臼杵達哉^1,3
• 4低損失ポリシリコンゲートを有する高効率MOS型Si光変調器PECST¹，PETRA²，産総研³，東大^{4 ○}高橋重樹^1,2，藤方潤一^1,2，高橋正志^1,3，赤川武志^1,2，野口将高^1,2，堀川　剛^1,3，中村隆宏^1,2，荒川泰彦^1,4
• 5MOS型光変調器に向けたプラズマ後窒化によるSiGe MOS界面の改善東大院工¹，住友化学^{2 ○（M1C）}韓　在勲¹，張　　睿¹，長田剛規²，秦　雅彦²，竹中　充¹，高木信一¹
• 6歪 SiGe を利用したキャリア注入型光変調器の TCAD シミュレーション東大 ^○金　栄現，竹中　充，高木信一
• 7リーク電流低減による電流注入型Si光スイッチの低電力動作富士通研 ^○松本　武，関口茂昭，倉橋輝雄，森戸　健
• 8オンチップ光ネットワーク用シリコン導波路型波長選択スイッチ東工大 ^○三浦謙悟，庄司雄哉，水本哲弥
• 9歪を制御したゲルマニウム中のフランツケルディシュ効果東大院工¹，NTT² 畔柳　亮¹，^○Luan Nguyen¹，土澤　泰²，石川靖彦¹，山田浩司²，和田一実¹
• 10Si-石英-Ge 光プラットフォームにおけるGe フォトダイオードの高速化NTT MI研¹，NTT NPC²，東大院工^{3 ○}開　達郎^1,2，土澤　泰^1,2，西　英隆^1,2，高　　磊^1,2，福田　浩^1,2，石川靖彦³，和田一実³，山田浩治^1,2
• 11アポダイズ・グレーティングによる表面実装PD-Si導波路結合東工大 ^○藤本篤史，庄司雄哉，水本哲弥
• 12反射器付垂直結合型光入出力インターフェースの設計解析手法東北大院工 ^○奈良匡樹，北　智洋，田主裕一朗，山田博仁
•  昼食　12:00〜13:30

13p-C5 - 1〜20

• 1「光エレクトロニクス分科内招待講演」（30分）
  サブバンド間遷移全光スイッチとその超高速ＬＡＮへの適用産総研 ^○石川　浩，秋本良一，牛頭信一郎，物集照夫，小笠原剛，鍬塚治彦，挾間壽文，黒須隆行，並木　周
• 2Monolithically Integrated Intersubband All-Optical Switch using Area-Selective Activation of Cross-Phase Modulation in InGaAs/AlAsSb Quantum Wells産総研 ^○Jijun Feng，Ryoichi Akimoto，Shin-ichiro Gozu，Teruo Mozume，Toshifumi Hasama，Hiroshi Ishikawa
• 3透磁率の制御によるInP 系導波路型光変調器東工大 量子ナノ¹，東工大 電子物理²，東工大 電気電子³，理研^{4 ○}雨宮智宏¹，金澤　徹²，石川　篤³，明賀聖慈⁴，村井英淳⁴，進藤隆彦⁴，JoonHyung Kang⁴，西山伸彦⁴，宮本恭幸²，田中拓男³，荒井滋久^1,4
• 4アクティブマイクロリング全光論理ゲートの提案横国大院工 矢島英樹，^○西村真樹，荒川太郎，國分泰雄
• 5電界制御型多重量子井戸分岐比可変1×2多モード干渉カプラーの提案横浜国大院工¹，横国大院工学研究院^{2 ○}鹿嶋慎太郎¹，荒川太郎²
• 6Strong Energy shift of Excitonic Absorption of High-Purity GaAs in Electric FieldChubu Univ. ^○Kayastha Madhu Sudan，Durga Prasad Sapkota，Shin Bu，Takahashi Makoto，Wakita Koichi
• 7Electric Field Effect on Electroabsorption with Exciton of High-Purity GaAsChubu Univ. ^○Durga Prasad Sapkota，Madhu Sudan Kayastha，Makoto Takahashi，Koichi Wakita
• 8量子井戸４次直列結合マイクロリング共振器を用いたヒットレス波長選択スイッチの設計と評価横国大院工 ^○神谷　宙，後藤　剛，荒川太郎，國分泰雄
• 9応力印加による歪量子井戸InGaAs/GaAs梁構造のバンドギャップ制御東大工¹，阪大工^{2 ○（B）}Han Pan¹，伏見　浩¹，Jingnan Cai¹，小泉　淳²，藤原康文²，和田一実¹
•  休憩　16:00〜16:15
• 10High-resolution Wavelength Demultiplexer Based on a Bragg Reflector Waveguide東工大 ^○顧　暁冬，島田敏和，松谷晃宏，小山二三夫
• 11スローライト増幅器における遠視野像制御東工大・精研 ^○望月翔太，島田敏和，顧　暁冬，小山二三夫
• 12波長可変レーザへの応用を目的としたリング共振器型反射器特性の基礎解析早大¹，GCS研究機構^{2 ○（M1）}伊藤大樹¹，松島裕一²，宇高勝之¹
• 13自己形成導波路作製技術による合分波器の作製静岡大工 ^○（M2）寺田悠真，冨木政宏，坂田　肇
• 14金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の曲げ特性評価東工大工¹，東工大^{2 ○（M1）}村井英淳¹，雨宮智宏²，進藤隆彦¹，JoonHyung Kang¹，明賀聖慈¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 15非相反移相効果を用いたシリコン導波路型光アイソレータに用いるTEモード遮断マッハツェンダ干渉計東工大院理工 ^○（M2）白土雄也，庄司雄哉，水本哲弥
• 16スポットサイズ変換器と一体集積化したIII-V族化合物半導体導波路型光アイソレータ東工大院理工 ^○（M2）蘇武洋平，櫻井一正，庄司雄哉，水本哲弥
• 17Siリブを通した電流注入による1.3 μm InAs/GaAs量子ドットレーザ東大ナノ量子¹，東大生研^{2 ○}田辺克明¹，渡邉克之²，荒川泰彦^1,2
• 18コロイダルPbS量子ドットの時間分解発光測定福井大・院工¹，和歌山大シス工²，物材機構^{3 ○}千秋政也¹，今井啓太¹，中洞敏業¹，長尾祐希¹，勝山俊夫¹，尾崎信彦²，杉本喜正³
• 19金属回折格子付SOIフォトダイオードにおける外部量子効率の入射角依存静岡大電子研 ^○（M2）川久保謙，佐藤弘明，小野篤史，猪川　洋
• 20金属回折格子付SOIフォトダイオードにおける分光感度特性とその分解能の構造依存静岡大電子研 ^○佐藤弘明，小野篤史，猪川　洋