5. 光エレクトロニクス

5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

9月12日　9:00〜19:00　　会場：C6

12a-C6 - 1〜11

  • 1高屈折率差構造による面発光レーザの光閉じ込め係数の増大東工大精研 ○中濱正統，井上俊也，佐野勇人，小山二三夫
  • 2熱駆動のマイクロマシンを用いたアサーマル面発光レーザの波長掃引特性東工大精研 ○佐野勇人，中田紀彦，中濱正統，松谷晃宏，小山二三夫
  • 3波長可変面発光レーザの掃引幅拡大のための分布反射鏡の染み出し長制御東工大・精研 ○（B）井上俊也，佐野勇人，中濱正統，小山二三夫
  • 4VCSELとスローライト導波路の横方向集積によるオンチップビーム偏向東工大 ○島田敏和，松谷晃宏，小山二三夫
  • 5p-InGaAlAs/InGaPクラッド層を用いたメタモルフィックレーザによる高温動作NTTフォトニクス研 ○荒井昌和，小林　亘，神徳正樹
  •  休憩　10:15〜10:30
  • 6選択的反導波クラッド層を設けた非対称リッジ型半導体レーザー立命大院理工 ○（M1）檜垣将広，沼居貴陽
  • 7横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザー立命大院理工 ○（M1）福屋　準，沼居貴陽
  • 8表面活性化接合を用いたGaInAsP/Siハイブリッドファブリペローレーザ東工大電電1，東工大量子ナノ2 ○林　侑介1，長部　亮1，福田渓太1，渥美裕樹1，JoonHyun Kang1，西山伸彦1，荒井滋久1,2
  • 9高抵抗基板上LAN-WDM 4波長集積AlGaInAs系DRレーザアレイ富士通研 ○植竹理人，下山峰史，奥村滋一，松田　学，江川　満，山本剛之
  • 10SHG緑色レーザ用1.06 μm帯単一モードレーザの低消費電力動作富士通研1，QDレーザ2，東大ナノ量子機構3，東大生産研4 ○早川明憲1，宋　海智1，松本　武1，松田　学1，影山健生2，横山吉隆2，西　研一2,3，武政敬三2,3，江川　満1，荒川泰彦3,4，田中　有1，山本剛之1,2，菅原　充2,3
  • 11通信用量子ドットレーザのMBEによる量産化検討QD レーザ1，富士通研究所2，東大ナノ量子機構3，東大生研4 ○影山健生1，西　研一1,3，山口正臣1，前多泰成1，持田励雄1,3，武政敬三1,3，山本剛之1,2,3，菅原　充1,3，荒川泰彦3,4
  •  昼食　12:00〜13:30

12p-C6 - 1〜19

  • 1「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
    Demonstration of Blue and Green GaN-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers by Current Injection at Room Temperature    日亜化学 笠原大爾，森田大介，小杉卓生，中川恭輔，川眞田潤，○樋口　裕，松村拓明，向井孝志
  • 2「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
    Green-to-Yellow Continuous-Wave Operation of BeZnCdSe Quantum-Well Laser Diodes at Room Temperature    産総研1，日立2 葛西淳一1，秋本良一1，挾間壽文1，石川　浩1，藤崎寿美子2，○田中滋久2，辻　伸二2
  • 3電流注入LEAPレーザの10 Gb/s 直接変調動作NTTフォトニクス研1，NTT物性基礎研2，ナノフォトニクスセンタ3 ○武田浩司1,3，佐藤具就1,3，新家昭彦2,3，野崎謙悟2,3，谷山秀昭2,3，納富雅也2,3，硴塚孝明1,3，長谷部浩一1,3，松尾慎治1,3
  • 4結合二重上位準位型量子カスケードレーザの超線形動作浜松ホトニクス中研1，浜松ホトニクス2 ○藤田和上1，山西正道1，古田慎一1，杉山厚志2，道垣内龍男1，枝村忠孝1
  • 5中赤外量子カスケード・レーザの応用に向けた光学系評価立命大理工 ○森　　俊，津島浩一，笠原健一
  • 6赤外ＬＥＤその２浜松ホトニクス ○田中章雅，三嶋飛鳥，飯田大輔，吉田剛之
  • 7可変容量発光ダイオードとその応用香川大 ○石川允基，藤田順一，岡本研正
  • 8chopper変調方式を用いたtunable可視光LED通信香川大工 ○森　　啓，藤田順一，岡本研正
  •  休憩　16:00〜16:15
  • 9Si-APD電子検出器の電子線照射による劣化と熱処理による回復東大生研1，高エネ研、物構研2 ○河内泰三1，米村博樹2，岸本俊二2，福谷克之1
  • 10InAlAs/InGaAs反転型アバランシェフォトダイオードの電界狭窄効果日本電信電話　NTTフォトニクス研 ○名田允洋，横山春喜，村本好史，石橋忠夫，児玉　聡
  • 118.0μｍＩｎＡｓＳｂ検出素子その２浜松ホトニクス ○田中章雅，染谷正太，須村大介，田口桂基
  • 12Integrating Plasmonic Coupler to Photodetector for Terahertz FrequencyRiken ASI, Advanced Device Lab1，Univ. of Tokyo, Dept. of Basic Science2，Univ. of Tokyo, Institute of Industrial Science3 ○(P)Zhihai Wang1，Koji Ishibashi1，Susumu Komiyama2，Naomi Nagai3，Kazuhiko Hirakawa3
  • 13LEDとフォトダイオードからなる新型トランジスタ「ダイスター」の発明香川大工 ○岡本研正
  • 14トランジスタ光動説におけるトランジスタとフォトダイオードの特性相似性香川大 ○渡辺健人，小西亮平，岡本研正
  • 15光空間トランジスタに関する研究香川大 ○細川浩司，藤田順一，岡本研正
  • 16接合トランジスタと発光素子を組み合わせた光空間サイリスタ香川大 ○波多江和喜，藤田順一，岡本研正
  • 17LEDのみで構成された新型ダイスター香川大工 ○藤田順一，岡本研正
  • 18球状太陽電池を受光素子とした室内光空間通信香川大 ○松橋和也，藤田順一，岡本研正
  • 19シリコン発光ツェナーダイオードを用いた高分解能光位置検出センサ香川大工 ○小西亮平，岡本研正

5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

9月13日　会場：PA8
ポスターセッション
ポスター掲示時間9:30〜11:30

13a-PA8 - 1〜6

  • 1Beドープp-GaInAsコンタクト層を有する薄膜DFBレーザのしきい値低減東工大電気電子工学専攻1，東工大量子ナノ2 ○二見充輝1，進藤隆彦1，土居恭平1，雨宮智宏2，西山伸彦1，荒井滋久1,2
  • 2オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの熱特性に関する検討東工大電気電子工1，量子ナノエレクトロニクス研究センター2 ○土居恭平1，進藤隆彦1，二見充輝1，雨宮智宏2，西山伸彦1，荒井滋久1,2
  • 319層積層InGaAs量子ドットレーザの線幅増大係数の測定首都大SD1，情通機構2 ○（DC）田之上文彦1,2，菅原宏治1，赤羽浩一2，山本直克2
  • 4選択成長およびダブルキャップ法を用いたInAs量子ドットアレイLEDのPL特性上智大理工 ○三枝知充，岩根優人，吉田圭佑，山内雅之，吉川翔平，下村和彦
  • 5Ge量子ドットを有する広帯域フォトニック結晶線欠陥導波路フォトディテクター東京都市大総合研 ○谷口亮介，徐　学俊，丸泉琢也，白木靖寛
  • 6フォトダイオードの応答非直線性の波長依存特性産総研 計測標準 ○田辺　稔，雨宮邦招，福田大治，沼田孝之，市野善朗